本发明专利技术公开了一种电路分析仪的分析方法，涉及电路测试技术领域，所述方法包括以下步骤：S1：获得待测电路的直流电流和直流电压；S2：获得所述待测电路的第一交流电流和第一交流电压；S3：计算所述待测电路的直流电阻；S4：去除所述直流电阻对所述第一交流电流的影响，以获得去除影响后的第一交流电流；S5：计算与第一频率对应的第一阻抗，根据所述第一阻抗和直流电阻分析判断获得所述待测电路的电路结构、以及电路结构中的各个元件的参数。本发明专利技术的分析方法通过对电路进行检测、分析，实现了获得待测电路的电路结构、以及电路结构中的各个元件的参数。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路测试
，特别涉及一种。
技术介绍
万用表由表头、测量电路及转换开关等三个主要部分组成。万用表是电子测试领域最基本的工具，也是一种使用广泛的测试仪器。万用表又叫多用表、三用表(即电流，电压，电阻三用)、复用表、万能表，万用表分为指针式万用表和数字万用表，现在还多了一种带示波器功能的示波万用表，是一种多功能、多量程的测量仪表，一般万用表可测量直流电流、直流电压、交流电压、电阻和音频电平等，有的还可以测交流电流、电容量、电感量，温度及半导体的一些参数，但在进行一次测量时，只能获取一个元器件的参量，当在线测试时， 经常有多个元器件连接在一起，通过万用表进行测量则非常不便。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是如何获得待测电路的电路结构、以及电路结构中的各个元件的参数。(二)技术方案为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种，所述方法包括以下步骤SI :信号源输出直流电源，通过两个测试端子获得待测电路的直流电流和直流电压；S2:信号源输出第一频率的交流信号，通过所述两个测试端子获得所述待测电路的第一交流电流和第一交流电压；S3:根据所述直流电流、直流电压、第一交流电流、及第一交流电压计算所述待测电路的直流电阻；S4 :去除所述直流电阻对所述第一交流电流的影响，以获得去除影响后的第一交流电流；S5:利用所述去除影响后的第一交流电流和所述第一交流电压计算与第一频率对应的第一阻抗，根据所述第一阻抗和直流电阻分析判断获得所述待测电路的电路结构、以及电路结构中的各个元件的参数，所述第一阻抗不计算所述直流电阻在内。优选地，步骤S5之后还包括以下步骤S6 :通过显示器来显示所述待测电路的电路结构、以及电路结构中的各个元件的参数。优选地，步骤SI和步骤S2中所述两个测试端子与所述待测电路仅有的两个端点分别连接；步骤S5中通过以下步骤进行分析判断S501 :通过所述第一阻抗确定所述待测电路的电路类型，所述电路类型为容性电路或感性电路两种类型；S502:根据所确定的电路类型选择相应的预设电路模型，通过所述第一阻抗和直流电阻计算所述预设电路模型中各个元件的参数；S503 :信号源输出第j频率的交流信号，再次通过所述两个测试端子获得所述待测电路的交流电流L和交流电压'，j的初值为2 ；S504 :去除所述直流电阻对所述待测电路的交流电流L的影响，以获得去除影响后的交流电流Xj ；S505 :利用所述去除影响后的交流电流Xj和所述交流电压Ni计算与第j频率对应的第j阻抗，所述第j阻抗不计算所述直流电阻在内； S506 :通过第j频率、第j阻抗以及直流电阻验证所述预测电路模型中各个元件的参数，若各个元件的参数不变，则将所述预设电路模型作为所述待测电路的电路结构，并将所述预测电路模型中各个元件的参数作为所述待测电路的电路结构中的各个元件的参数，否则，更换电路模型，通过所述直流电阻、此前获得所有的频率和阻抗的对应关系计算更换的电路模型中各个元件的参数，j自加1，并返回步骤S503。优选地，若所述待测电路中含有半导体器件，则在步骤Sf S5中，所述信号源输出的均为使幅值低于所述半导体器件的门槛电压的直流电源或交流信号；步骤S5之后还包括以下步骤S701 :所述信号源输出使幅值高于所述半导体器件的门槛电压的交流信号，通过所述两个测试端子获得所述待测电路的交流电流Iw和交流电压Vw ；S702 :去除所述半导体器件以外的元件对交流电流Iw的影响，以获得通过所述半导体器件的交流电流Idw ;S703 :将所述交流电流Idw和交流电压Vw之间的对应关系作为所述待测电路中半导体器件的V-I特性曲线，通过所述待测电路中半导体器件的V-I特性曲线确定所述待测电路中的半导体器件。优选地，步骤S603之后还包括以下步骤S704 :通过显示器来显示所述待测电路中半导体器件的V-I特性曲线。优选地，步骤SI和步骤S2中利用所述两个测试端子通过继电器扫描矩阵来扫描所述待测电路的至少三个端点中的任意两个端点；相应的步骤S5中，所述待测电路的至少三个端点中的任意两个端点之间电路结构、以及电路结构中的各个元件的参数，通过以下步骤进行分析判断S511 :对扫描获得的所述待测电路每两个端点之间的直流电阻和第一阻抗进行转换，获得实际直流电阻和实际第一阻抗；S512:通过所述实际第一阻抗确定所述待测电路的电路类型，所述电路类型为容性电路或感性电路两种类型；S513:根据所确定的电路类型选择相应的预设电路模型，通过所述实际第一阻抗和直流电阻计算所述当前两个端点之间的电路结构、以及所述当前两个端点之间的电路结构中各个元件的参数；S514 :信号源输出第j频率的交流信号，再次利用所述两个测试端子通过继电器扫描矩阵来扫描所述待测电路的至少三个端点中的任意两个端点，获得任意两个端点之间的交流电流L和交流电压'，j的初值为2 ；S515 :去除所述直流电阻对所述任意两个端点之间的交流电流L的影响，以获得去除影响后的交流电流Xj ;S516 :利用所述去除影响后的交流电流\和所述交流电压'计算与第j频率对应的第j阻抗，所述第j阻抗不计算所述直流电阻在内；S517 :对扫描获得的所述待测电路每两个端点之间的所述直流电阻和第j阻抗进行转换，以获得实际直流电阻和实际第j阻抗；S518 :通过当前两个端点之间的第j频率、实际第j阻抗以及实际直流电阻验证所 述预测电路模型中各个元件的参数，若各个元件的参数不变，则将所述预设电路模型作为所述当前两个端点之间电路结构，并将所述预测电路模型中各个元件的参数作为所述当前两个端点之间电路结构中的各个元件的参数，否则，更换电路模型，通过所述直流电阻、此前获得所有的频率和阻抗的对应关系计算更换的电路模型中各个元件的参数，j自加1，并返回步骤S514。优选地，若所述待测电路中含有半导体器件，则在步骤Sf S5中，所述信号源输出的均为使幅值低于所述待测电路的门槛电压的直流电源或交流信号；步骤S5之后，所述待测电路的至少三个端点中的任意两个端点进行以下步骤S711 :所述信号源输出使幅值高于待测电路的门槛电压的交流信号，通过所述两个测试端子获得所述待测电路的交流电流Iw和交流电压Vw ；S712 :去除所述当前两个端点之间半导体器件以外的元件对交流电流Iw的影响，以获得通过所述半导体器件的交流电流Idw ；S713 :将所述交流电流Idw和交流电压Vw之间的对应关系作为所述当前两个端点之间半导体器件的V-I特性曲线，通过所述待测电路中半导体器件的V-I特性曲线确定所述当前两个端点之间半导体器件。优选地，步骤S713之后还包括以下步骤S614 :通过显示器来显示所述当前两个端子之间半导体器件的V-I特性曲线。(三)有益效果本专利技术的分析方法通过对电路进行检测、分析，实现了获得待测电路的电路结构、以及电路结构中的各个元件的参数，并进一步将V-I曲线中的半导体器件和无源器件进行分离，便于半导体器件的识别。附图说明图I是按照本专利技术的分析方法的第一种硬件结构的结构示意图；图2是按照本专利技术第一种实施方式的的流程图；图3是按照本专利技术的分析方法的第二种硬件结构的结构示意图；图4是按照本专利技术第二种实施方式的的流程图；图5是第一种实施例的待测电路的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电路分析仪的分析方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1：信号源输出直流电源，通过两个测试端子获得待测电路的直流电流和直流电压；S2：信号源输出第一频率的交流信号，通过所述两个测试端子获得所述待测电路的第一交流电流和第一交流电压；S3：根据所述直流电流、直流电压、第一交流电流、及第一交流电压计算所述待测电路的直流电阻；S4：去除所述直流电阻对所述第一交流电流的影响，以获得去除影响后的第一交流电流；S5：利用所述去除影响后的第一交流电流和所述第一交流电压计算与第一频率对应的第一阻抗，根据所述第一阻抗和直流电阻分析判断获得所述待测电路的电路结构、以及电路结构中的各个元件的参数，所述第一阻抗不计算所述直流电阻在内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘海先，
申请(专利权)人：刘海先，
类型：发明
国别省市：
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