本发明专利技术提供一种具有对于半导体晶片的电路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剥离性的半导体晶片表面保护薄片。具体来说，提供一种半导体晶片表面保护用薄片，其具有：在25℃时的储能模量E（25）为1GPa以上的基材层；在25℃时的储能模量EA（25）和在60℃时的储能模量EA（60）满足EA（60）/EA（25）<0.1的关系，并且前述在60℃时的拉伸弹性模量EA（60）为0.005～1MPa的树脂层（A）；和在60℃时的储能模量EB（60）为1MPa以上、高于前述树脂层（A）在60℃时的储能模量EA（60），并且厚度为0.1μm以上且不足100μm的树脂层（B）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
在使用半导体晶片的半导体装置的制造工序中的磨削电路未形成面的工序中，为了防止损伤半导体晶片的电路形成面，可以在半导体晶片的电路形成面上粘贴半导体晶片表面保护用薄片。在半导体晶片的电路形成面上，不仅形成了电路，还形成了半导体凸块等具有较大高低差的凹凸。因此，如果在粘贴半导体晶片表面保护用薄片时，在半导体晶片表面保护用薄片和半导体晶片的电路形成面的凹凸之间形成间隙，则在磨削半导体晶片的电路未形成面时，会在半导体晶片面内产生应力分布，导致半导体晶片容易破损。因此，提出了对凹凸的追随性良好的半导体晶片表面保护用薄片。例如，专利文献I中提出了由特定的弹性体组合物所形成的半导体晶片表面保护用薄片。此外，专利文献2和3中提出了具有基材层、凹凸吸收层和粘合剂层的半导体晶片表面保护用薄片。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2005 - 191296号公报专利文献2 :日本特开2004 - 363139号公报专利文献3 日本特开2005 - 243909号公报专利文献4 :国际公开第2006/088074号小册子
技术实现思路
专利技术要解决的问题专利文献I 4的半导体晶片表面保护用薄片在一定程度上改善了对凹凸的追随性。然而，根据半导体晶片的电路形成面状态，存在半导体晶片表面保护用薄片从晶片的剥离性不足的情况。也就是说，有时在半导体晶片的电路形成面上预先形成具有多孔质结构或微细凹凸结构的电路保护层。例如，有时对于由聚苯并噁唑所形成的电路保护膜进行等离子处理(参照日本特开2006 - 124432号公报、日本特开2004 — 31565号公报)。由此增加电路保护膜表面的微小凹凸(参照材料科学(Journal of the society of materials science),Japan Vol. 55No. Ip. 83_88jan. 2006)。这是为了使电路保护层为多孔质结构而使其低介电常数化，以降低伴随电气信号的高速化、高频化的高频信号的传输延迟。如果在这种具有多孔质结构的电路保护层上粘贴上述半导体晶片表面保护用薄片，则有时凹凸吸收层和粘合剂层会流入孔中，导致磨削后难以剥离。此外，随着高集成化，电路面的凹凸形状变得复杂，有时凹凸吸收层和粘合剂层会流入凹凸的间隙中而导致磨削后难以剥离。本专利技术是鉴于上述情况而作出的专利技术，其目的在于提供一种具有对于半导体晶片的电路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剥离性的半导体晶片表面保护薄片，以及使用其的半导体晶片的保护方法。进一步，本专利技术的目的还在于提供一种即使对于具有多孔质结构的电路保护层，或即使对于具有复杂形状的凹凸的电路面，也可具有良好剥离性的半导体晶片表面保护薄片。解决问题的方法本专利技术人等发现，含有作为凹凸吸收层的树脂层(A)和具有比其更高弹性模量的树脂层(B)的半导体晶片表面保护用薄片在维持对半导体晶片的电路形成面的凹凸的追随性的同时，具有高剥离性。此外还发现，通过调整树脂层(A)和树脂层(B)的拉伸弹性模量、厚度的平衡，可以使对凹凸的追随性与剥离性高度并存。本专利技术是基于这种认识而作出的专利技术。 也就是说，本专利技术的第一方面涉及半导体晶片表面保护用薄片。 一种半导体晶片表面保护用薄片，其具有在25°C时的拉伸弹性模量E (25)为IGPa以上的基材层；在25°C时的拉伸弹性模量Ea (25)和在60°C时的拉伸弹性模量Ea(60)满足Ea (60)/Ea (25)〈O. I的关系，并且前述在60°C时的拉伸弹性模量Ea (60)为0. 005 IMPa的树脂层(A);和在60°C时的拉伸弹性模量Eb (60)为IMPa以上、高于前述树脂层(A)在60°C时的拉伸弹性模量Ea (60)，并且厚度为0. Iiim以上且不足100 y m的树脂层(B)，其中，在前述基材层和前述树脂层(B)之间配置有I层以上的前述树脂层(A)。如所述的半导体晶片表面保护用薄片，其中前述树脂层(B)配置在前述半导体晶片表面保护用薄片的最外表面。如或任一项所述的半导体晶片表面保护用薄片，其中前述树脂层(A)含有烯烃系共聚物。如 任一项所述的半导体晶片表面保护用薄片，其中树脂层(A)的密度为 800 890kg/m3。如 任一项所述的半导体表面保护用薄片，其中前述树脂层(B)含有选自聚乙烯系弹性体和聚苯乙烯系弹性体中的至少一种树脂。如 任一项所述的半导体晶片表面保护用薄片，其中前述基材膜是选自聚烯烃层、聚酯层、以及聚烯烃层和聚酯层的层叠中的至少一种层。如 任一项所述的半导体晶片表面保护用薄片，其中前述树脂层(A)的厚度tA大于在半导体晶片的电路形成面上所设置的高低差。本专利技术的第二方面涉及使用半导体晶片表面保护用薄片的半导体晶片的保护方法。 一种半导体晶片的保护方法，其包含在40 80°C的温度、0. 3 0. 5MPa的压力下，在半导体晶片的电路形成面上粘贴权利要求I所述的半导体晶片表面保护用薄片的第一工序；磨削粘贴有前述半导体晶片表面保护用薄片的半导体晶片的电路未形成面的第二工序；对磨削后的半导体晶片的电路未形成面进行加工的第三工序；和剥离前述半导体晶片表面保护用薄片的第四工序。如所述的半导体晶片的保护方法，其中在前述半导体晶片的电路形成面上设置有200 u m以上的高低差。如或所述的半导体晶片的保护方法，其中在前述半导体晶片的电路形成面上进一步设置有具有多孔质结构的电路保护层。如 任一项所述的半导体晶片的保护方法，其中前述第三工序含有选自金属溅射工序、镀敷处理工序和加热处理工序中的至少一种工序。本专利技术的第三方面涉及使用半导体晶片表面保护用薄片的半导体装置的制造方法。 一种半导体装置的制造方法，其包含在40 80°C的温度、0. 3 0. 5MPa的压力下，在半导体晶片的电路形成面上粘贴权利要求I所述的半导体晶片表面保护用薄片的第一工序；磨削粘贴有前述半导体晶片表面保护用薄片的半导体晶片的电路未形成面的第二工序；对磨削后的半导体晶片的电路未形成面进行加工的第三工序；和剥离前述半导 体晶片表面保护用薄片的第四工序。如所述的半导体装置的制造方法，其中在前述半导体晶片的电路形成面上设置有200 u m以上的高低差。如或所述的半导体装置的制造方法，其中在前述半导体晶片的电路形成面上进一步设置有具有多孔质结构的电路保护层。如 任一项所述的半导体装置的制造方法，其中前述第三工序含有选自金属溅射工序、镀敷处理工序和加热处理工序中的至少一种工序。专利技术效果本专利技术的半导体晶片表面保护薄片具有对于半导体晶片的电路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剥离性。进一步，本专利技术的半导体晶片表面保护薄片即使对于具有多孔质结构的电路保护层，也可具有良好的剥离性。附图说明图I是表示半导体晶片表面保护薄片的一个例子的图。图2是表示半导体晶片表面保护薄片的粘贴工序的一个例子的图。具体实施例方式I.半导体晶片表面保护用薄片本专利技术的半导体晶片表面保护用薄片含有基材层、树脂层(A)和树脂层(B)，在基材层和树脂层(B)之间配置I层以上的树脂层(A)。树脂层(A)优选在加温下粘贴薄片时追随半导体晶片的电路形成面的凹凸而显示出高密合性，并且在粘贴薄片后的常温下保持(固定)形状。因此，树脂层(A)优选具本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：林下英司，才本芳久，片冈真，尾崎胜敏，酒井充，
申请(专利权)人：三井化学东赛璐株式会社，
类型：发明
国别省市：
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