SiCOH低K膜的气相沉积法制造技术

公开了适于沉积具有适于后代介电膜的介电常数和杨氏模量的SiCOH膜的前驱体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiCOH低K膜的气相沉积法相关申请案的交叉引用本申请主张2010年2月17日提交的美国临时申请第61/305，491号的权益，其全部内容以引用的方式并入本文中。

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.17 US 61/305,4911.一种在基质上形成SiCOH膜层的方法，所述方法包括以下步骤 -提供安置有至少一个基质的反应室； -向反应室中引入含Si-(CH2)n-Si的前驱体，其中n=l或2，含Si-(CH2)n-Si的前驱体选自由以下组成的组2.根据权利要求I的方法，其中该含乙烯基的前驱体选自由乙烯基二乙氧基硅烷、乙稀基~■甲氧基娃烧、乙稀基二甲氧基娃烧、乙稀基二乙氧基娃烧、乙稀基甲基_■甲氧基娃烧和乙稀基甲基_■乙氧基娃烧组成的组，优选为乙稀基二乙氧基娃烧或乙稀基甲基_■乙氧基硅烷。3.根据权利要求I或2的方法，其中致孔剂为经取代或未经取代的双环[2.2. I]庚-2，5- 二烯。4.根据权利要求1-3中任一项的方法，其中沉积方法为单频PECVD。5.根据权利要求1-4中任一项的方法，其进一步包含使SiCOH膜变得多孔的步骤。6.根据权利要求1-5中任一项的方法，其中Rl至R4不为H。7.根据权利要求6的方法，其中含Si-(CH2)n-Si的前驱体选自由(EtO) 3Si-CH2-Si (OEt) 2H、Me (OEt) 2Si_CH2_Si (OEt) 2H、Me (OEt) 2Si_CH2_Si (OEt) HMe、Me2(OEt)Si-CH2-Si (OEt)2H' (EtO)Me2SiCH2Si (OMe)2H, Me2(OEt)Si-CH2-Si (OEt) HMe、(OEt)3Si-CH2-Si (OEt) HMe、(EtO)3Si-CH2-Si (OMe) HMe、Me(OMe)2Si-CH2-Si (OMe)2H,Me(OMe)2Si-CH2-Si (OMe) HMe、Me2(OMe)SiCH2Si (OMe)2H 和 Me2(OEt)Si-CH2-Si (OMe)HMe 组成的组，优选 Me (OEt)2Si-CH2-Si (OEt) 2H、Me2(OEt)Si-CH2-Si(OEt)2H 和Me (OEt) 2Si-CH2-Si (OEt) HMe。8.根据权利要求6的...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·迪萨拉，F·多尼亚，C·安德森，J·J·F·麦克安德鲁，
申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，
类型：发明
国别省市：