【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子
,尤其涉及ー种HID电子镇流电路、电子镇流器及高压气体放电灯。
技术介绍
随着社会对环保照明需求的增加,高压气体放电(High Intensity Discharge,HID)灯作为目前国际上广泛使用的新一代高效光源,以其节能、高亮等优点大量取代卤素灯和高压汞灯,而镇流器作为HID灯中最为重要的配件部分决定了 HID灯的质量。HID镇流器分为HID电子式镇流器和HID电感式镇流器,其中HID电子式镇流器以其功率恒定、电网污染小、电能利用率高以及电光转换效率高等优势大量取代HID电感式镇流器。·图I示出了现有的三阶变换式HID电子镇流器的示例电路,其中包括整流滤波电路11、升压电路12、降压电路13、全桥驱动电路14。整流滤波电路11的输入端与交流电源电压连接,整流滤波电路11的输出端与升压电路12的输入端连接,升压电路12的控制端与芯片16连接,升压电路12的输出端与降压电路13的输入端连接,降压电路13的控制端与单片机及辅助电路17的输出控制端Pl连接,降压电路13的输出端与全桥驱动电路14的输入端连接,全桥驱动电路14的第一控制端与单片机及辅助电路17的输出控制端P2连接,全桥驱动电路14的第二控制端与单片机及辅助电路17的输出控制端P3连接,全桥驱动电路14的第三控制端与单片机及辅助电路17的输出控制端P4连接,全桥驱动电路14的第四控制端与单片机及辅助电路17的输出控制端P5连接,控制端全桥驱动电路14的输出端与负载HID灯连接。整流滤波电路11包括整流桥111和电容Cl,该整流桥111的输入端为整流滤波电路11的输入端 ...
【技术保护点】
一种HID镇流电路,包括触发电路,其特征在于,所述镇流电路还包括:功率半桥自激振荡电路,所述功率半桥自激振荡电路的输入端与所述触发电路的输出端连接,用于在所述触发电路输出的原始单次脉冲激发时,利用内部功率场效应管的米勒电容Cdg对角电容Cgs赋能实现自激振荡,输出自激振荡信号;滤波回路,所述滤波回路的输入端与所述功率半桥自激振荡电路的输出端连接,所述滤波回路的输出端与负载HID管连接,用于对所述自激振荡信号进行阻抗匹配,实现从低阻抗电压源到高阻抗恒流源的变换。
【技术特征摘要】
1.ー种HID镇流电路,包括触发电路,其特征在于,所述镇流电路还包括 功率半桥自激振荡电路,所述功率半桥自激振荡电路的输入端与所述触发电路的输出端连接,用于在所述触发电路输出的原始单次脉冲激发时,利用内部功率场效应管的米勒电容Cdg对角电容Cgs赋能实现自激振荡,输出自激振荡信号; 滤波回路,所述滤波回路的输入端与所述功率半桥自激振荡电路的输出端连接,所述滤波回路的输出端与负载HID管连接,用于对所述自激振荡信号进行阻抗匹配,实现从低阻抗电压源到高阻抗恒流源的变换。2.如权利要求I所述的HID镇流电路,其特征在于,所述功率半桥自激振荡电路包括 变压器Tl、上臂MOS管Q7以及下臂MOS管Q8 ; 所述变压器Tl初级绕组NI的同名端为所述功率半桥自激振荡电路的输入端与所述触发电路连接,所述变压器Tl初级绕组NI的异名端接地,所述变压器Tl第一次级绕组N2的同名端与所述上臂MOS管Q7的控制端连接,所述上臂MOS管Q7的输入端连接电源电压,所述上臂MOS管Q7的输出端为所述功率半桥自激振荡电路的输出端与所述变压器Tl第一次级绕组N2的异名端连接,所述变压器Tl第二次级绕组N3的异名端与所述下臂MOS管Q8的控制端连接,所述下臂MOS-QS的输入端与所述上臂MOS管Q7的输出端连接,所述下臂MOS管Q8的输出端与所述变压器Tl第二次级绕组N3的同名端同时接地。3.如权利要求2所述的HID电子镇流电路,其特征在于,所述上臂MOS管Q7和所述下臂MOS管Q8为N型MOS管。4.如权利要求2所述的HID镇流电路,其特征在于,所述功率半桥自激振荡电路还包括 电容C8、电容C9、稳压ニ极管Zl、稳压ニ极管Z2、稳压ニ极管Z3和稳压ニ极管Z4 ; 所述变压器Tl的第一次级绕组N2与所述电容CS并联,所述稳压ニ极管Zl和所述稳压ニ极管Z2阴极相对串联后与所述电容CS并联,所述稳压ニ极管Zl的阳极与所述变压器Tl的第一次级绕组N2的同名端连接,所述稳压ニ极管Z2的阳极与所述变压器Tl的第一次级绕组N2的异名端连接; 所述变压器Tl的第二次级绕组N3与所述电容C9并联,所述稳压ニ极管Z3和所述稳压ニ极管Z4阴极相对串联后与所述电容C9并联,所述稳压ニ极管Z3的阳极与所述变压器Tl的第二次级绕组N3的异名端连接,所述稳压ニ极管TA的阳极接地。5.如权利要求I所述的镇流电路,其特征在于,所述滤波回路包括 电容C5、电容C6以及电感L4、电感L5 ; 所述电容C5的一端为所述滤波回路的输入端,所述电容C5的另一端与所述电感L4的一端连接,所述电感L4的另一端与...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢立山,陈裕嘉,袁青辉,杨红敏,
申请(专利权)人:深圳市格林莱电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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