本发明专利技术涉及一种发光二极管封装结构，其包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层，所述基板包括第一表面、相对的第二表面，所述电极至少为两个，所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，所述反射杯位于所述基板的第一表面，每一电极设有凹槽，所述封装层覆盖所述发光二极管芯片，并填满所述电极的凹槽。由于本发明专利技术发光二极管封装结构的封装层向下延伸填满电极的凹槽，有利于提高封装层与电极之间的密合度，以及增加外界的水汽进入该发光二极管芯片的路径距离，有效的保护发光二极管芯片免受水气等影响。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
技术介绍
目前发光二极管(Light Emitting Diode, LED)封装结构通常包括一个反射杯结构，所述反射杯常设于基板的上方，发光二极管放置于反射杯中。这种发光二极管封装结构中基板与反射杯之间容易形成缝隙，水汽和灰尘容易沿该缝隙进入封装后的发光二极管封装结构中，从而影响该发光二极管封装结构的寿命，甚至造成发光二极管的失效。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种能够防止水气进入的发光二极管封装结构。—种发光二极管封装结构，其包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层，所述基板包括第一表面、相对的第二表面，所述电极至少为两个，所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，所述反射杯位于所述基板的第一表面，每一电极设有凹槽，所述封装层覆盖所述发光二极管芯片，并填满所述电极的凹槽。上述发光二极管封装结构中，由于封装层向下延伸填满电极的凹槽，有利于提高封装层与电极之间的密合度，以及增加外界的水汽进入该发光二极管芯片的路径距离，有效的保护发光二极管芯片免受水气等影响。附图说明图I是本专利技术第一实施方式提供的一种发光二极管封装结构剖视图。图2是本图I中发光二极管封装结构的俯视图。图3是本专利技术第二实施方式提供的一种发光二极管封装结构剖视图。图4是本专利技术第三实施方式提供的一种发光二极管封装结构剖视图。主要元件符号说明 发光二极管封装结构 1100、200基板_10、IOa_第一表面_H_蛋二表面_电极20、20a、20b 一顶面_21_~~凹槽22、22a、22b 一电连接端23 发光二极管芯片30.30a金属导线_31_反射杯_40、40a_封装层_50、50a、50b 如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施例方式以下将结合附图对本专利技术作进一步的详细说明。请参阅图I及图2，本专利技术的第一实施方式提供一种发光二极管封装结构100，其包括基板10、电极20、发光二极管芯片30、反射杯40和封装层50。 该基板10呈板体状设置，具有上下相对的第一表面11及第二表面12。所述基板10为绝缘体，可选自聚甲基丙烯酸甲酯、石墨、硅、陶瓷、类钻、环氧树脂或硅烷氧树脂等。电极20至少为两个，均形成在所述基板10上，并且电极20相互之间电绝缘。所述电极20所用的材料为导电性能较好的金属材料，如金、银、铜、钼、铝、镍、锡或镁中的一种或几种的合金。每一电极20呈矩形体设置。每一电极20的顶面21与基板10的第一表面11平齐,其底面嵌入在基板10内部。每一电极20的背向另一电极20的一端向外延伸超出基板10的侧面，以形成连接外部电源的电连接端23。每一电极20在顶面21上设有凹槽22。该凹槽22呈条状设置，二电极20的凹槽22共同围绕所述发光二极管芯片30。在本实施例中，二电极20的凹槽22组合大致围成椭圆环形。可以理解地，二电极20的凹槽22可以组合围成圆环形或者矩形。发光二极管芯片30贴设于基板10的第一表面11上。更具体的,发光二极管芯片30贴设于一电极20的顶面21上。所述发光二极管芯片30通过金属导线31与所述电极20电性连接。可以理解的，该发光二极管芯片30也可以采用覆晶的方式固定于电极20上并与电极20电连接。所述反射杯40环绕所述发光二极管芯片30并设置在基板10的第一表面11上。该反射杯40的内壁底缘置于所述二电极20的凹槽22的外侧或者与凹槽22的外缘平齐。在本实施中，该反射杯40的内壁底缘与凹槽22的外缘平齐，并覆盖二电极20顶面的凹槽22外侧部分。封装层50形成于所述基板10上的反射杯40内，覆盖所述发光二极管芯片30和金属导线31。所述封装层50的材质可以为娃胶(silicone)、环氧树脂(epoxy resin)或二者的组合物。所述封装层50还可以包含荧光转换材料，该萤光转换材料可以为石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉和氮化物基荧光粉。该封装层50填满二电极20顶面的凹槽22。由于二电极20的凹槽22围绕发光二极管芯片30，封装层50向下延伸填满电极20的凹槽22，有利于提高封装层50与电极20之间的密合度，以及增加外界的水汽进入该发光二极管芯片30的路径距离，有效的保护发光二极管芯片30免受水气等影响。请参阅图3，为本专利技术的第二实施方式提供的发光二极管封装结构200。该发光二极管封装结构200包括基板10a、电极20a、发光二极管芯片30a、反射杯40a和封装层50a。与第一实施方式的发光二极管封装结构100不同之处在于，发光二极管封装结构200的每一电极20a的凹槽22a并非呈条状，而是自电极20a中部凹陷至靠近另外一电极20a的一端，即呈弧形切口状。二电极20a的凹槽22a组合大致围成椭圆形。由于凹槽22a的作用，每一电极20a设置封装层50a的区域部分的厚度小于该电极20a设置反射杯40a的区域部分的厚度。一发光二极管芯片30a贴设于一电极20a的凹槽22a的顶面上。该封装层50a覆盖所述发光二极管芯片30a并填满电极20a的凹槽22a。请参阅图4，为本专利技术的第三实施方式提供的发光二极管封装结构300。与第一实施方式的发光二极管封装结构100不同之处在于，发光二极管封装结构300的每一电极20b的凹槽22b的底部朝外侧延伸从而使凹槽22b的横截面呈L型设置。封装层50a延伸填满凹槽22b以及增加外界的水汽进入该发光二极管芯片30的路径距离。可以理解地，凹槽22b还可以设置呈倒T型。可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本专利技术的技术构思做 出其它各种像应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本专利技术权利要求的保护范围。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层，所述基板包括第一表面、相对的第二表面，所述电极至少为两个，所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，其特征在于：所述反射杯位于所述基板的第一表面，每一电极设有凹槽，所述封装层覆盖所述发光二极管芯片，并填满所述电极的凹槽。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层，所述基板包括第一表面、相对的第二表面，所述电极至少为两个，所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，其特征在于所述反射杯位于所述基板的第一表面，每一电极设有凹槽，所述封装层覆盖所述发光二极管芯片，并填满所述电极的凹槽。2.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述电极的顶面与所述基板的第一表面平齐，每一电极的凹槽自电极的顶面凹陷设置。3.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述电极的凹槽呈条形设置并围绕所述发光二极管芯片。4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述电极的凹槽组合围成椭圆环...
【专利技术属性】
技术研发人员：林新强，张洁玲，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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