【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管。
技术介绍
由氮化镓半导体材料制成的高效蓝光、绿光和白光发光二极管具有寿命长、节能、绿色环保等显著特点，已被广泛应用于大屏幕彩色显示、汽车照明、交通信号、多媒体显示和光通讯等领域，特别是在照明领域具有广阔的发展潜力。传统的发光二极管通常包括N型半导体层、P型半导体层、设置在N型半导体层与P型半导体层之间的活性层、设置在P型半导体层上的P型电极(通常为透明电极)以及设置在N型半导体层上的N型电极。发光二极管处于工作状态时，在P型半导体层与N型半 导体层上分别施加正、负电压，这样，存在于P型半导体层中的空穴与存在于N型半导体层中的电子在活性层中发生复合而产生光，光从发光二极管中射出。然而，现有的发光二极管的光取出效率(光取出效率通常指活性层中所产生的光从发光二极管内部释放出的效率)较低，其主要原因是由于半导体的折射率大于空气的折射率，来自活性层的大角度光在半导体与空气的界面处发生全反射，从而大部分大角度光被限制在发光二极管的内部，直至被发光二极管内的材料完全吸收，影响了发光二极管的出光率。
技术实现思路
综上所述，确有必要提供一种光取出效率较高的发光二极管。本专利技术提供一种发光二极管，其包括一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接；所述第一半导体层在与所述基底结合的表面形成多个纳米级的凹槽，所述第一半导体层与基底之间构成多个纳米级孔洞，一碳纳米管层设置于所述第一半导体层和基底之间，所述碳纳...
【技术保护点】
一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面,？且所述第一半导体层靠近基底设置；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其特征在于：所述第一半导体层在与所述基底结合的表面形成多个纳米级的凹槽，所述第一半导体层与基底之间构成多个纳米级的孔洞，所述发光二极管进一步包括一碳纳米管层，其位于所述第一半导体层和基底之间，所述碳纳米管层设置于该孔洞内。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其包括 一基底; 一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置； 一第一电极与所述第一半导体层电连接； 一第二电极与所述第二半导体层电连接； 其特征在于所述第一半导体层在与所述基底结合的表面形成多个纳米级的凹槽，所述第一半导体层与基底之间构成多个纳米级的孔洞，所述发光二极管进一步包括一碳纳米管层，其位于所述第一半导体层和基底之间，所述碳纳米管层设置于该孔洞内。2.如权利要求I所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层为一自支撑结构直接铺设在所述基底的外延生长面。3.如权利要求I所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层中具有多个空隙，所述第一半导体层从所述基底的外延生长面通过该空隙暴露的部分生长。4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层覆盖所述碳纳米管层设置并渗透碳纳米管层的空隙与所述基底的外延生长面接触。5.如权利要求I所述的发光二极管，其特征在于，所述多个孔洞的横截面的最大宽度为20纳米 200纳米。6.如权利要求I所述的发光二极管，其特征在于，所述多个孔洞的横截面的最大宽度为50纳米 100纳米。7.如权利要求I所述的发光二极管，其特征在于，所述碳纳米管层包括至...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏洋，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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