用于半导体基片处理设备的卡盘组件制造技术

此处所公开的是一种用于半导体基片处理设备的卡盘组件，该卡盘组件包括冷却板，该冷却板是可提升的，由此使得控制卡盘的温度成为可能。该卡盘组件包括设置在卡盘的下方的冷却板和提升该冷却板的冷却板提升装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及用于半导体基片处理设备的卡盘组件，并且更具体地说，涉及一种包括可提升的冷却板、由此使得控制卡盘的温度成为可能的用于半导体基片处理设备的卡盘组件。
技术介绍
制造半导体的过程包括沉积或蚀刻半导体基片的过程，在该过程中，在该半导体基片上形成所需的分层结构或图案。在基片上形成薄膜或以预定的图案来处理基片的方法的示例是其中使用等离子体的方法。PECVD (等离子体增强化学气相沉积)过程和等离子体蚀刻过程是其中使用等离子体处理基片的方法的典型示例。根据产生等离子体的方法，等离子体处理设备划分为CCP (电容耦合等离子体)型 和ICP(电感耦合等离子体)型。在CCP型等离子体处理设备的情况下，上部电极设置在反应室的上部部分中。下部电极设置在卡盘的下方，基片或基片托盘放置到该卡盘上。另一方面，在ICP型等离子体处理设备的情况下，电感线圈设置在反应室的上部部分中或围绕该反应室的上部部分设置。下部电极设置在卡盘的下方。在CCP或ICP型等离子体处理设备中，将RF或DC电源供应于上部电极和下部电极或供应于电感线圈和下部电极，从而在反应室中产生等离子体。包括如上所述的反应室的等离子体处理设备进一步包括传递室或进料室(loadlock chamber)，该传递室或进料室将装载有单个基片或多个基片的基片托盘传递到反应室中。在包括多个反应室的群集式等离子体处理设备的情况下，设置有进料室和传递室。基片或基片托盘在进料室中进行真空处理并且经由传递室传送到反应室中。在包括单个反应室的等离子体处理设备的情况下，不存在传递室。基片或基片托盘被直接从进料室传送到反应室中。基片或基片托盘放置到设置在反应室中的卡盘上。卡盘设置在卡盘组件的上端部上。典型地，该卡盘在其中具有利用电产生热的加热元件。然而，在传统技术中，为了处理半导体基片，既需要用于高温的半导体基片处理设备，又需要用于低温的半导体基片处理设备，并且分别执行高温处理和低温处理。因此，需要分离开的反应室来执行高温处理和低温处理，或在需要时使用者必须以用于低温的卡盘取代用于高温的卡盘。这种需求增加了处理时间并且需要额外的装置或卡盘，由此增加了成本。
技术实现思路
因此，本专利技术紧记存在于现有技术中的上述问题而作出，并且本专利技术的目的是提供一种用于半导体基片处理设备的卡盘组件，该卡盘组件中包括可提升的冷却板，该冷却板能够控制卡盘的温度，从而使得能够在单个反应室内既执行高温处理又执行低温处理。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种具有卡盘的卡盘组件，其包括设置在卡盘的下方的冷却板；和提升该冷却板的冷却板提升装置。当需要冷却卡盘时，冷却板提升装置可以使冷却板向上移动至允许在卡盘与冷却板之间进行传热的位置。在这种情况下，该冷却板提升装置可使得冷却板向上移动直到该冷却板与卡盘相接触。该冷却板提升装置可包括联接于冷却板的下表面的驱动轴，和向上或向下操作驱动轴的驱动单元。 该驱动单元可包括联接于驱动轴的活 塞；将该活塞容纳于其中的气动缸，其中，将气动压力施加于活塞的一侧；和在通过气动压力移动活塞的方向相反的方向上支承活塞的支承弹黃。优选地，驱动轴可设置有由绝缘材料制成的联接块，该联接块联接于冷却板。冷却板提升装置可包括至少两个冷却板提升装置。冷却板提升装置可布置在冷却板的下表面的下方、处于在周向方向上以规则的间隔角彼此间隔开的位置处。此外，在卡盘中可形成有第一传热气体通道，并且在冷却板中可形成有第二传热气体通道，从而在卡盘的上方供应用于传热的气体，由此提高卡盘与装载到该卡盘上的基片之间的传热效率。附图说明通过结合附图进行的下列详细说明，将会更为清楚地理解本专利技术的上述和其它目的、特征和优点，在附图中图I是示出了根据本专利技术的实施方式的半导体基片处理设备的构造的视图；图2是根据本专利技术的实施方式的卡盘组件的截面图；图3是示出了根据本专利技术的卡盘组件中的包括气动驱动单元在内的冷却板提升装置的截面图；以及图4是根据本专利技术的另一实施方式的卡盘组件的截面图。具体实施例方式下文中，将参考附图详细地描述本专利技术的实施方式。图I是示出了根据本专利技术的实施方式的具有卡盘组件10的半导体基片处理设备I的构造的视图。半导体基片处理设备I包括反应室3和设置在该反应室3中的卡盘组件10。在图I的半导体基片处理设备I的情况下，电感线圈5示出为设置在反应室3的上端部上，以便能够通过ICP型方法产生等离子体。然而，在本专利技术中，半导体基片处理设备I不限于ICP型等离子体处理设备，并且例如它可包括CCP型等离子体处理设备。在CCP型等离子体处理设备的情况下，反应室3不具有电感线圈5，并且在反应室3的上端部上设置有上部电极，以便通过CCP方法产生等离子体。此外，不利用等离子体的其它类型的半导体基片处理设备也必须被视为落入本专利技术的范围内，只要它们不偏离本专利技术的范围和精神即可。在图I的半导体基片处理设备I的情况下，卡盘组件10示出为以与悬臂式卡盘的方式一样的方式受到支承。详细地说，卡盘组件10由模块化的安装装置7以悬臂式卡盘支承的方式支承，从而能够移动通过形成在反应室3的侧壁中的开口。悬臂式卡盘支承方法的优点在于，反应室3中的处理气体的流动能够基本上保持均匀。然而，在本专利技术的实施方式中，支承该卡盘组件10不仅能够通过悬臂式卡盘支承方法来具体体现而且能够通过杆式卡盘支承方法来具体体现，在该杆式卡盘支承方法中，卡盘组件10由从反应室3的底部延伸的支承件支承。基片或基片组件(W，下文中称之为“基片”)装载到卡盘组件10上。图2是根据本专利技术的实施方式的卡盘组件10的截面图。根据本专利技术的实施方式的卡盘组件10包括其上装载有基片的卡盘14、设置在卡盘14的下方以便能够被提升的冷却板18、以及提升冷却板18的冷却板提升装置24。卡盘14由主体12支承。该卡盘14中设置有加热元件16。加热元件16具有电阻，使得一旦供应电力，加热元件16就产生热，由此加热该卡盘14。冷却板18在其中具有冷却流体流动管20，冷却流体沿该冷却流体流动管20流动， 由此提供冷却功能。冷却流体的热容量相对较大是优选的。水可以典型地被用作该冷却流 体。作为选择，可以使用油或诸如空气之类的气体。冷却板提升装置24使冷却板18向上或向下移动。该冷却板提升装置24可包括支承冷却板18的中央部分并提升冷却板18的单个冷却板提升装置24。在图2的实施方式中，冷却板提升装置24包括至少两个冷却板提升装置24。在这种情况下，冷却板提升装置24可构造成使得它们支承冷却板18的下表面的周边。在冷却板提升装置24包括多个冷却板提升装置24的情况下，将冷却板提升装置24布置在冷却板18的下表面的下方、处于在周向方向上以规则的间隔角彼此间隔开的位置处。在一种实施方式中，每个冷却板提升装置24能够由提升装置支承板22支承。在图2中，每个提升装置支承板22示出为安装在主体12与卡盘14的联接表面之间。在这种情况下，提升装置支承板22可由绝缘材料制成，从而使得卡盘14与主体12彼此电绝缘。冷却板提升装置24包括联接于冷却板18的驱动轴26和向上或向下操作该驱动轴26的驱动单元30。驱动轴26联接于冷却板18的下表面。在一种实施方式中，联接块28可设置在驱动轴26的上端部上并联接于冷却板18的下表面。在这种情况下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有卡盘的卡盘组件，所述卡盘组件包括：冷却板，所述冷却板设置在所述卡盘的下方；和冷却板提升装置，所述冷却板提升装置提升所述冷却板。

【技术特征摘要】
2011.04.26 KR 10-2011-00389801.一种具有卡盘的卡盘组件，所述卡盘组件包括 冷却板，所述冷却板设置在所述卡盘的下方；和 冷却板提升装置，所述冷却板提升装置提升所述冷却板。2.根据权利要求I所述的卡盘组件，其中，当需要冷却所述卡盘时，所述冷却板提升装置使所述冷却板向上移动至允许在所述卡盘与所述冷却板之间进行传热的位置。3.根据权利要求2所述的卡盘组件，其中，所述冷却板提升装置使所述冷却板向上移动直到所述冷却板与所述卡盘相接触。4.根据权利要求I至3中的任一项所述的卡盘组件，其中，所述冷却板提升装置包括 驱动轴，所述驱动轴联...

【专利技术属性】
技术研发人员：李诚宰，韩教植，崔麟奎，朴东俊，
申请(专利权)人：塔工程有限公司，
类型：发明
国别省市：