一种判断硅块质量的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种判断硅块质量的方法，包括：扫描硅块得到所述硅块的全少子寿命分布图；分析所述全少子寿命分布图得到所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例；根据所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例判断所述硅块的质量。本发明专利技术实施例还公开了一种判断硅块质量的装置。采用本发明专利技术，可以更准确地判断硅块的整体质量，有效地减少低效硅片的产出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种判断硅块质量的方法及装置。
技术介绍
目前铸造多晶硅锭的检测中，硅块的少子寿命检测是很重要的环节，少子寿命的大小通常表征了硅块的电学性能，少子寿命低的硅块切割成硅片后，制造的太阳能电池转换效率较低，难以满足用户的使用需求。目前生产流程中的检测方式主要通过检测少子寿命平均值来判断硅块的质量，并通过设定的少子寿命平均值区间来判断硅块头尾所需去除的长度。而对硅块去除头部和尾部的不适宜切片区域后，并没有较好的方法对可切片区域的质量进行表征。而且，采用现有技术中利用硅块的平均少子寿命来表征硅块的质量并不准确，仍有可能导致一些质量较差的硅块流向切片的流程。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种判断硅块质量的方法及装置。可以更准确地判断硅块的整体质量，有效地减少低效硅片的产出。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种判断硅块质量的方法，包括扫描娃块得到所述娃块的全少子寿命分布图；分析所述全少子寿命分布图得到所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例；根据所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例判断所述硅块的质量。其中，在所述扫描硅块得到所述硅块的全少子寿命分布图的步骤之前，还包括对所述硅块表面进行化学钝化处理。其中，所述分析所述全少子寿命分布图得到所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例的步骤包括调整所述全少子寿命分布图为灰度图，其中，所示灰度图不同区域的灰度值与少子的寿命值—对应；计算所述灰度图中不同灰度值图案所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内不同灰度值图案的比例，得到所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例。其中，所述分析所述全少子寿命分布图得到所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例的步骤包括从所述全少子寿命分布图中读取全少子寿命分布的二维数据；根据所述二维数据计算得到所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例。其中，所述根据所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例判断所述硅块的质量的步骤包括判断从所述硅块头部到尾部的各个区间内，所述低少子寿命所占的比例是否小于比例阈值K ;若是，则所述硅块中的此区间为好质量区间，保留所述好质量区间等待切片；若否，则所述硅块中的此区间为差质量区间，去除所述差质量区间。相应地，本专利技术实施例还提供了一种判断硅块质量的装置，包括扫描模块，用于扫描娃块得到所述娃块的全少子寿 命分布图；分析模块，用于分析所述全少子寿命分布图得到所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例；判断模块，用于根据所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例判断所述硅块的质量。其中，所述扫描模块扫描所述硅块时采用高精度逐行扫描。其中，所述扫描模块进一步用于调整所述全少子寿命分布图为灰度图，其中，所示灰度图不同区域的灰度值与少子的寿命值一一对应，所述分析模块进一步用于计算所述灰度图中不同灰度值图案所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内不同灰度值图案的比例，得到所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例。其中，所述分析模块还用于从所述全少子寿命分布图中读取全少子寿命分布的二维数据，根据所述二维数据计算得到所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例。其中，所述判断模块进一步用于判断从所述硅块头部到尾部的各个区间内，所述低少子寿命所占的比例是否小于比例阈值K ;若是，则所述硅块中的此区间为好质量区间，保留所述好质量区间等待切片；若否，则所述硅块中的此区间为差质量区间，去除所述差质量区间。实施本专利技术实施例，具有如下有益效果根据所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例来判断硅块的质量，取代以往的根据平均少子寿命来判断的方法，判断结果更加准确，且填补了对可切片区域质量表征的空白，有效地减少了低效硅片的产出；通过对全少子寿命分布图的灰度图或二维数据进行分析计算得到硅块中低少子寿命所占的比例及所处的区域，为硅块质量的准确判断提供了依据，且为后续的切片流程指明了准确的切片位置；通过对不同工艺生产或处理的硅块进行检测，根据最后得到的不同硅块的质量结果进行对比，为硅块生产的工艺优化提供了方向，有利于后续生产流程中，提高硅块的整体质量。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是本专利技术判断硅块质量的方法的第一实施例流程示意图；图2是本专利技术判断硅块质量的方法的第二实施例流程示意图；图3是本专利技术判断硅块质量的方法的第三实施例流程示意图；图4是本专利技术判断硅块质量的方法的第四实施例流程示意图；图5是本专利技术实施例判断硅块质量的装置的组成示意图；图6是采用本专利技术第三实施例所述方法扫描硅块a得到的全少子寿命分布·图7是采用本专利技术第三实施例所述方法扫描硅块b得到的全少子寿命分布图；图8是图6所示全少子寿命分布图处理后得到的硅块a的灰度图；图9是图7所示全少子寿命分布图处理后得到的硅块b的灰度图；图10是图8所示灰度图处理后得到的硅块a从头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例趋势图；图11是图9所示灰度图处理后得到的硅块b从头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例趋势图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参照图1，为本专利技术判断硅块质量的方法的第一实施例流程示意图。所述判断硅块质量的方法包括以下步骤S101，扫描硅块得到所述硅块的全少子寿命分布图。其中，所述硅块为多晶硅块或类单晶硅块。S102，分析所述全少子寿命分布图得到所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例。S103，根据所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例判断所述硅块的质量。采用本实施例所述方法来判断硅块的质量，即根据所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例进行判断，取代以往的根据平均少子寿命来判断的方法，判断结果更加准确，且填补了对可切片区域质量表征的空白，有效地减少了低效硅片的产出。请参照图2，为本专利技术判断硅块质量的方法的第二实施例流程示意图。所述判断硅块质量的方法包括以下步骤S201，对所述硅块表面进行化学钝化处理。避免所述硅块在后续的检测过程中被氧化腐蚀以影响最终的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种判断硅块质量的方法，其特征在于，包括：扫描硅块得到所述硅块的全少子寿命分布图；分析所述全少子寿命分布图得到所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例；根据所述硅块中低少子寿命所占的比例及从所述硅块头部到尾部的各个区间内低少子寿命的比例判断所述硅块的质量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何亮，张涛，胡动力，刘俊，雷琦，鲁义铭，
申请(专利权)人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：