振荡电路制造技术

本发明专利技术涉及振荡电路。该振荡电路包括：MEMS振子，其具有隔着空隙配置的第1电极以及第2电极；放大部，其包括增益部和增益限制部，该增益部具有第1输入端子以及第1输出端子，且增益比1大，该增益限制部具有第2输入端子以及第2输出端子，且增益比1小；和输出端子，其与上述第1输出端子连接，上述第1电极与上述第1输入端子连接，上述第1输出端子与上述第2输入端子连接，上述第2输出端子与上述第2电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及振荡电路。
技术介绍
MEMS(Micro Electro Mechanical Systems :微电子机械系统)是微细构造体形成技术的一种，例如，指制造微米级的微细的电子机械系统的技术及其产品。人们正在开发利用MEMS技术制作的振动兀件(MEMS振子)。另外,也正在开发使用MEMS振·子的振荡电路。专利文献I中公开了一种使用了 MEMS振子的振荡器。专利文献I :日本特开2009-200888号公报与晶体振子、陶瓷振子相比，MEMS振子在功率大的信号作为输入信号被输入的情况下，通过特性容易失真。若通过特性失真，则容易引起频率漂移(频率不稳定)的现象。
技术实现思路
本专利技术的一些方式的目的之一在于提供一种抑制了输出信号的频率漂移的振荡电路。本专利技术的振荡电路包括MEMS振子，其具有隔开空隙配置的第I电极以及第2电极；放大部，其包括增益部和增益限制部，该增益部具有第I输入端子以及第I输出端子，且增益比I大，该增益限制部具有第2输入端子以及第2输出端子，且增益比I小；和输出端子，其与上述第I输出端子连接，上述第I电极与上述第I输入端子连接，上述第I输出端子与上述第2输入端子连接，上述第2输出端子与上述第2电极连接。所谓“连接”是指，电连接，不仅指直流式连接的情况，也包括交流式连接的情况。根据本专利技术，向MEMS振子输入的信号是增益比I小的增益限制部的输出信号，因此通过特性不易失真。从而，能够实现抑制了输出信号的频率漂移的振荡电路。另外，根据本专利技术，增益比I大的增益部的输出信号为振荡电路的输出信号，因此能够输出振幅大的信号。在本专利技术所涉及的振荡电路中，包括电压施加部，其向上述第I电极与上述第2电极之间施加偏压；和控制部，其对上述增益限制部以及上述电压施加部进行控制，上述控制部能够将上述增益限制部中增益、与上述电压施加部施加的上述偏压建立关联地控制。MEMS振子的通过特性的失真程度根据偏压的大小发生变化。根据本专利技术，控制部通过将增益限制部中的增益、与电压施加部施加的偏压建立关联地控制，从而能够实现进一步抑制了输出信号的频率漂移的振荡电路。在本专利技术所涉及的振荡电路中，上述控制部能够按照上述电压施加部施加的上述偏压越大，上述增益限制部中的增益越小的方式进行控制。MEMS振子具有偏压越大通过特性越容易失真的倾向。根据本专利技术，控制部通过按照电压施加部施加的偏压越大，增益限制部中的增益越小的方式进行控制，从而能够实现进一步抑制了输出信号的频率的漂移的振荡电路。附图说明图I是表示第I实施方式的振荡电路I的电路图。图2是表示放大部20的一个例子的电路图。 图3是表示MEMS振子10的通过特性的示意图。图4是表示第2实施方式的振荡电路2的电路图。图5是表示电压施加部40的一个例子的电路图。图6是表示增益限制部24的一个例子的电路图。图7是表示MEMS振子10的通过特性的示意图。图8是示意性地表示MEMS振子10的构成例的俯视图。 图9是示意性地表示MEMS振子10的构成例的剖视图。符号说明1、2振荡电路，10MEMS振子，11第I电极，12第2电极，20放大部，22增益部，24增益限制部，30输出端子，40电压施加部，41第I电压端子，42第2电压端子，50控制部，61、62电容器，71、72电容器，122支承部，124梁部，221第I输入端子，222第I输出端子，224、226倒相电路，241第2输入端子，242第2输出端子，402基准电压源，404运算放大器，1010基板，1012支承基板，1014第I基底层，1016第2基底层，GND接地电位，Icl, Ic2恒流源，Rl、R2、R3、RIO、R200、R201、R202、R20n、R300、R301、R302、R30n 电阻，R20、R30 可变电阻，SI、S2、S11、S12、S13、Sln 控制信号，TNU TN2、TN3、TNlU TN12、TN13、TNln, TN21、TN22、TN23、TN2n、TN31、TN32、TN33、TN34NM0S 晶体管，TP1、TP2、TP3、TP31、TP32、TP33PM0S 晶体管，Vdd电源电位。具体实施例方式以下，使用附图，对本专利技术的优选实施方式详细地进行说明。其中，以下说明的实施方式并没有不当地限定权利要求书所记载的本专利技术的内容。另外，以下所说明的构成的全部并非是本专利技术的必须构成要件。I.第I实施方式的振荡电路图I是表示第I实施方式的振荡电路I的电路图。第I实施方式的振荡电路I包括MEMS振子10，其具有隔着空隙配置的第I电极11以及第2电极12 ;放大部20，其包括增益部22和增益限制部24，该增益部22具有第I输入端子221以及第I输出端子222，且增益比I大，该增益限制部24具有第2输入端子241以及第2输出端子242，且增益比I小；输出端子30，其与第I输出端子222连接，第I电极11与第I输入端子221连接，第I输出端子222与第2输入端子241连接，第2输出端子242与第2电极12连接。在第I实施方式中，MEMS振子10是具有隔着空隙配置的第I电极11以及第2电极12的静电型的MEMS振子。关于MEMS振子10的构成例，将在“3. MEMS振子的构成例”项中详述。 放大部20利用比I大的增益对信号进行放大，以满足所希望的振荡条件。放大部20可以组合多个倒相电路(反转电路)、放大电路而构成。在图I所示的例子中，放大部20被构成为，以串联的方式连接增益比I大的增益部22、和增益比I小的增益限制部24。在图I所示的例子中，MEMS振子10的第I电极11与增益部22的第I输入端子221连接，增益部22的第I输出端子222与增益限制部24的第2输入端子241连接，增益限制部24的第2输出端子242与MEMS振子10的第2电极12连接。另外，输出端子30与增益部22的第I输出端子222和增益限制部24的第2输入端子241连接。图2是表示放大部20的一个例子的电路图。在图2所示的例子中，增益部22由倒相电路224与倒相电路226串联连接而构成，该倒相电路224被构成为，在从电源电位Vdd至接地电位GND之间，PMOS晶体管TPl与NMOS晶体管TNl串联连接，且PMOS晶体管TPl与NMOS晶体管TNl的栅极相互连接；该倒相电路226被构成为，在从电源电位Vdd至接地电位GND值之间，PMOS晶体管TP2与NMOS晶体管TN2串联连接，且PMOS晶体管TP2与NMOS晶体管TN2的栅极相互连接。在图2所示的例子中，增益限制部24由倒相电路构成，该倒相电路被构成为，在从电源电位Vdd至接地电位GND之间，恒流源IcUPMOS晶体管TP3、NM0S晶体管TN3、恒流源Ic2依次串联连接，且PMOS晶体管TP3与NMOS晶体管TN3的栅极相互连接。通过适当地设定恒流源Icl以及恒流源Ic2的电流值，能够将增益限制部24的增益设定为比I小。第I实施方式所涉及的振荡电路I可以构成为包括针对放大部20的反馈电阻。在图2所示的例子中，倒相电路224的输入端子与输出端子经由电阻Rl而连接，倒相电路226的输入端子与输出端子经由电阻R2而连接，增益限制部24的第2输入端子241与第2输出端子242经由电阻R3而连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种振荡电路，其特征在于，包括：MEMS振子，其具有隔着空隙配置的第1电极以及第2电极；放大部，其包括增益部和增益限制部，该增益部具有第1输入端子以及第1输出端子，且增益比1大，该增益限制部具有第2输入端子以及第2输出端子，且增益比1小；以及输出端子，其与上述第1输出端子连接，上述第1电极与上述第1输入端子连接，上述第1输出端子与上述第2输入端子连接，上述第2输出端子与上述第2电极连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：渡边彻，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：