本发明专利技术公开了一种晶片处理装置和晶片处理方法。晶片处理装置包括传输平台，所述传输平台包括用于传输晶片的腔体和设置于所述腔体内部的承载单元，所述承载单元用于承载晶片所述装置还包括：气体管路，所述气体管路设置于所述腔体上，且所述气体管路用于向所述腔体内部提供吹扫气体。本发明专利技术中气体管路提供的吹扫气体可以对晶片进行吹扫，以去除晶片表面的颗粒，避免了颗粒对晶片的污染，从而提高了工艺腔室对晶片进行工艺处理的良品率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子
，特别涉及一种。
技术介绍
在发光二极管(Light Emitting Diode,以下简称LED)芯片的制造过程中，干法刻蚀工艺用于实现晶片的图形化刻蚀和电极刻蚀，以达到增加出光效率和完成电极引线的目的。常用的实现干法刻蚀工艺的半导体设备包括真空传输腔室和与真空传输腔室连接的工艺腔室，其中，真空传输腔室可用于将晶片传输至工艺腔室中，工艺腔室可用于对晶片进行工艺操作。随着产能需求的提高，后期的半导体设备进一步地增加了与真空传输腔室连接的装卸载腔室，装卸载腔室可用于晶片的装载和卸载，通过该装卸载腔室可以进行小批量晶片的整盒生产。 真空传输腔室和装卸载腔室中均设置有承载单元，该承载单元用于承载晶片。真空传输腔室中该承载单元为机械手，根据功能需求的不同，该机械手可以为单轴、两轴或三轴机械手。装卸载腔室中该承载单元为晶片料盒。真空传输腔室通过设置于内部的机械手可实现将晶片从装卸载腔室中的晶片料盒中取出并传输至真空传输腔室中，且进一步将晶片传输至工艺腔室中，由工艺腔室对晶片进行工艺处理，例如刻蚀处理等。在实际生产过程中，大气环境中的颗粒极容易落到晶片的表面，造成对晶片的污染。并且在真空传输腔室将晶片传输至工艺腔室之前，无论是真空传输腔室中还是其它腔室中均不存在对晶片表面的颗粒进行去除的工艺，因此降低了工艺腔室对晶片进行工艺处理的良品率。
技术实现思路
本专利技术提供一种，用以提高工艺腔室对晶片进行工艺处理的良品率。为实现上述目的，本专利技术提供了一种晶片处理装置，包括传输平台，所述传输平台包括用于传输晶片的腔体和设置于所述腔体内部的承载单元，所述承载单元用于承载晶片，所述装置还包括气体管路，所述气体管路设置于所述腔体上，且所述气体管路用于向所述腔体内部提供吹扫气体。进一步地，所述传输平台包括真空传输腔室，且所述用于传输晶片的腔体为所述真空传输腔室的腔体，且所述承载单元包括机械手和设置于所述机械手上的晶片托盘。进一步地，所述传输平台包括装卸载腔室，所述用于传输晶片的腔体为所述装卸载腔室的腔体，且所述承载单元包括晶片料盒。进一步地，所述气体管路设置于所述腔体的顶部，并且所述气体管路的出气口穿通所述腔体顶部进入所述腔体内部以向所述腔体内部提供所述吹扫气体。进一步地，所述气体管路设置于所述腔体的侧面，并且所述气体管路的出气口穿通所述腔体侧面进入所述腔体内部以向所述腔体内部提供所述吹扫气体。进一步地，所述气体管路上设置有用于调节所述吹扫气体的流量的流量控制单元，且所述流量控制单元位于靠近所述气体管路的进气口的位置。进一步地，所述气体管路上还设置有气体流量计，所述气体流量计用于测量出所述气体管路内的吹扫气体的流量值，以供所述流量控制单元根据测量出的流量值对所述吹扫气体的流量进行调节。进一步地，所述气体管路上设置有温度测量单元，所述温度测量单元用于测量出所述气体管路内的吹扫气体的温度值，以使所述气体管路根据测量出的温度值向所述腔体内部提供温度为预设温度的吹扫气体，所述预设温度为所述吹扫气体根据反应腔室中所要进行的工艺处理的类型而被加热或冷却后的温度。进一步地，所述吹扫气体为惰性气体。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种应用上述晶片处理装置的晶片处理方法， 该方法包括将晶片传输进所述腔体；在预设时间内通过所述气体管路向所述腔体内部提供的吹扫气体对所述晶片进行吹扫；将晶片传输出所述腔体。本专利技术具有以下有益效果本专利技术提供的晶片处理装置包括传输平台和气体管路，该传输平台包括腔体和承载单元，承载单元用于传输晶片，气体管路设置于腔体上，气体管路用于向腔体内部提供吹扫气体。本专利技术的传输平台上设置有气体管路，气体管路提供的吹扫气体可用于对晶片进行吹扫，以去除晶片表面的颗粒，避免了颗粒对晶片的污染，从而提高了工艺腔室对晶片进行工艺处理的良品率。本专利技术提供的晶片处理方法中，将晶片传输进腔体，在预设时间内通过气体管路向腔体内部提供的吹扫气体对晶片进行吹扫，将晶片传输出腔体。本专利技术中气体管路提供的吹扫气体可以对晶片进行吹扫，以去除晶片表面的颗粒，避免了颗粒对晶片的污染，从而提高了工艺腔室对晶片进行工艺处理的良品率。附图说明图I为本专利技术实施例一提供的一种晶片处理装置的俯视示意图；图2为图I中晶片处理装置的侧视示意图；图3为本专利技术实施例二提供的一种晶片处理装置的俯视示意图；图4为本专利技术实施例三提供了的一种晶片处理方法的流程图。具体实施例方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的进行详细描述。图I为本专利技术实施例一提供的一种晶片处理装置的俯视示意图，图2为图I中晶片处理装置的侧视示意图，如图I和图2所示，该晶片处理装置包括传输平台和气体管路8，传输平台包括用于传输晶片的腔体I和设置于腔体I内部的承载单元，承载单元用于承载晶片11，气体管路8设置于腔体I上，气体管路8用于向腔体I内部提供吹扫气体。气体管路8内可通入吹扫气体，并向腔体I内部提供该吹扫气体,该吹扫气体可用于对晶片11进行吹扫，从而去除晶片11表面的颗粒。并且，该吹扫气体还可以用于对承载单元进行吹扫，从而去除承载单元上附着的颗粒。本专利技术中，传输平台可以包括真空传输腔室或者装卸载腔室。本实施例中的传输平台为真空传输腔室，用于传输晶片的腔体I为真空传输腔室的腔体，承载单元包括机械手和设置于机械手上的晶片托盘4，晶片托盘4上放置有晶片11。则吹扫气体在对晶片11进行吹扫的同时，还可以用于对晶片托盘4进行吹扫，以去除晶片托盘4上附着的颗粒。晶片托盘4上设置有晶片槽位41 (如图I所示，图2中未示出)，晶片11放置于晶片槽位41中。需要说明的是为清楚的表示出晶片槽位41的结构，图I中未画出位于晶片槽位41中的晶片11，并且也未画出具体的气路通道和气路通道上设置的各种装置。进一步地，为防止吹扫气体对晶片进行吹扫过程中晶片槽位41中的晶片11发生移动，还可以在晶片托盘41上放置晶片盖板，该晶片盖板用于压紧晶片11，使晶片11牢固的位于晶片槽 位41中。其中，机械手包括机械手臂2和设置于机械手臂2上的机械手指3，机械手指3上设置有晶片托盘4。机械手指3用于承载晶片托盘4。其中，机械手臂2可以实现旋转和伸缩，以带动机械手指3运动，从而实现对晶片托盘41的取放和搬运。则进一步地，腔体I上设置有抽气管路5和进气管路6，抽气管路5用于对腔体I进行抽真空处理，进气管路6用于向腔体I通入气体，通过抽气管路5和进气管路6可实现腔体I内部真空状态和大气状态的切换。进一步地，腔体I的两个侧面还分别连接有门阀7，腔体I可通过门阀7分别和工艺腔室以及装卸载腔室连接，门阀7可控制腔体I和工艺腔室之间连通或隔离，以及控制腔体I和装卸载腔室之间连通或者隔离，其中工艺腔室和装卸载腔室在图中未具体示出。进一步地，本实施例中的传输平台还可以为装卸载腔室，用于传输晶片的腔体I为装卸载腔室的腔体，则承载单元可包括晶片料盒。该晶片料盒中承载有晶片。进一步地，该承载单元还可以包括用于使晶片料盒升降运动的升降单元。则吹扫气体在对晶片进行吹扫的同时，还可以用于对晶片料盒进行吹扫，以去除晶片料盒上附着的颗粒。进一步地，装卸载腔室的腔体的两个侧面还分别连接有门阀，腔体可通过位于一个侧面的门阀和真空传输本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶片处理装置，包括传输平台，所述传输平台包括用于传输晶片的腔体和设置于所述腔体内部的承载单元，所述承载单元用于承载晶片，其特征在于，所述装置还包括：气体管路，所述气体管路设置于所述腔体上，且所述气体管路用于向所述腔体内部提供吹扫气体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李谦，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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