微机电半导体器件及其制造方法技术

一种微机电半导体器件，具有：第一半导体衬底(1)，其具有上侧；以及第二半导体衬底(5)，其具有上侧。两个半导体衬底(1，5)在其上侧上靠置地接合。空腔(4)引入所述两个半导体衬底(1，5)的至少之一的上侧中。空腔(4)通过由两个半导体衬底(1，5)形成的对置的顶壁和底部壁以及侧壁(3)来限定。顶壁或者底部壁作为能够可逆地变形的膜来起作用，并且在空腔(4)的这两个壁的另外的壁中设置有通过有关的半导体衬底(1，5)延伸的开口(98)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：贝恩德·伯查德，
申请(专利权)人：艾尔默斯半导体股份公司，
类型：发明
国别省市：