本发明专利技术公开了一种30瓦9dB衰减片，其包括一氮化铝基板，所述氮化铝基板具有优良的厚膜特性，所述氮化铝基板的正面印刷4重厚膜浆料，所述厚膜浆料分别为导体浆料，膜状电阻浆料，电阻保护膜浆料，电路保护浆料，所述导线浆料通过特定的排布得到优良的驻波特性，所述膜状电阻通过精确的阻值控制得到精准的衰减值。该衰减片在案设计上充分考虑了各项性能指标，高频无感，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，能够满足目前3G网络的应用要求，同时延伸了30瓦固定电阻式衰减片的系列产品线。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种衰减片,特别涉及一种30瓦9dB的衰减片。
技术介绍
目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，大功率陶瓷负载片则只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时的监控，当基站工作发生故障时无法及时地作出判断，对设备没有保护作用。集合了三种电阻设计的衰减片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。由于氮化铝陶瓷仍然属于新兴行业，故在产品线上没有呈现多样化的格局。同时市场上存在的衰减片其衰减精度大多只能做到IG频率以内，少数能做到2G，且衰减精度和设备配备的VSWR较难控制。而市场对衰减精度的要求很高，我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。目前市场上的衰减片当使用频段高于2G时，其衰减精度达不到要求，回波损耗变大，满足不了 2G以上的频段应用要求。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术要解决的技术问题是提供一种阻抗满足50± I. 5 Q，在3G频段以内衰减精度为9±0. 5dB,驻波要求输入端在I. 2以内，输出端在I. 25以内，能够满足目前3G网络的应用要求的30瓦9dB衰减片。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案一种30瓦9dB衰减片，其特征在于其包括一氮化铝基板，所述氮化铝基板具有优良的厚膜特性，所述氮化铝基板的正面印刷4重厚膜浆料，所述厚膜浆料分别为导体浆料，膜状电阻浆料，电阻保护膜浆料，电路保护浆料，所述导线浆料通过特定的排布得到优良的驻波特性，所述膜状电阻通过精确的阻值控制得到精准的衰减值.所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。优选的，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。优选的，所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。上述技术方案具有如下有益效果该氮化铝陶瓷基板30瓦9dB衰减片让衰减电路处于一个完全对称的状态，使得电路的稳定性得到提升，同时客户在使用时不需要刻意的区分输入端和输出端，极大的方便了客户，也减少了客户在生产中因为输入输出端焊接错误导致不良品的产生体现了人性化防呆设计，并兼顾了固定电阻式衰减片的各项指标，增加了功率容量，扩大了产品线的范围，也打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。同时不同衰减值的系列产品线扩大了使用范围，给市场多种的选择。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。附图说明图I为本专利技术实施例的结构示意图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细介绍。如图I所示，该30瓦9dB衰减片包括一氮化铝基板1，氮化铝基板I的背面印刷有背导层，氮化铝基板I的正面印刷有导线2及膜状电阻R1、R2、R3，电阻R1、R2、R3通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过银浆与背导层电连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿氮化铝基板的中心线对称，衰减电路的输出端与一焊盘5连接，输入端与一焊盘6连接，两个焊盘5、6沿氮化铝基板的中心线对称。电阻Rl、R2、R3上印刷有电阻保护膜3，导 线2及电阻保护膜3的上表面还印刷有一层电路保护膜4，这样可对导线2及电阻Rl、R2、R3形成保护。该30瓦9dB衰减片要求输入端和接地的阻抗为50± I. 5 Q，输出端和接地端的阻抗为50±1. 5Q。信号输入端进入衰减片，经过电阻Rl、R3、R2对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号，该30瓦9dB衰减片让衰减电路处于一个完全对称的状态，使得电路的稳定性得到提升，同时客户在使用时不需要刻意的区分输入端和输出端，极大的方便了客户，也减少了客户在生产中因为输入输出端焊接错误导致不良品的产生体现了人性化防呆设计，并兼顾了固定电阻式衰减片的各项指标，增加了功率容量，扩大了产品线的范围，也打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于2G-3G的网络。同时不同衰减值的系列产品线扩大了使用范围，给市场多种的选择。以上对本专利技术实施例所提供的一种30瓦9dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本专利技术实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制，凡依本专利技术设计思想所做的任何改变都在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种30瓦9dB衰减片，其特征在于其包括一氮化铝基板，所述氮化铝基板具有优良的厚膜特性，所述氮化铝基板的正面印刷4重厚膜浆料，所述厚膜浆料分别为导体浆料，膜状电阻浆料，电阻保护膜浆料，电路保护浆料，所述导线浆料通过特定的排布得到优良的驻波特性，所述膜状电阻通过精确的阻值控制得到精准的衰减值.所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。2.根据权利要求I所述的氮化铝陶瓷基板30瓦9dB衰减片，其特征在于所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。3.根据权利要求I所述的氮化铝陶瓷基板30瓦9dB衰减片，其特征在于所述导线需采用高温烧结使陶瓷基板金属化形成电路。全文摘要本专利技术公开了一种30瓦9dB衰减片，其包括一氮化铝基板，所述氮化铝基板具有优良的厚膜特性，所述氮化铝基板的正面印刷4重厚膜浆料，所述厚膜浆料分别为导体浆料，膜状电阻浆料，电阻保护膜浆料，电路保护浆料，所述导线浆料通过特定的排布得到优良的驻波特性，所述膜状电阻通过精确的阻值控制得到精准的衰减值。该衰减片在案设计上充分考虑了各项性能指标，高频无感，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，能够满足目前3G网络的应用要求，同时延伸了30瓦固定电阻式衰减片的系列产品线。文档编号H01P1/22GK102738546SQ201210218500公开日2012年10月17日 申请日期2012年6月29日 优先权日2012年6月29日专利技术者陈建良 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种30瓦9dB衰减片，其特征在于：其包括一氮化铝基板，所述氮化铝基板具有优良的厚膜特性，所述氮化铝基板的正面印刷4重厚膜浆料，所述厚膜浆料分别为导体浆料，膜状电阻浆料，电阻保护膜浆料，电路保护浆料，所述导线浆料通过特定的排布得到优良的驻波特性，所述膜状电阻通过精确的阻值控制得到精准的衰减值.所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建良，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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