本发明专利技术涉及显示装置和电子设备，其中，该显示装置其包括：基板、显示元件、作为显示元件的驱动元件的晶体管、以及保持对应于视频信号的电荷的电容保持元件。显示元件、晶体管和电容保持元件设置在基板上。该电容保持元件包括：包含氧化物半导体的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第一导电膜、设置在第一半导体层与第一导电膜之间的第一绝缘膜、以及通过在第一半导体层上的选择性区域中去除第一导电膜和第一绝缘膜的厚度的一部分或全部而形成的凹槽。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及优选用于有机电致发光(EL)显示装置和液晶显示装置的显示装置，并涉及包括该显示装置的电子设备。
技术介绍
在有源驱动液晶显示装置或有机电致发光显示装置中，薄膜晶体管被用作驱动元件，且电容保持元件保持与用于写入视频图像的信号电压相对应的电荷。如果在薄膜晶体管的栅电极与其源或漏电极的交叉区域中寄生电容增加，则可发生信号电压的变化，导致图像质量劣化。特别地，有机电致发光显示装置需要具有用于大寄生电容的大保持电容，导致像素布局中配线占据率的増加。这导致配线间短路等的概率增加，并导致成品率降低。 在过去，人们试图对于包括诸如氧化锌(ZnO)或氧化铟镓锌(IGZO)的氧化物半导体作为沟道的薄膜晶体管减小寄生电容，该寄生电容在栅电极与源或漏电极的交叉区域中形成。例如，日本未审查专利申请公开第2007-220817号和J. Park等人的“Self-Aligned Top-Gate Amorphous Gallium Indium Zinc Oxide Thin FilmTransistors，，，Applied Physics Letters，American Institute of Physics，2008，93，053501描述了自对准顶栅薄膜晶体管，其中，栅电极和栅极绝缘膜以相同的形状在氧化物半导体薄膜层的沟道区域上形成，然后氧化物半导体薄膜层的没有被栅电极和栅极绝缘膜覆盖的区域的电阻减小，以使得该区域形成为源/漏区。R. Hayashi等人的“ImpiOvedAmorphous In-Ga-Zn-OTFTs”，SID 08DIGEST, 2008,42. 1，ρρ· 621-624 描述了自对准底栅薄膜晶体管，其中，源极和漏极区通过以栅电极作为掩膜的背面曝光而在氧化物半导体膜中形成。
技术实现思路
如上所述与包括氧化物半导体的晶体管一起设置在基板上的电容保持元件旨在保持抑制图像质量劣化所需的电容。期望提供能够抑制图像质量劣化的显示装置以及包括该显示装置的电子设备。根据本专利技术实施方式的一种显示装置包括基板，并且包括显示元件、作为显示元件的驱动元件的晶体管、以及保持对应于视频信号的电荷的保持电容。显示元件、晶体管和电容保持元件设置在基板上。电容保持元件包括包含氧化物半导体的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第一导电膜、设置在第一半导体层与第一导电膜之间的第一绝缘膜、以及通过在第一半导体层上的选择性区域中去除第一导电膜和第一绝缘膜的厚度的一部分或全部而形成的凹槽。根据本专利技术实施方式的ー种电子设备包括显示装置，该显示装置包括基板，并且包括在基板上的显示元件、作为显示元件驱动元件的晶体管、以及保持对应于视频信号的电荷的保持电容。电容保持元件包括包含氧化物半导体的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第一导电膜、设置在第一半导体层与第一导电膜之间的第一绝缘膜、以及通过在第一半导体层上的选择性区域中去除第一导电膜和第一绝缘膜的厚度的一部分或全部而形成的凹槽。在根据本专利技术实施方式的显示装置和电子设备中，与显示元件和晶体管一起设置在基板上的电容保持元件具有在包含氧化物半导体的第一半导体层上的第一导电膜，其间介有第一绝缘膜，并且具有通过在第一半导体层上的选择性区域中去除第一导电膜和第一绝缘膜的厚度的一部分或全部而形成的凹槽。氧易于通过凹槽从第一半导体层的氧化物半导体脱离。这可抑制电容保持元件的依赖于所施加的电压的电容变化。根据本专利技术实施方式的显示装置和电子设备，与显示元件和晶体管一起设置在基板上的电容保持元件具有在包含氧化物半导体的第一半导体层上的第一导电膜，其间介有第一绝缘膜，并具有通过在第一半导体层上的选择性区域中去除第一导电膜和第一绝缘膜的厚度的一部分或全部而形成的凹槽。这可抑制电容保持元件的依赖于所施加的电压的电容变化，从而保持电容元件可保持所需电容。结果，可抑制图像质量下降。 应该理解前面的概述和下面的详细说明是示例性的，且g在提供对所要求保护技术的进ー步解释。附图说明所包括的附图提供对本专利技术的进ー步理解，并包含在本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出了实施方式并和说明书一起用来解释本技术的原理。图I示出根据本专利技术实施方式的有机电致发光显示装置的截面结构。图2以放大方式示出了图I中表示的电容保持元件的截面结构。图3A和图3B是图I中示出的电容保持元件的示意性平面图。图4示出了图I中所示的有机电致发光显示装置及其外围电路的整体结构。图5示出了图4中所示的像素的电路结构。图6A和图6B示出了图I中所示有机电致发光显示装置的制造处理的顺序步骤。图7A和图7B示出了图6B中的步骤之后的步骤。图8A和图8B示出了图7B中的步骤之后的步骤。图9A和图9B示出了图8B中的步骤之后的步骤。图10是示出了根据比较例I的电容保持元件的截面结构的示意图。图IlA和图IlB是示出了根据比较例2的电容保持元件的截面结构和平面结构的示意图。图12是示出了比较例中电容对电压的变化的特性图。图13是示出了实施方式中电容对电压的变化的特性图。图14是示出了凹槽间距离和阈值电压之间关系的特性图。图15示出了根据修改例的液晶显示装置的截面结构。图16是示出了具有显示装置的模块的示意性结构的平面图。图17是示出了应用例的I外观的透视图。图18A是示出了从前侧观看的应用例2的外观的透视图，并且图18B是示出了从后侧观看的应用例2的外观的透视图。图19是示出了应用例3的外观的透视图。图20是示出应用例4的外观的透视图。图21A是应用例5处于打开状态的前视图，图21B是其侧视图，图21C是其处于闭合状态的前视图，图21D是其左侧视图，图21E是其右侧视图，图21F是其顶视图，以及图2IG是其底视图。图22k和图22B示出根据其他实例的电容保持元件的截面结构。具体实施例方式下面将參考附图说明本专利技术的实施方式。说明是按以下顺序进行的。 I.实施方式(具有利用氧化物半导体的电容保持元件的有机EL显示装置的实例)。2.修改例(具有利用氧化物半导体的电容保持元件的液晶显示装置的实例)。3.应用例(模块和电子设备的实例)图I示出了根据本专利技术的实施方式的显示装置(有机EL显示装置I)的截面结构。有机EL显示装置I包括例如以有源矩阵驱动方法驱动的多个像素(有机EL元件10A)。应注意，图I仅示出对应于一个像素(子像素)的区域。在有机EL显示装置I中，例如，晶体管IOB和电容保持元件IOC设置在基板10上，且有机EL元件IOA设置在这些部件上。有机EL元件IOA是通过例如保护层22密封的，且密封基板23附着到保护层22上，其间介有未示出的粘接层。发光型的有机EL显示装置I可以是所谓的顶发光型或底发光型。有机EL元件10A、晶体管IOB和电容保持元件IOC中姆ー个的结构在下面具体说明。有机EL元件IOA在第一电极18上具有像素隔离膜19，该像素隔离膜具有用于各个像素的开ロ，并在像素隔离膜19的开口中具有有机层20。第二电极21设置在有机层20上。例如，为每个像素设置用作阳极的第一电极18。在底发光型中，第一电极18由透明导电膜构成，例如包括氧化铟锡(Ι )、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锌(InZnO)中的ー种的单层膜或包括其中两种以上的堆叠膜。在顶发光型本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，包括：基板；显示元件；晶体管，作为所述显示元件的驱动元件；以及电容保持元件，保持对应于视频信号的电荷，其中，所述显示元件、所述晶体管以及所述电容保持元件设置在所述基板上，并且所述电容保持元件包括：第一半导体层，包含氧化物半导体，第一导电膜，设置在所述第一半导体层上，第一绝缘膜，设置在所述第一半导体层和所述第一导电膜之间，以及凹槽，通过在所述第一半导体层上的选择性区域中去除所述第一导电膜和所述第一绝缘膜的厚度的一部分或全部而形成。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：诸沢成浩，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
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