晶片封装体及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种晶片封装体及其制作方法，该晶片封装体的制作方法包括提供一半导体晶圆，其具有多个元件区，且元件区之间间隔有多个切割道；将一封装基板接合至半导体晶圆，其中封装基板与半导体晶圆之间具有一间隔层，间隔层定义出多个空腔，空腔分别露出元件区，且间隔层具有多个贯穿孔，贯穿孔邻近半导体晶圆的外缘，且贯穿孔中填入一粘着材料，间隔层具有粘性且间隔层的材质不同于粘着材料；以及沿着切割道切割半导体晶圆、封装基板与间隔层，以形成多个彼此分离的晶片封装体。本发明专利技术可改善晶圆切割制程的可靠度以及提升晶片封装制程的制程良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于晶片封装体，且特别是有关于晶圆级封装的。
技术介绍
晶片封装体用以保护封装于其中的晶片，并提供晶片与外部电子元件之间的导电通路。在现行晶圆级封装制程中，位于晶圆外围的晶片封装体可能有接合度不佳及/或易受水气入侵的问题，其影响所封装的晶片的效能非常巨大。因此，业界亟需提升晶片封装体的可靠度。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶片封装体的制作方法，包括提供一半导体晶圆，半导体晶圆具有多个元件区，且元件区之间间隔有多个切割道；将一封装基板接合至半导体晶圆，其中封装基板与半导体晶圆之间具有一间隔层，间隔层定义出多个空腔，空腔分别露出元件区，且间隔层具有多个贯穿孔，贯穿孔邻近半导体晶圆的外缘，且贯穿孔中填入一粘着材料，间隔层具有粘性且间隔层的材质不同于粘着材料；以及沿着切割道切割半导体晶圆、封装基板与间隔层，以形成多个彼此分离的晶片封装体。本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，所述贯穿孔位于任两相邻的元件区之间。本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，所述贯穿孔位于所述切割道上，且切割该半导体晶圆、该封装基板与该间隔层的步骤包括沿着所述切割道切割位于所述贯穿孔中的该粘着材料。本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，所述贯穿孔包括至少二排彼此平行的贯穿孔，该二排贯穿孔分别位于所述切割道其中之一的相对二侧，且切割该半导体晶圆、该封装基板与该间隔层的步骤包括沿着该切割道切割该间隔层的位于该二排贯穿孔之间的部分。本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，该间隔层包括一外环部，该外环部邻近该半导体晶圆的外缘，且所述贯穿孔位于该外环部。本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，该间隔层还包括多个内环结构，所述内环结构分别位于所述空腔中，并分别围绕所述空腔所露出的所述元件区，且所述贯穿孔贯穿所述内环结构。本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，该间隔层还具有多个第二贯穿孔，所述第二贯穿孔邻近该半导体晶圆的中心，该晶片封装体的制作方法还包括于所述第二贯穿孔中填入该粘着材料。本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，该粘着材料的粘性大于该间隔层的粘性。本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，该粘着材料的硬度小于该间隔层的硬度。本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，还包括在所述贯穿孔中填入该粘着材料并接合该半导体晶圆与该封装基板之后，对该间隔层与该粘着材料进行一加热固化制程，以固化该间隔层与该粘着材料。本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，该间隔层还具有一沟槽，该沟槽贯穿该间隔层并位于所述切割道上，该晶片封装体的制作方法还包括于该沟槽中填入该粘着材料，其中，切割该半导体晶圆、该封装基板与该间隔层的步骤包括沿着所述切割道切割位于该沟槽中的该粘着材料。本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，所述贯穿孔包括至少二排彼此平行的贯穿孔，且该沟槽位于该二排贯穿孔之间。本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，该间隔层还具有多个环状沟槽，各该环状沟槽贯穿该间隔层并围绕对应的该空腔，该晶片封装体的制作方法还包括于所述环状沟槽中填入该粘着材料。 本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，所述贯穿孔位于所述切割道上，并位于任两相邻的环状沟槽之间，且切割该半导体晶圆、该封装基板与该间隔层的步骤包括沿着所述切割道切割位于所述贯穿孔中的该粘着材料。本专利技术所述的晶片封装体的制作方法，该间隔层包括一外环部，该外环部邻近该半导体晶圆的外缘，且该间隔层还具有一外环沟槽，该外环沟槽呈环状，该外环沟槽贯穿该间隔层且位于该外环部。本专利技术另一提供一种晶片封装体，包括一半导体基板，具有一元件区；一封装基板，配置于半导体基板上；一间隔层，配置于半导体基板与封装基板之间，且间隔层定义出一空腔，空腔露出元件区；以及多个彼此独立的粘结结构，镶嵌于间隔层中并位于空腔外，其中间隔层的材质不同于粘结结构的材质。本专利技术所述的晶片封装体，该间隔层具有一侧壁，该侧壁朝向远离该空腔的方向，该侧壁具有多个自该半导体基板延伸至该封装基板的凹槽，且所述粘结结构分别填充于所述凹槽中。 本专利技术所述的晶片封装体，各该粘结结构具有一第二侧壁，该第二侧壁朝向远离该空腔的方向并与该间隔层的该侧壁平齐。本专利技术所述的晶片封装体，该间隔层具有多个贯穿孔，且所述粘结结构分别填入所述贯穿孔中。本专利技术所述的晶片封装体，该间隔层还包括一内环结构，该内环结构位于该空腔中并具有多个贯穿孔，该晶片封装体还包括多个彼此独立的第二粘结结构，分别填入所述贯穿孔中，其中该间隔层的材质不同于所述第二粘结结构的材质。本专利技术所述的晶片封装体，该间隔层接触该半导体基板与该封装基板。本专利技术所述的晶片封装体，各该粘结结构自该半导体基板延伸至该封装基板。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一连续的环状粘结结构，环绕包覆该间隔层的侧壁，且位于该空腔外。本专利技术所述的晶片封装体，该间隔层具有一环状沟槽，该环状沟槽贯穿该间隔层且环绕该空腔，该晶片封装体还包括一连续的环状粘结结构，填充于该环状沟槽中。本专利技术所述的可改善晶圆切割制程的可靠度以及提升晶片封装制程的制程良率。附图说明图IA至图IC绘示本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。图2绘示图IB的俯视图。图3A至图3B绘示本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。图4绘示图3B的晶片封装体的立体示意图。图5绘示图3 A的俯视图。图6绘示图5的实施例的另一种变化。图7A至图7B绘示本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。图8绘示图7A的俯视图。图9A至图9B绘示本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。图10绘示图9B的晶片封装体的立体示意图。图11绘示图9A的俯视图。图12A至图12B绘示本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。图13绘示图12B的晶片封装体的立体示意图。图14绘示图12A的俯视图。图15至图16绘示本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。图17至图18绘示本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。附图中符号的简单说明如下100、300、700、900、1200、1600、1800 :晶片封装体；110 :半导体晶圆；110a :半导体基板；112 :兀件区；114 :中心区；116 :周边区；120 :封装基板；120a :(切割后的)封装基板;130 :间隔层;130a、130b、130c、130d、130e :(切割后的)间隔层；132 :外环部；134 :分隔部；136 :内环结构；138、F :侧壁；140 :粘着材料；140a :粘结结构；140b、140c :环状粘结结构；A :沟槽；B :外环沟槽；C :空腔；D :环状沟槽;H :空心贯穿孔；P :外缘；R :凹槽；S :切割道;T :贯穿孔。具体实施例方式以下将详细说明本专利技术实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本专利技术提供许多可供应用的专利技术概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本专利技术的特定方式，非用以限制本专利技术的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。在图式中，实施例的形状或是厚度可扩大，以简化或是方便标示。再者，图中未绘示或描述的元件，为所属技术领本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装体的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体晶圆，该半导体晶圆具有多个元件区，且所述元件区之间间隔有多个切割道；将一封装基板接合至该半导体晶圆，其中该封装基板与该半导体晶圆之间具有一间隔层，该间隔层定义出多个空腔，所述空腔分别露出所述元件区，且该间隔层具有多个贯穿孔，所述贯穿孔邻近该半导体晶圆的外缘，且所述贯穿孔中填入一粘着材料，该间隔层具有粘性且该间隔层的材质不同于该粘着材料；以及沿着所述切割道切割该半导体晶圆、该封装基板与该间隔层，以形成多个彼此分离的晶片封装体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：颜裕林，刘国华，黄玉龙，刘沧宇，何彦仕，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：