本发明专利技术公开了一种形成标准光掩模的方法及装置与使用检测系统，该方法方法用于一检测系统，包括：在一反应室内提供一基板；在反应室内提供一四乙基正硅酸盐(TEOS)先驱物；以及使TEOS先驱物与一电子束反应以在基板的一或多个可控位置形成可控大小的多个氧化硅微粒，氧化硅微粒可作为多个模拟污染缺陷。本发明专利技术提供了有效测试工具以检定工具性能、调整方法(recipe?tuning)以及工具评估。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板检测，特别是涉及标准光掩模的基板污染检测。
技术介绍
基板处理，例如在半导体晶片制造，常需要基板无缺陷，缺陷检测系统常被当作是制造工艺的一部分，用以在基板上确定缺陷位置。某些类型的缺陷检测系统会利用一聚苯乙烯胶(polystyrene latex,以下简称PSL)层的沉积作校准,并且该PSL作为一已知分散信号源。放射线会被导向一校准样本基板，其中该校准样本基板上具有一已知大小分布的PSL层。测量到的PSL层分散的放射线强度可被用以作为一基准，该基准可比对缺陷检测系统的响应与已知分散源。将PSL层的沉积作为一已知分散信号源，可在由PSL层而来的分散信号之间进行有意义的比较，就像是通过检测亮场或暗场扫描表面的不同检测系统所做出的比较，该样本基板具有未知单位与真实大小的真实表面缺陷。该方法为量化系统性能 提供一基础，该基础与一些系数如灵敏度、重复性以及捕获率有关。当半导体集成电路的尺寸变小，越来越小的缺陷检测变得更为重要。因此，较短波长的放射线可被用以检测较小缺陷。根据此需求，缺陷检测系统可将PSL校准目标暴露在257纳米或更短波长的放射线中，此放射线已被观察出会使得校准表面检查系统所使用的传统PSL层产生退化，这使得PSL校准目标需要重镀或置换，而导致额外的成本耗损以及停机时间。
技术实现思路
本专利技术提供一种形成标准光掩模的方法，用于一检测统，包括在一反应室内提供一基板；在反应室内提供一四乙基正硅酸盐(TEOS)先驱物；以及使TEOS先驱物与一电子束反应以在基板的一或多个可控位置形成可控大小的多个氧化硅微粒，氧化硅微粒可作为多个模拟污染缺陷。本专利技术提供一种使用检测系统的方法，包括提供一标准光掩模，包括一基板；以及可控大小的多个氧化硅微粒，其中氧化硅微粒通过一 TEOS先驱物与一电子束的一反应形成在基板上的一或多个可控位置，氧化硅微粒可为已知特性的多个模拟污染缺陷；使用检测系统检测标准光掩模，其中标准光掩模暴露在波长小于260纳米的一放射线中；使用检测系统通过比较被标准光掩模反射的放射线检测式样与一第一被预测式样，或通过比较通过标准光掩模的放射线检测式样与一第二被预测式样以决定模拟污染缺陷；以及用已决定的模拟污染缺陷校准检测系统。本专利技术提供一种形成标准光掩模的装置，包括一反应室，包括一基板；一TE0S源，耦接至反应室，用以在反应室内提供一 TEOS先驱物；以及一电子束源，耦接至反应室；其中电子束源用以在反应室内提供一电子束，电子束与TEOS先驱物反应，用以在基板上的一或多个可控位置形成可控大小的多个氧化硅微粒，氧化硅微粒可为多个模拟污染缺陷。本专利技术的实施例提供了有效测试工具以检定工具性能、调整方法(recipetuning)以及工具评估。附图说明图I所示为检测系统的截面形状示意图；图2A与图2B所示为形成标准光掩模的截面示意图；图2C至图2E所示为氧化硅微粒形成在透明区域、暗区域、边缘光掩模式样区域的一或多个可控位置的示意图；图3A至图3D所示为制作式样缺陷光掩模的截面示意图； 图4用以说明一式样缺陷光掩模的污染模式校准；图5所示为形成标准光掩模的流程图；图6所示为实现本专利技术的计算环境。主要附图标记说明100 扫描平面检测系统(SSIS) ; 102 放射线源；104 入射放射线；106 波束操控结构；108、202、408 基板；110 音频扫描器；112 波束复制器；114 光学循环器；116 像素滤波器；118 转塔；120 图像物镜；122 集光系统；123 缺陷；124、126 感光元件；125、127 图像；129 图征；200 系统；203 反应室；204 电子束源；206 TEOS源；208、310、312 氧化硅微粒； 210 透明区域；212 暗区域；214 边缘区域；302 不透明层；303 洞；304 相位位移层；306 光学透射基板；305、307 被移除部分；400 检测系统；402 光照源；404 波束操控子系统；406 透射发光器；409 网线式样；410 图像物镜；412 变焦透镜；414 图像感知器；416 光学路径；418 反射发光器；420 分光镜；425、427 高解析度图像；500 方法；502、504、506、508 步骤；600 计算环境；610 网络；620 服务器；630 存储单元；640、650、660 用户端。具体实施方式可以了解的是，下述内容提供许多不同的实施例或是范例，以实施本专利技术的不同特征。为简洁起见，以下将以特定构件与排列举例说明。当然，在此仅用以作为范例，并非用以限定本专利技术。再者，当以下述及一第一元件形成于一第二元件之上或上时，可包括第一元件与第二元件为直接接触形成的实施例、以及有放置其他元件于第一元件与第二元件之间的实施例，如此第一元件可不与第二元件直接接触。为简化与清楚说明起见，可以任意地以不同的尺寸绘示各种结构。虽然本专利技术已以具体细节公开如下，然其并非用以限定本专利技术，任何熟习此技艺者，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本专利技术的保护范围当视所附的权利要求所界定的范围为准。本专利技术实施例是使用模拟污染缺陷对基板检测工具进行校正，其中模拟污染缺陷可稳定地长时间暴露在紫外线中。缺陷检测系统的校准与暴露基板表面的模拟缺陷至放射线中有很大的相关性，该放射线的波长要足够短以至于能被模拟缺陷分散。测量到的通过模拟缺陷分散的放射线的强度与氧化硅微粒的公称大小有相关性。接着，进行利用模 拟缺陷的校准，可参考如 ASTM 标准F1620-96” Standard Practice for Calibrating aScanning Surface Inspection System Using Monodisperse Polystyrene Latex SpheresDeposited on Polished or Epitaxial Wafer Surfaces， ASTM international 2003” 中的描述所实现。校准后，系统可被用以测量来自测试基板上的定位光线分散体的分散信号。起初，分散信号可用胶层等效(latex sphere equivalent, LSE)表示,其作为单一分布聚苯乙烯胶层的直径，该单一分布聚苯乙烯胶层在同样的测试环境中产生与定位光分散(localizedlight scatter,HS)的相同的分散强度。在本专利技术的实施例中，分散信号可用模拟污染缺陷等效值(simulated contamination defect equivalent, SCDE)表不,其为模拟污染缺陷层的直径，该模拟污染缺陷层在同样的测试环境中产生与定位光分散的相同的分散强度。举例而言，图I为扫描平面检测系统(scanning surface inspection system,以下简称SSISUOO的示意图，描述一样本检测系统的一通用设定的例子，该样本检测系统可被用在本专利技术实施例中。举例而言，SSIS 100可为一亮场(bright field)图像系统。此夕卜，本专利技术的实施例也可被用于其他亮场图像系统设计。下面图4中的范例为另一种实现方法。此外，本专利技术某些实施例也使用暗场(dark fi本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种形成标准光掩模的方法，用于一检测系统，包括：在一反应室内提供一基板；在该反应室内提供一四乙基正硅酸盐先驱物；以及使该TEOS先驱物与一电子束反应以在该基板的一或多个可控位置形成可控大小的多个氧化硅微粒，所述多个氧化硅微粒可作为多个模拟污染缺陷。
【技术特征摘要】
2011.04.13 US 13/085,7311.一种形成标准光掩模的方法，用于一检测系统，包括 在一反应室内提供一基板； 在该反应室内提供一四乙基正硅酸盐先驱物；以及 使该TEOS先驱物与一电子束反应以在该基板的一或多个可控位置形成可控大小的多个氧化硅微粒，所述多个氧化硅微粒可作为多个模拟污染缺陷。2.如权利要求I所述的形成标准光掩模的方法，其中提供该基板的步骤包括提供一光掩模或一晶片。3.如权利要求I所述的形成标准光掩模的方法，其中所述多个氧化硅微粒比起多个聚苯乙烯层微粒，在一相同的大小范围暴露在一相同的放射线中较能抵抗退化。4.如权利要求I所述的形成标准光掩模的方法，其中可控大小的所述多个氧化硅微粒具有30纳米至100纳米间的一平均大小。5.如权利要求I所述的形成标准光掩模的方法，其中所述多个氧化娃微粒形成在一透明区域、一暗区域、一边缘区域、及/或一高光掩模错误增益因子光掩模式样区域的一或多个可控位置上。6.如权利要求I所述的形成标准光掩模的方法，还包括 暴露该基板上的所述多个氧化硅微粒至一已知波长的一放射线中； 使用该检测系统测量通过所述多个氧化硅微粒分散的该放射线的分散强度；以及 将测量到的该放射线的该分散强度与所述多个氧化硅微粒的公称大小进行相关。7.一种使用检测系统的方法，包括 提供一标准光掩模，包括 一基板；以及...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖建宏，王淼鑫，林佳仕，张宗裕，涂志强，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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