光掩模用基板和光掩模及它们的组、制造方法及转印方法技术

本发明专利技术提供光掩模用基板和光掩模及它们的组、制造方法及转印方法，在进行接近曝光时提高图案的转印精度。一种光掩模用基板，其用于在主表面上形成转印用图案而成为光掩模，在该光掩模用基板中，主表面上的图案区域的高度变动的最大值ΔZmax为8.5(μm)以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光掩模用基板、光掩模、光掩模用基板组、光掩模组、光掩模的制造方法以及图案转印方法。
技术介绍
计算机或便携终端等具有的液晶显示装置具有以下结构将在透光性基材上形成有TFT (薄膜晶体管)阵列(array)的TFT基板和在透光性基材上形成有RGB图案的滤色片粘贴在一起，并在它们之间封入了液晶。滤色片(以下也称作CF)是通过依次实施以下工序来制造的在透光性基材的一个主表面上形成构成颜色边界部的黑矩阵(black matrix)层；进而在被黑矩阵层划分后的透光性基材的一个主表面上形成红色过滤层、绿色过滤层、蓝色过滤层等滤色层(以下也称作彩色层)。上述TFT和滤色片都可应用使用了光掩模的光刻来进行制造。 另一方面，在将光掩模设置(set)于曝光机而进行图案转印时,光掩模由于自重而会略微产生挠曲，因此在专利文献I中记载了用于减轻该挠曲的曝光机支撑机构。专利文献I日本特开平9-306832号公报要求提高液晶显示装置的性能的期待日益增强。尤其是便携终端等尺寸较小、且需要高精细图像的显示装置在几个方面要求超过以往产品的性能。上述性能是色彩的鲜明性(sharpness)(无颜色浑池)、反应速度、分辨力等。出于这种期望，要求制造TFT和CF的光掩模的图案形成精度比以往更高。例如，在TFT形成用的光掩模中，为了提高液晶显示装置的反应速度，在以使TFT图案自身变得细微，或者与主TFT —起组合使用更细微的TFT的方式等在光掩模上形成图案时，必须精细地形成细微尺寸的线宽。此外，在重叠地使用TFT和CF时，如果没有极度精细地控制光掩模上的各个图案的坐标精度以及转印时的定位，则存在以下风险在两者之间产生位置偏差，从而产生液晶的工作不良。另一方面，在CF形成的光掩模中，以下方面仍然存在难题。如上所述，在重叠地使用黑矩阵层和彩色层时，会在掩模上精细地形成图案的同时，由于转印时的图案面形状的变动和偏差等而产生坐标偏差，此时，会产生颜色浑浊等问题。在使用光掩模在透光性基材上形成黑矩阵层和滤色层时，最有利的是应用接近式(proximity)曝光。这是因为，与投影式(projection)曝光相比,在曝光机的结构中不需要复杂的光学系统，装置成本也较低，因此生产效率高。但是，在应用接近式曝光时，在转印时难以对变形实施校正，因此与投影曝光相比，转印精度容易劣化。在接近式曝光中，以彼此相对的方式保持形成有抗蚀剂膜的被转印体和光掩模的图案面，使图案面朝向下方，并从光掩模的背面侧照射光，由此将图案转印到抗蚀剂膜上。此时，在光掩模与被转印体之间设置预定的微小间隔(proximity gap)。另外,光掩模具有对形成于透明基板的主表面的遮光膜进行预定的构图而成的转印用图案。一般而言，在将光掩模设置于接近式曝光用曝光机时，通过曝光机的保持部件保持形成有转印用图案的主表面上的、形成有转印用图案的区域(也称作图案区域)的外侧。此处，搭载于曝光机的光掩模有时会由于自身的重量而挠曲，但是能够利用曝光机的保持机构对上述挠曲进行一定程度的校正。例如，在专利文献I的方法中，记载了在从下方支撑光掩模的保持部件的支撑点的外侧，从掩模的上方施加预定压力的方法。但是，本申请的专利技术人发现了如下情况即使该方法对于减轻光掩模的挠曲对图案转印方面的影响是有用的，但仅利用该方法对于制造上述用途的精密显示装置仍是不充分的。例如，已判明如下情况在进行上述接近式曝光时，尽管光掩模具有的转印用图案的形成精度足够高且处于基准范围内，但形成于被转印体上的转印图案的重叠精度不充分，可能会产生液晶显示装置的工作上的不良情况、或颜色浑浊等。随着液晶显示装置的不断高精细化，不能允许这样的图案重叠精度的劣化。
技术实现思路
本申请专利技术的目的在于，在通过接近式曝光将形成在光掩模上的转印用图案转印至被转印体时提高图案的转印精度。尤其是，目的在于，在依次使用多个光掩模向同一被转 印体上进行转印时，提高图案的重叠精度。根据本专利技术的第I方式，提供一种光掩模用基板，其用于在主表面上形成转印用图案而成为光掩模，在该光掩模用基板中，所述主表面上的图案区域的高度变动的最大值Δ Zmax 为 8. 5 μ m 以下。根据本专利技术的第2方式，提供第I方式所述的光掩模用基板，其中，当设隔开预定的相隔距离P等间隔地设定于所述图案区域中的各测定点相对于基准面的高度为Z时，所述高度变动的最大值AZmax是所述Z的最大值与最小值之差。根据本专利技术的第3方式，提供第2方式所述的光掩模用基板，其中，所述相隔距离P 为 5mm < P < 15mm。根据本专利技术的第4方式，提供一种光掩模的制造方法，该制造方法包括以下工序使用第I 第3方式中任意一个方式所述的光掩模用基板，在所述光掩模用基板的主表面上形成光学膜，并对所述光学膜实施构图，由此形成转印用图案。根据本专利技术的第5方式,提供一种光掩模,该光掩模在主表面上形成有转印用图案，在该光掩模中，所述主表面上的图案区域的高度变动的最大值AZmax为8. 5μπι以下。根据本专利技术的第6方式，提供第5方式所述的光掩模，其中，在设隔开预定的相隔距离P等间隔地设定于所述图案区域中的各测定点相对于基准面的高度为Z时，所述高度变动的最大值Λ Zmax是所述Z的最大值与最小值之差。根据本专利技术的第7方式，提供第6方式所述的光掩模，其中，所述相隔距离P为5mm ^ P ^ 15mm0根据本专利技术的第8方式，提供第5 第7方式中的任意一个方式所述的光掩模，其中，该光掩模用于接近式曝光。根据本专利技术的第9方式，提供第5 第8方式中的任意一个方式所述的光掩模，其中，在所述图案区域中具有滤色片制造用图案。根据本专利技术的第10方式，提供一种图案转印方法，将第5 第9方式中的任意一个方式所述的光掩模设置于接近式曝光用的曝光机，向被转印体进行图案转印。根据本专利技术的第11方式，提供一种光掩模用基板组，其具有第I光掩模用基板，其用于在主表面上形成待转印至被转印体的转印用图案而成为第I光掩模；以及第2光掩模用基板，其用于在主表面上形成待与所述转印用图案重叠地转印至所述被转印体的转印用图案而成为第2光掩模，在该光掩模用基板组中，当设所述第I光掩模用基板的主表面上的图案区域内设定的任意的点M相对于基准面的高度为Zm，设所述第2光掩模用基板的主表面上的图案区域内的处于与所述第I光掩模用基板上的点M对应的位置处的点N相对于所述基准面的高度为Zn，并求出了所述Zm与所述Zn之差Zd时，在所述图案区域内，该Zd的最大值Δ Zdmax为17 ( μ m)以下。根据本专利技术的第12方式,提供一种光掩模组,其具有第I光掩模,在主表面上形成有待转印至被转印体的转印用图案；以及第2光掩模，其在主表面上形成有待与所述第I转印用图案重叠地转印至所述被转印体的转印用图案，在该光掩模设置中，当设所述第I光掩模的主表面上的图案区域内设定的任意的点M相对于基准面的高度为Zm，设所述第2光掩模的主表面上的图案区域内的处于与所述第I光掩模上的点M对应的位置处的点N相对于所述基准面的高度为Zn，并求出了所述Zm与所述Zn之差Zd时，在所述图案区域内，该 Zd的最大值Δ Zdmax为17 ( μ m)以下。根据本专利技术的第13方式，提供一种图案转印方法，使用接近式曝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光掩模用基板，其用于在主表面上形成转印用图案而成为光掩模，该光掩模用基板的特征在于，所述主表面上的图案区域的高度变动的最大值ΔZmax为8.5μm以下。

【技术特征摘要】
2011.04.13 JP 2011-0887811.一种光掩模用基板，其用于在主表面上形成转印用图案而成为光掩模，该光掩模用基板的特征在于， 所述主表面上的图案区域的高度变动的最大值AZmax为8. 5μπι以下。2.根据权利要求I所述的光掩模用基板，其特征在于， 当设隔开预定的相隔距离P等间隔地设定于所述图案区域中的各测定点相对于基准面的高度为Z时，所述高度变动的最大值AZmax是所述Z的最大值与最小值之差。3.根据权利要求2所述的光掩模用基板，其特征在于， 所述相隔距离P为5_ ^ P ^ 15_。4.一种光掩模的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下工序 使用权利要求I 3中的任意一项所述的光掩模用基板,在所述光掩模用基板的主表面上形成光学膜，并对所述光学膜实施构图，由此形成转印用图案。5.一种光掩模，其在主表面上形成有转印用图案，该光掩模的特征在于， 所述主表面上的图案区域的高度变动的最大值AZmax为8. 5μπι以下。6.根据权利要求5所述的光掩模,其特征在于， 当设隔开预定的相隔距离P等间隔地设定于所述图案区域中的各测定点相对于基准面的高度为Z时，所述高度变动的最大值AZmax是所述Z的最大值与最小值之差。7.根据权利要求6所述的光掩模,其特征在于， 所述相隔距离P为5_ ^ P ^ 15_。8.根据权利要求5 7中的任意一项所述的光掩模,其特征在于， 该光掩模用于接近式曝光。9.根据权利要求5 7中的任意一项所述的光掩模,其特征在于， 在所述图案区域中具有滤色片制造用图案。10.一种图案转印方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：土屋雅誉，池边寿美，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：