一种石墨热场的导流筒结构制造技术

本发明专利技术公开了一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，所述的导流筒本体的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层。采用上述结构，本发明专利技术具有以下优点：1、耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长；2、钼层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及石墨热场
，具体涉及一种石墨热场的导流筒结构。·
技术介绍
切克劳斯基法即CZ直拉单晶法，通过电阻加热，将石英坩埚中的多晶硅料熔化，并保持略高于硅熔点的温度，在惰性气体的保护下，经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、晶体取出等步骤，完成晶体生长。众所周知，硅的熔点是1420°C，如果是在20寸开放式热场装置、投料量105kg，要维持这个温度，每小时需消耗IOOkw左右的电能。目前世界能源紧张，能源成本所占比重日益增加。如何降低生产能耗，直接关系到企业的生存大计。传统的石墨热场的热屏外的导流筒上没有反射装置，热辐射反射率低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种热辐射反射率高的石墨热场的导流筒结构。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，所述的导流筒本体的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层。所述的热辐射反射层为钥层。所述的钥层厚度为O. 5-0. 6mm。本专利技术采用上述结构，具有以下优点1、耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长；2、钥层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明；图I为本专利技术的结构示意图；在图I在，I、导流筒本体；2、热辐射反射层。具体实施例方式如图I所示一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，导流筒本体I的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层2。热辐射反射层2为钥层。钥层可为钥片，其厚度为O. 5-0. 6mm。钥片作为反射层，耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长，钥层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果。该石墨热场耐高温、热辐射反射率高、使用寿命长。钥层采用斜面反射角度，即增加热辐射的反射率又不影响热屏的绝热效果，以上技术方案的应用使20寸传统封闭式热场维持1420°C的拉制条件需要每小时消耗电能75 70KW降低至5(T45KW/h，节能超过35% ；相对原始的开放式热场节能超过55%。同时进一步改变了单晶生长时晶体的纵向温度梯度，相对传统的封闭式热场，拉速增加O. 15mm/min。极大提高了设备生产效率，降低生产成本。上面结合附图对本专利技术进行了示例性描述，显然本专利技术具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本专利技术的技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的，均在本专利技术的保护范围 之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，其特征在于：所述的导流筒本体（1）的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层（2）。

【技术特征摘要】
1.一种石墨热场的导流筒结构，包括导流筒本体，其特征在于所述的导流筒本体(I)的外壁和内壁上分别设有热辐射反射层(2)。2.根据权利要求I所述的一种石墨热场...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙平川，杨江华，王贤福，韩冰，计冰雨，
申请(专利权)人：芜湖昊阳光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：