硅树脂组合物以及采用该组合物的光学半导体装置制造方法及图纸

技术编号:7893190 阅读:183 留言:0更新日期:2012-10-23 01:13
本发明专利技术公开了硅树脂组合物以及采用该组合物的光学半导体装置,所述硅树脂组合物显示出低透气性,并且适用于密封光学半导体。该组合物包括:(A)具有含两个或更多个烯基的特定结构的有机聚硅氧烷、(B)由两种具有特定结构的有机氢聚硅氧烷组成的有机氢聚硅氧烷以及(C)加成反应催化剂;所述(B)有机氢聚硅氧烷中,两种有机氢聚硅氧烷的质量比为10:90~90:10的范围,所述(B)有机氢聚硅氧烷的量为,相对于成分(A)中每1摩尔烯基,成分(B)中的与硅原子键合的氢原子为0.4~4.0摩尔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅树脂组合物,其适用作光学半导体元件用的密封材料;并且还涉及采用该组合物的光学半导体装置。
技术介绍
近年来,高亮度LED已经在市场上出售,其能够呈现出强光强度并且产生显著的热量,目前,这些高亮度LED开始被广泛使用,其不仅用作液晶显示器和移动电话中的BLU装置,而且也用于普通照明设施。JP2010-1335A(专利文件I)公开了通过在含苯基硅树脂中添加含环氧基有机硅,可以改善其粘合性,由此能够提供表现出优异的耐热性、耐光稳定性和耐候性的密封材料。此外,JP2009-527622A(专利文件2)也公开了硅树脂组合物,该硅树脂组合物包括含苯基树脂以及直线型含苯基氢低聚有机硅氧烷,其有用于延长LED的寿命。 在LED封装中,采用称为引线框的结构,该引线框由镀银铜片制成。根据LED的使用条件,可以在该引线框产生硫部分。众所周知,若用作密封材料的有机硅的透气性高,则久而久之会在银表面处形成硫化银,致使表面变黑。人们也知道,引线框变黑使得LED的亮度降低。因此,低透气性是密封树脂的理想特性。尽管含苯基有机硅宣称其在硅树脂之中透气性特别低,但是,对上述专利文件I和2所公开的组合物(其均为采用含苯基硅树脂作为基础成分)进行硫化物试验后发现,其耐变色性均不能令人满意。普遍认为,通过增加交联密度可以提高对透气性的抵抗性,但是若固化产品的硬度变得太高,可能会出现其它问题,例如金属丝破损或芯片分离。专利文件3-15也公开了适用于LED的含苯基有机硅组合物。专利文件I JP 2010-1335 A 专利文件 2 JP 2009-527622 A 专利文件 3 JP 2000-198930 A 专利文件 4 JP 2003-128922 A 专利文件 5 JP 2005-42099 A 专利文件 6 JP 2005-105217 A 专利文件 7 JP 2006-63092 A 专利文件 8 JP 2006-335845 A 专利文件 9 JP 2007-8996 A 专利文件 10 JP 2007-39483 A 专利文件 11 JP 2007-191504 A 专利文件 12 JP 2008-1828 A 专利文件 13 JP 2008-19385 A 专利文件 14 JP 2008-50494 A 专利文件 15 JP 2009-242627 A。
技术实现思路
因此,本专利技术的目的是指出传统的含苯基有机硅相关的问题,并提供硅树脂组合物,该硅树脂组合物所产生的固化产品具有低透气性,而且在加热时的弹性模量小,因而适用于密封光学半导体。此外,本专利技术的另一个目的是提供高可靠性的光学半导体装置,该光学半导体装置采用上述的硅树脂组合物。为了实现上述目标,本专利技术的专利技术人进行了深入的研究,结果发现下述的硅树脂组合物能够实现上述目标。换言之,为了实现上述目标,本专利技术提供了硅树脂组合物,该硅树脂组合物包括 (A)100质量份有机聚硅氧烷,其在每个分子内含有两个或两个以上烯基,由以下所示的平均组成式(I)表示(R1SiO372)a(R22SiO)b (R23SiOl72)c (R3SiO372)d(I) 其中,R1表示6 14个碳原子的芳基,R2表示取代或未取代的单价烃基,R3表示除芳基以外的取代或未取代的单价烃基;a表示0. 3^0. 9的数值,b表示(T0. 5的数值,c表示0. 05 0. 7的数值,且d表示0 0. 2的数值;条件是a+d的数值为0. 3 0. 9,且a+b+c = 1.0; (B)有机氢聚硅氧烷,其由以下所示的通式(3)表示的有机氢聚硅氧烷(B-I)与以下所示的通式⑷表示的有机氢聚娃氧烧(B-2)所组成,(B-I) : (B-2)的质量比为10:90 90:10的范围, 成分(B)的量为相对于成分(A)中每I摩尔烯基,成分(B)中与硅原子键合的氢原子为0. I 5. 0摩尔,本文档来自技高网
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【技术保护点】
硅树脂组合物,其包括:(A)由以下所示的平均组成式(1)所表示的有机聚硅氧烷,其在每个分子内含有两个或更多个烯基,(R1SiO3/2)a(R22SiO)b?(R23SiO1/2)c?(R3SiO3/2)d??????????(1)其中,R1表示6~14个碳原子的芳基,R2表示取代或未取代的单价烃基,R3表示除芳基以外的取代或未取代的单价烃基;a表示0.3~0.9的数值,b表示0~0.5的数值,c表示0.05~0.7的数值,且d表示0~0.2的数值;条件是a+d的数值为0.3~0.9且a+b+c?=?1.0;(B)有机氢聚硅氧烷,其由以下所示的通式(3)表示的有机氢聚硅氧烷(B?1)与以下所示的通式(4)表示的有机氢聚硅氧烷(B?2)所组成,(B?1):(B?2)的质量比在10:90~90:10的范围,成分(B)的量为:相对于成分(A)中每1摩尔烯基,成分(B)中与硅原子键合的氢原子为0.4~4.0摩尔,其中,R1和R2的定义如上,且n表示1或更大的整数;以及(C)有效量的加成反应催化剂。2012100988962100001dest_path_image001.jpg

【技术特征摘要】
2011.04.08 JP 2011-0862511.硅树脂组合物,其包括 (A)由以下所示的平均组成式(I)所表示的有机聚硅氧烷,其在每个分子内含有两个或更多个烯基,(R1SiO372)a(R22SiO)b (R23SiOl72)c (R3SiO372)d(I) 其中,R1表示6 14个碳原子的芳基,R2表示取代或未取代的单价烃基,R3表示除芳基以外的取代或未取代的单价烃基;a表示0. 3^0. 9的数值,b表示(T0. 5的数值,c表示0.05 0. 7的数值,且d表示(TO. 2的数值;条件是a+d的数值为0. 3 0. 9且a+b+c = 1.0; (B)有机氢聚硅氧烷,其由以下所示的通式(3)表示的有机氢聚硅氧烷(B-I)与以下所示的通式(4)表示的有机氢聚娃氧烧(B-2)所组成,(B-I) : (B-2)的质量比在10:90 90:10的范围, 成分(B)的量...

【专利技术属性】
技术研发人员:柏木努浜本佳英
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:

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