【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷电容器,尤其是一种低温烧成系温度补偿型积层陶瓷电容器用之介电瓷粉组成物。
技术介绍
本专利技术是有关低温烧成系温度补偿型积层陶瓷电容器用之介电瓷粉组成物,特别适合供制造电容温度系数为0±30ppm/°C范围(即所谓的NPO规格)的积层陶瓷电容器用。本专利技术系由100重量份如下所示之第一成份34. 0 %≤MgO≤ 40. 5 %,2. 0 %≤CaO≤4. 0 %,56. 5%≤Ti02≤62. 5%与4 12重量份由glass,LiF, frit所组成的第二成份加以配合组成,其中 0. 5% ≤ glass ≤ 0. 4 %, 0 % ≤ LiF≤ 0. 7 %, I % ≤ frit ( 8%,具其中玻璃(glass)之近似组成为Na20t8% ,PbO=46% ,B203=24% ,Si02=22%而玻璃熔块(frit)之近似组成为ZnO与66.4% ,B203=^19.0% ,Si02= 9.2% ,MnO与 5.4%。
技术实现思路
本专利技术是有关低温烧成系温度补偿型积层陶瓷电容器用之介电瓷粉组成物,特别适合供制造电容温度系数为0±30ppm/°C范围(即所谓的NPO规格)的积层陶瓷电容器用。本专利技术系由100重量份如下所示之第一成份34. 0 %≤MgO≤40. 5 %,2. 0 %≤CaO≤4. 0 %,56. 5%≤Ti02≤62. 5%与4 12重量份由glass,LiF, frit所组成的第二成份加以配合组成,其中 0. 5% ≤ glass ≤0. 4 %, 0 % ≤ LiF≤ 0. 7 %, I % ≤fri ...
【技术保护点】
一种有关温度补偿型积层陶瓷电容器用之介电瓷粉组成物,其组成成份由100重量份如下所示之第一成份34.0≤≤,≤≤,≤≤与?重量份由glass,LiF,frit所组成的第二成份加以配合,组成,其中0.5≤≤,≤≤,≤≤且其中玻璃glass)之近似组成为而玻璃熔块之近似组成为2.如申请专利范围第1项所述之组成物,该组成物是由100重量份如下所示之第一成份MgO??CaO??TiOC_2C与4?12重量份的第二成份glass??LiF??frit加以配合的组成物,添加由聚甲基丙烯酸甲酯,丁酮/乙醇溶剂,丁基基酸酯等成份所组成之有机粘结剂,于球磨机中均匀混合,制成浇注成形用瓷浆,再使瓷浆均匀涂布于基板上经烘乾后,再印刷成份为含30Pd/70Ag之内电极材料,如此重覆数次达到积层陶瓷电容器所需的陶瓷结构。FSA00000464390400011.tif,FSA00000464390400012.tif,FSA00000464390400013.tif
【技术特征摘要】
1.一种有关温度补偿型积层陶瓷电容器用之介电瓷粉组成物,其组成成份由100重量份如下所示之第一成份34.与-重量份由glass, LiF, frit所组成的第二成份加以配合,组成,其中0.5 ,且其中玻璃glass)之近似组成为NaC_2C048,与,BC_2COC_3C*24,4而玻璃熔块之近似组成为ZnO=66.4,-,SiOC_2C=9.2,=0 2.如申请专利范围第I项所述之组成...
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