本发明专利技术公开了一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺，包括以下步骤：（1）对RIE刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；（2）制备清洗溶液，该清洗溶液为HF、HCl和H2O2的混合溶液，并且HF、HCl和H2O2按体积比为3～15：3～15：1～5；（3）使用清洗溶液对硅片进行去损伤层清洗4～15min。本发明专利技术的清洗工艺对损伤层的刻蚀速率较慢，确保在刻蚀过程不对硅片表面绒面结构产生影响，适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程；工艺过程简单，无需经过碱洗和二次酸洗，大大减少了工艺流程，节省了原料，减低生产成本，适合产业化生产；废液排放量大幅减少，减轻了后续处理的负担。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅晶体清洗工艺，特别是设置到一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺。
技术介绍
为了提高光伏发电的效率，降低光伏发电的成本，于是引入了表面织构工艺即制绒。它通过增加电池对光的吸收，降低表面反射率，增大太阳能电池的短路电流以达到提高太阳电池效率的目的。人们尝试了许多新的制绒工艺，如机械刻槽、反应离子刻蚀、蜂窝绒面结构技术、电化学腐蚀等。目前，反应离子刻蚀法(RIE)在产业化生产中应用较多，它可以在常规工艺制绒后得到的粗糙绒面上，形成更为精细的绒面结构，大大降低反射率，提高 电池效率。但RIE制绒也有其不足之处，其中，最主要的问题是制绒后，在硅片表面形成损伤层，厚度在O. 1-0. 4 μ m。目前在晶体硅太阳能电池产业化生产中一般会采用强碱性(NaOH、Κ0Η),或强酸性(HF+HN03)化学品的水溶液对硅片表面的损伤层进行清洗，基本步骤是先用HF+HN03 +H20酸洗(去除表面损伤层，生成Si02) — NaOH或KOH碱洗(去除酸洗后生成的多孔硅，中和表面残留酸液)一HF酸洗(去除Si02，中和表面残留碱液)。但是这些常规去损伤层工艺会出现过度刻蚀，影响娃片表面的陷光效果。
技术实现思路
本专利技术的目的即在于克服现在技术的不足，提供一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺，解决现有技术在清洗硅片损伤层时因容易出现过度的刻蚀，从而影响到硅片表面的陷光效果的缺点。本专利技术是通过以下技术方案来实现的一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺，包括以下步骤 (1)对RIE刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗； (2)制备清洗溶液，该清洗溶液为HF、HC1和H2O2的混合溶液，并且HF、HC1和H2O2按体积比为3 15 :3 15 :1 5 ; (3)使用步骤(2)中制备的清洗溶液对硅片进行去损伤层清洗4 15min，去除RIE刻蚀后表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率； (4)再用去离子水对硅片进行清洗，甩干后备用。进一步，上述步骤(2)中所述的清洗溶液中，采用HF、HCl和H2O2体积比为3 7 2,清洗时间5 6min,这样清洗的效果最佳。本专利技术的有益效果是 (1)本专利技术的清洗工艺对损伤层的刻蚀速率较慢，确保在刻蚀过程不对硅片表面绒面结构产生影响，适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程；(2)工艺过程简单，无需经过碱洗和二次酸洗，大大减少了工艺流程，节省了原料，减低生产成本，适合产业化生产； (3)废液排放量大幅减少，减轻了后续处理的负担，有利于本行业产业的优化，有非常好的发展前景。具体实施例方式下面结合实施例对本专利技术作进一步的详细说明 实施例I 一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺，包括以下步骤 (1)对RIE刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗； (2)制备清洗溶液，该清洗溶液为HF、HC1和H2O2的混合溶液，并且HF、HC1和H2O2按体积比为3 :3 I ； (3)使用步骤(2)中制备的清洗溶液对硅片进行去损伤层清洗15min，去除RIE刻蚀后表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率； (4)再用去离子水对硅片进行清洗，甩干后备用。通过本实施例清洗完成后的硅片的少子寿命为4. 53Ps 实施例2 一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺，包括以下步骤 (1)对RIE刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗； (2)制备清洗溶液，该清洗溶液为HF、HC1和H2O2的混合溶液，并且HF、HC1和H2O2按体积比为3 :7 :2 ; (3)使用步骤(2)中制备的清洗溶液对硅片进行去损伤层清洗6min，去除RIE刻蚀后表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率；(4)再用去离子水对硅片进行清洗，甩干后备用。通过本实施例清洗完成后的硅片的少子寿命为8. 2Ps。实施例3 一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺，包括以下步骤 (1)对RIE刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗； (2)制备清洗溶液，该清洗溶液为HF、HC1和H2O2的混合溶液，并且HF、HC1和H2O2按体积比为15 15 1 ； (3)使用步骤(2)中制备的清洗溶液对硅片进行去损伤层清洗4min，去除RIE刻蚀后表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率； (4)再用去离子水对硅片进行清洗，甩干后备用。通过本实施例清洗完成后的硅片的少子寿命为5. 97μ8。本清洗工艺对硅片的反射率基本没有影响，硅片的少子寿命能够达到4 9μ 比起现有清洗技术得到硅片的少子寿命3 5μ 有很大的提升效果。权利要求1.ー种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗エ艺，其特征在于包括以下步骤 (1)对RIE刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗； (2)制备清洗溶液，该清洗溶液为HF、HC1和H2O2的混合溶液，并且HF、HC1和H2O2按体积比为3 15 :3 15 :1 5 ; (3)使用步骤(2)中制备的清洗溶液对硅片进行去损伤层清洗4 15min，去除RIE刻蚀后表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率； (4)再用去离子水对硅片进行清洗，甩干后备用。2.根据权利要求I所述的ー种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗エ艺，其特征在于步骤(2)中所述的清洗溶液中，HF、HCl和H2O2的最佳体积比为3 7 :2。3.根据权利要求I所述的ー种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗エ艺，其特征在于步骤(3)中所述的清洗时间的最佳范围为5 6min。全文摘要本专利技术公开了一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺，包括以下步骤(1)对RIE刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；(2)制备清洗溶液，该清洗溶液为HF、HCl和H2O2的混合溶液，并且HF、HCl和H2O2按体积比为3～153～151～5；(3)使用清洗溶液对硅片进行去损伤层清洗4～15min。本专利技术的清洗工艺对损伤层的刻蚀速率较慢，确保在刻蚀过程不对硅片表面绒面结构产生影响，适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程；工艺过程简单，无需经过碱洗和二次酸洗，大大减少了工艺流程，节省了原料，减低生产成本，适合产业化生产；废液排放量大幅减少，减轻了后续处理的负担。文档编号B08B3/04GK102728573SQ20121020291公开日2012年10月17日 申请日期2012年6月19日 优先权日2012年6月19日专利技术者刘杰, 姜丽丽, 张凤鸣, 王慧, 盛雯婷, 赖涛, 路忠林 申请人:保定天威集团有限公司, 天威新能源控股有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤：（1）对RIE刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；（2）制备清洗溶液，该清洗溶液为HF、HCl和H2O2的混合溶液，并且HF、HCl和H2O2按体积比为3～15：3～15：1～5；（3）使用步骤（2）中制备的清洗溶液对硅片进行去损伤层清洗4～15min，去除RIE刻蚀后表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率；（4）再用去离子水对硅片进行清洗，甩干后备用。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赖涛，刘杰，王慧，姜丽丽，路忠林，盛雯婷，张凤鸣，
申请(专利权)人：天威新能源控股有限公司，保定天威集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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