瓷套导体的均压屏蔽筒制造技术

技术编号:7878764 阅读:267 留言:0更新日期:2012-10-15 06:50
本实用新型专利技术涉及一种高压电器内绝缘技术领域,具体地说是一种瓷套导体的均压屏蔽筒,包括筒体,所述的筒体设置在瓷套内部下方,筒体的下部通过螺钉连接在下法兰上、中心导体的外侧,并与中心导体和瓷套之间均有间隙,所述的筒体上部内侧沿筒口设置有弧形的凸缘,所述筒口的外侧为无尖角的弧形过渡面。本实用新型专利技术具有结构简单,改善电场分布,提高瓷套内绝缘性能的特点。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高压电器内绝缘
,具体地说是一种瓷套导体的均压屏蔽筒
技术介绍
瓷套在电力系统和电气设备中应用十分的广泛,其作为一种电 器内绝缘的容器,使内绝缘免遭周围环境因素的影响。随着电压等级增高,对内绝缘的要求也越来越高,理想状态的场强分布是均匀的,电位分布是线性的,但实际情况却不是如此,在接近瓷套下法兰处时,场强突然增大,沿瓷套纵向电位分布不均匀。由于中心导体与瓷套下法兰间电场分布的不均匀性较为突出,尤其在污秽严重的地区,此处发生放电的现象较多,导致绝缘性能降低。
技术实现思路
本技术为了克服上述缺陷提供了一种结构简单,改善电场分布,提高瓷套内绝缘性能的瓷套导体的均压屏蔽筒。本技术采用的技术方案是一种瓷套导体的均压屏蔽筒,包括筒体,所述的筒体设置在瓷套内部下方,筒体的下部通过螺钉连接在下法兰上、中心导体的外侧,并与中心导体和瓷套之间均有间隙,所述的筒体上部内侧沿筒口设置有弧形的凸缘,所述筒口的外侧为无尖角的弧形过渡面。本技术在下法兰上设置屏蔽筒,该屏蔽筒位于瓷套与中心导体之间,该部位是瓷套内部最容易产生电场分布不均匀的部位,该屏蔽筒将瓷套下端的棒-板形电场变为同轴圆柱形电场,沿瓷套场强分布不均匀性得到了改善,电位分布也靠近理性的线性特征,本技术均衡的电场分布,提高了瓷套的绝缘性能。附图说明图I为本技术的示意图。具体实施方式现结合附图对本技术作进一步描述,图I为本技术的一种实施例,包括筒体1,所述的筒体I设置在瓷套2内部下方,筒体I的下部通过螺钉连接在下法兰3上,同时筒体I设置在中心导体4的外侧,筒体I与中心导体4和瓷套2之间均有间隙。通常筒体I的内孔尺寸与下法兰3的内孔尺寸相同。所述的筒体I上部内侧沿筒口设置有弧形的凸缘,所述筒口的外侧为无尖角的弧形过渡面。本技术的筒体I安装在下法兰3上,并位于瓷套2与中心导体4之间,该部位是瓷套2内部最容易产生电场分布不均匀的部位,屏蔽筒屏蔽了瓷套2与下法兰3的接触面,将瓷套2下端的棒-板形电场变为同轴圆柱形电场,屏蔽筒上部筒口的弧形凸缘具有良好的屏蔽和均匀电场的作用,使沿瓷套2场强分布不均匀性得到了改善,电位分布也靠近理性的线性特征,本技术均衡的电场分布,提高了瓷套2的绝缘性能。本技术具有结构简单,改善电场分布,提高瓷套内绝缘性 能的特点。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种瓷套导体的均压屏蔽筒,其特征是:包括筒体,所述的筒体设置在瓷套内部下方,筒体的下部通过螺钉连接在下法兰上、中心导体的外侧,并与中心导体和瓷套之间均有间隙,所述的筒体上部内侧沿筒口设置有弧形的凸缘,所述筒口的外侧为无尖角的弧形过渡面。

【技术特征摘要】
1.一种瓷套导体的均压屏蔽筒,其特征是包括筒体,所述的筒体设置在瓷套内部下方,筒体的下部通过螺钉连接在下法兰上、中心导...

【专利技术属性】
技术研发人员:李中华张建磊张志成齐昌藩
申请(专利权)人:山东泰开高压开关有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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