本发明专利技术提供一种OLED器件，所述OLED器件包含阳极、阴极和位于所述阳极与阴极间的光发射层，所述光发射层含有蒽主体和苯乙烯胺蓝色光发射化合物；以及位于所述光发射层和所述阴极之间、厚度大于0.5nm且小于5nm的第一电子输送层；和位于所述第一电子输送层和所述阴极之间、主要由蒽组成的第二电子输送层。所述第一电子输送层包含的化合物比所述第二电子输送层中的蒽具有更小负值的LUMO水平。本发明专利技术的器件提供诸如效率等特征上的改善。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有高效蓝色光发射层的OLED本专利技术涉及电致发光(EL)器件，更具体而言，涉及具有光发射层的有机发光二极管(OLED)器件，所述光发射层含有蓝色光发射苯乙烯胺化合物和蒽主体；薄的第一电子输送层；和主要由蒽组成的第二电子输送层。与第二电子输送层中的蒽的LUMO水平相比，第一电子输送层所含的化合物的LUMO水平具有更小的负值。
技术介绍
虽然有机电致发光(EL)器件已经为人所知超过20年，但其性能局限性已成为很多所需的应用的障碍。最简单形式的有机EL器件是有机光发射二极管(OLED)，也称为有机电致发光器件，其包含由有机光发射结构分隔的间隔电极，所述有机光发射结构响应于在电极间施加的电势差而发光。至少一个所述电极是透光的，并且有机光发射结构可具有多层有机薄膜，分别用于从阳极注入空穴和输送空穴以及从阴极注入电子和输送电子，其中在空穴输送薄膜和电子输送薄膜之间的界面形成的内结点处或内结点附近发生的电子-空穴重组(recombination)导致发光。 近年来的EL器件的范围已扩展到不仅包含单色发射的器件，例如红色、绿色和蓝色，还包含发射白光的器件。在产业上非常需要高效率的产生白光的OLED器件，其被认为是若干应用(例如超薄光源、LCD显示器中的背光灯、车顶灯和办公室照明)中的低成本替代物。产生白光的OLED器件应当明亮、高效并通常具有约(O. 33,0. 33)的国际照明委员会(CIE) 1931色品坐标。在本专利技术公开的任何情况下，白光是使用者感知认为具有白色的光。产生白光的通常的光组合是红光、绿光和蓝光；蓝光-绿光和橙光；蓝光和黄光，但其他光组合也是已知的。尽管有了这些发展，但对有机EL器件组分的需求还在持续，例如蓝色光发射层，其会提供更高的发光效率，同时还保持了更低的器件驱动电压和长寿命以及高颜色纯度。蓝色光发射层的这些进展对于产生白光的OLED特别有益，因为蓝色光发射物往往比其他颜色的发射物具有更低的效率，因此为了产生平衡的白色，可能需要在更高的电流密度驱动蓝色像素(RGB OLED器件中)，导致能耗增加并且蓝色寿命缩短，并且可能需要在低于其最大潜在效率的情况操作颜色补充层(在白色OLED中)。苯乙烯胺(例如，参见US 5，121，029和US 7，544，425)是公知的蓝色光发射物。蒽是公知的电子输送材料(例如，参见US 6，387，546)，可用作光发射层中的主体(例如，参见US 5，935，721)，包括具有苯乙烯胺发射物的那些光发射层(例如，参见US 6，534，199、US 7，252，893、US 7，504，526 和 US 6,713，192)。美国专利申请2007/0252522公开了具有含苯乙烯胺发射物和蒽主体的蓝色光发射层(LEL)的OLED器件，其中与LEL接触的电子输送层(ETL)由蒽组成。US 7，074，500、美国专利申请 2002/0197511 和 US 2006/0251923 均公开了在 LEL和ETL之间具有薄电子阻挡层的OLED。US专利申请2007/0075631公开了在LEL (优选为磷光发射性LEL)和ETL之间具有薄电子阻断层的0LED，其中所述薄层中的材料可以是空穴输送材料并且其LUMO水平比ETL和LEL主体的LUMO水平具有更小的负值。美国专利申请2003/0175553和US 2003/0068528均显示采用Ir (ppy)3作为LEL阴极侧的薄空穴阻挡层。US7, 018, 723 公开了具有含萘和苯衍生物的 ETL 的 OLED15Lee 等，Applied PhysicsLetters, 92 (20), 203305/1-3 (2008)公开了具有含甲硅烷基化苯衍生物的ETL的0LED。然而，在高亮度、低驱动电压和足够的工作稳定性方面，这些器件不具有全部所需的EL特性。尽管 有了所有这些发展，但仍需要提高OLED器件中蓝色光发射层的效率并提供具有其他改进特征的实施方式。
技术实现思路
本专利技术提供一种OLED器件，所述OLED器件包含阳极、阴极和位于所述阳极与阴极间的光发射层，所述光发射层含有蒽主体和苯乙烯胺蓝色光发射化合物；以及位于所述光发射层和所述阴极之间的、大于O. 5nm且小于5nm的第一电子输送层；和位于所述第一电子输送层和所述阴极之间的、主要由蒽组成的第二电子输送层。与第二电子输送层中的蒽的LUMO水平相比，所述第一电子输送层包含的化合物具有更小的负LUMO水平。本专利技术的器件提供改善的特征，例如增加的效率并同时保持足够的工作稳定性和优异的颜色特性。附图说明图I显示了本专利技术的OLED器件的一个实施方式的截面示意图。应理解的是，图I并非按比例绘制，因为单个层过薄且各层的厚度差异过大以致于不允许按比例绘制。具体实施例方式本专利技术整体如上所述。本专利技术的OLED器件是多层电致发光器件，其含有阴极、阳极、光发射层(LEL)、电子输送层(ETL)和可选的附加层，如电子注入层(EIL)、空穴注入层(HIL)、空穴输送层(HTL)、激子阻挡层、间隔层、连接层和空穴阻挡层。本专利技术的LEL是蓝色光发射层。这意味着从该层发射的光的至少80%是波长小于500nm的蓝色光。蓝色LEL的厚度不重要，但通常为O. 5nm 50nm,理想的是IOnm 35nm。本专利技术的蓝色光发射层含有主体材料和蓝色光发射材料。主要的主体材料是蒽。本专利技术中所用的主体材料是非发射性的，即，产生很小比例(小于总量的10%)的该层所产生的光。合适的是，在光发射层中仅采用一种蒽主体材料，虽然在主体组合物中可以存在其他非发射性材料，包括其他蒽。但是，蒽应当是支配性的主体材料，其体积百分比应大于其他主体材料。本专利技术的蒽主体如下式(I)所示本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.17 US 12/640,1001.一种OLED器件，所述OLED器件包含 阳极、阴极和位于所述阳极与阴极间的光发射层，所述光发射层含有蒽主体和苯乙烯胺蓝色光发射化合物；以及位于所述光发射层和所述阴极之间、厚度大于0. 5nm且小于5nm的第一电子输送层；和位于所述第一电子输送层和所述阴极之间的、主要由蒽组成的第二电子输送层；其中，所述第一电子输送层包含具有与所述第二电子输送层中的所述蒽相比负得更少的LUMO值的化合物。2.如权利要求I所述的OLED器件，其中，所述第一电子输送层中的所述化合物与所述第二电子输送层中的所述蒽之间的LUMO值的差为至少0. 26eV。3.如权利要求I所述的OLED器件，其中，所述第一电子输送层中的所述化合物与所述第二电子输送层中的所述蒽之间的LUMO值的差超过0. 35eV。4.如权利要求I所述的OLED器件，其中，所述第一电子输送层位于与所述光发射层直接接触的位置。5.如权利要求I所述的OLED器件，其中，所述第一电子输送层还包含蒽。6.如权利要求I所述的OLED器件，其中，在所述第一电子输送层和所述光发射层...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·E·康达可瓦，R·H·扬，
申请(专利权)人：全球OLED科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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