本实用新型专利技术实施例提供一种阵列基板和双视场显示装置,涉及显示技术领域。该阵列基板,包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元,每个像素单元包括像素电极和TFT电路,其中,每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极;每个像素单元的TFT电路包括与所述第一像素电极连接的第一子TFT电路和与所述第二像素电极连接的第二子TFT电路。该双视场显示装置,使用了上述的阵列基板。由于采用了上述阵列基板,可以将双视挡板制作在显示装置内,避免了增加新的工序或采用新的生产设备,从而降低了生产成本。本实用新型专利技术实施例用于制造双视场显示装置。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板和双视场显示装置。
技术介绍
双视场显示技术是指在显示屏幕的两边的视场可以看到不同内容的技术。一个双视场器件一般包括一个显示屏幕和一个挡板,如图I所示,在显示屏幕I上,包含多个像素单元,在每个像素单元中,又包括用以显示某一特定视场的亚像素电极11和由黑矩阵12遮盖的TFT电路,通常称这样一种像素结构为“亚像素结构”。其中,亚像素电极11的宽度是P,两个相邻亚像素电极之间的黑矩阵12的宽度为B,挡板2和显示屏幕I的距离为H,挡板2开口边缘在显示屏幕I上亚像素电极11位置处的投影到黑矩阵12边缘的距离为A,挡板开口的中心线与两个相邻亚像素电极的中心线重合,所以挡板开口宽度为B+2A。角度Θ 就是单视场的角度,只有在这个范围内,观看者才能看到点状亚像素所发出的光。增大角度Θ可以扩大单视场可视范围,进而可以提高双视场显示器的显示质量。角度Θ与P、H、A、B存在着如式I所述的关系 ^HPtan Θ =~――~—— ζ I H +(B + Α)(Β + Α + Ρ)由式I可知,当挡板开口边缘在显示屏幕上亚像素电极位置处的投影到黑矩阵边缘的距离Α、两个相邻亚像素电极之间黑矩阵的宽度B为定值时,为了增大角度Θ,可以相应地减小挡板和彩膜发光点的距离H,或者适当地降低亚像素电极宽度P。对于现有技术而言,当采用TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)作为显示装置时,减小挡板和彩膜发光点的距离H意味着需要降低彩膜玻璃的厚度,要做出极薄的彩膜玻璃是很困难的,而且随着彩膜玻璃厚度的减小,彩膜玻璃的坚固性也会大幅的降低,这将严重影响液晶显示装置的质量。现有的双视场液晶显示装置的TFT阵列基板的结构如图2所示,一个像素单元2包括亚像素电极21和TFT电路22。在像素单元2中,亚像素电极21宽度P通常为50 μ m。当亚像素电极21宽度P降低到一非常小的值时(如3 μ m), TFT电路22难以随着亚像素电极宽度P的降低而同等比例的减小。遮盖TFT电路的黑矩阵所占亚像素区域的比例将随之增大,从而使得开口率产生明显的下降,影响液晶显示装置的质量。当采用OLED(有机发光二极管)作为显示装置时,减小挡板和发光点的距离H同样需要降低玻璃基板的厚度。可见,对于现有技术而言,扩大双视场显示装置的每一单边视场可视范围将导致玻璃基板的厚度下降,使得生产成本升高、基板的良率和可靠性大幅度降低。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种阵列基板和双视场显示装置,通过特定的像素结构设计,可以解决因单边视场可视范围扩大而必须使玻璃基板减薄,从而造成的生产成本升高、基板的良率和可靠性大幅度降低的问题;即降低了双视场显示装置的生产成本,提高了基板的良率和可靠性。为达到上述目的,本技术的实施例采用如下技术方案本技术一方面提供一种阵列基板,包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元,每个像素单元包括像素电极和TFT电路,其中,每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极;每个像素单元的TFT电路包括与所述第一像素电极连接的第一子TFT电路和与所述第二像素电极连接的第二子TFT电路。进一步地,在每个像素单元中,所有的所述第一像素电极构成第一梳状结构,所有的所述第二像素电极构成第二梳状结构,所述第一梳状结构与所述第二梳状结构相互交叉设置。本技术另一方面提供一种双视显示装置,包括显示面板和设置于所述显示面板之上的双视挡板,其中,所述显示面板包括如上所述的阵列基板。进一步地,所述显示面板为液晶面板;所述液晶面板包括阵列基板、彩膜基板以及填充在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶;所述彩膜基板包括透明基板和设置于其上的彩膜;所述阵列基板为上述的阵列基板。进一步地,所述显示面板为OLED面板;所述OLED面板包括阵列基板和封装层,其中所述阵列基板包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元,每个像素单元包括电致发光EL层和控制电路,所述EL层包括金属阴极、像素电极和位于所述金属阴极和像素电极之间的有机发光材料;每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极;每个像素单元的控制电路包括与所述第一像素电极连接的第一子控制电路和与所述第二像素电极连接的第二子控制电路。本技术另一方面,提供一种双视场液晶显示装置制造方法,包括在下基板上通过构图工艺处理得到TFT电路和像素电极,其中,每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极;每个像素单元的TFT电路包括与所述第一像素电极连接的第一子TFT电路和与所述第二像素电极连接的第二子TFT电路。在上基板上通过构图工艺处理得到双视挡板、彩膜。将所述上基板和下基板对盒,并在盒中填充液晶。本技术另一方面,提供一种双视场OLED显示装置制造方法,包括在下基板上通过构图工艺处理得到控制电路。在形成有控制电路的所述下基板上形成EL层,其中,所述EL层包括金属阴极、像素电极和位于所述金属阴极和像素电极之间的有机发光材料,每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极;每个像素单元的控制电路包括与所述第一像素电极连接的第一子控制电路和与所述第二像素电极连接的第二子控制电路。在上基板上通过构图工艺处理得到双视挡板。将所述上基板覆盖在所述下基板上。本技术实施例提供的阵列基板,每个像素单元内包括的第一像素电极和第二像素电极可以单独驱动,可以在制作成显示面板(如液晶面板或OLED面板)后对对应区域的显示单独进行控制。进而可以将双视挡板制作在显示面板内,避免了增加新的工序或采用新的生产设备,从而降低了双视显示装置生产成本。本技术实施例提供的双视场液晶显示装置及其制造方法,通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个第一视场像素电极和第二视场像素电极,大幅度减小了单视场像素电极的宽度,从而扩大了每一单边视场的可视范围。这样一来,在不减薄玻璃基板厚度的基础上,实现了每一单边视场可视范围的扩大,降低了生广成本,提闻了基板的良率和可罪性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为现有的双视场液晶显示装置的结构示意图;图2为现有的双视场液晶显不装置的TFT阵列基板的结构不意图;图3为本技术实施例提供的一种双视场液晶显示装置的结构示意图;图4a为本技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;图4b为本技术实施例提供的另一双视场液晶显示装置的TFT阵列基板的结构示意图;图5为本技术实施例提供的一种双视场液晶显示装置与现有液晶显示装置的像素显示效果对比图;图6为本技术实施例提供的一种双视场液晶显示装置的显示原理图;图7为本技术实施例提供的另一双视场液晶显示装置的结构示意图;图8为本技术实施例提供的另一双视场液晶显不装置的显不原理图;图9a为本技术实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2012.02.09 CN 201210029090.81.一种阵列基板,包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素単元,每个像素単元包括像素电极和TFT电路,其特征在干, 每个像素単元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极; 每个像素単元的TFT电路包括与所述第一像素电极连接的第一子TFT电路和与所述第ニ像素电极连接的第二子TFT电路。2.根据权利要求I所述的阵列基板,其特征在于,在每个像素単元中,所有的所述第一像素电极构成第一梳状结构,所有的所述第二像素电极构成第二梳状结构,所述第一梳状结构与所述第二梳状结构相互交叉设置。3.根据权利要求I所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素电极、第二像素电极的宽度为1-20 μ m。4.根据权利要求I所述的阵列基板,其特征在于,所述第一子TFT电路的栅极和所述第ニ子TFT电路的栅极与同一条栅线连接;所述第一子TFT电路的源极和所述第二子TFT电路的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接;所述第一子TFT电路的漏极与所述第一像素电极连接,所述第二子TFT电路的漏极与所述第二像素电极连接。5.根据权利要求I 4任一项所述的阵列基板,其特征在于,在每个像素単元中,还包括位于所述阵列基板的衬底基板与所述像素电极之间的公共电极,所述公共电极为梳状或板状。6.一种双视场显示装置,包括显示面板和设置于所述显示面板之上的双视挡板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求I 5任一项所述的阵列基板。7.根据权利要求6所述的双视场显示装置,其特征在于,所述双视挡板的中心线与所述显示面板的显示区域的中心线重合。8.根据权利要求6或7所述的双视场显示装置,其特征在干,所述显示面板为液晶面板; 所述液晶面板包括阵列基板、彩膜基板以及填充在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶; 所述彩膜基板包括透明基板和设置于其上的彩膜; 所述阵列基板为权利要求I 5任一项所述的阵列基板。9.根据权利要求8所述的双视场...
【专利技术属性】
技术研发人员:武延兵,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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