清洁反应室的方法技术

技术编号:786151 阅读:200 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术揭露一种适于清洁一反应室内部表面的方法,且本发明专利技术对于将化学气相沉积室的内部表面上的氮化硅以及氧化硅残余物移除特别有效。该方法包括将三氟化氮气体与氧化亚氮气体于一等离子体中反应以产生一氧化氮与氟自由基;而由于自氧化亚氮所产生的一氧化氮自由基密度的增加将使得腔室内部表面的残余物的蚀刻以及移除率增加,因而可减少所需用于有效且迅速执行腔室清洁的三氟化氮数量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种清洁反应室的方法,包括下列步骤:提供一气体混合物,其包含氧化亚氮以及三氟化氮,其中一氧化亚氮/三氟化氮的体积比至少为0.2;引入该气体混合物至该反应室;以及以该气体混合物产生一等离子体。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:张简旭珂陈圣文张宏睿张振凉王英郎
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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