本发明专利技术公开了一种利用原子层沉积制备高精度光学宽带抗反射多层膜的方法，包括：1）利用原子层沉积技术，在基材上沉积第一折射率层，测得不同循环次数下的第一折射率层的厚度，并计算相应的生长速率，绘制成速率曲线；2）通过速率曲线确定稳态速率，找出过渡区的划分点，并得到该过渡区的划分点所对应的循环次数和生长速率，该循环次数和该生长速率的乘积为预沉积层厚度基准；3）在宽带抗反射多层膜初始膜系和基材之间引入一层预沉积层，并进行优化；4）利用原子层沉积技术，在新的基材按厚度优化值先沉积预沉积层，再交替沉积第二折射率层和第一折射率层，制备得到高精度光学宽带抗反射多层膜，精度极高，抗反射性能优异。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光学抗反射多层膜的制备领域，具体涉及一种。
技术介绍
原子层沉积(ALD)技术是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基底上化学吸附并反应而形成薄膜的一种方法。它由芬兰科学家于20世纪70年代提出。随着90年代中期微电子和深亚微米芯片技术的发展，ALD在半导体领域的应用愈发广泛。由于ALD表面反应的自限性，理论上ALD沉积的精度可以达到原子量级。此外，相对于传统的光学薄膜沉积方式而言，ALD生长的薄膜在沉积温度、聚集密度和保形性上有着不可比拟的优势，使得利用ALD制备光学薄膜逐渐成为人们研究的热点。ALD的表面反应具有自限制性，即在每个脉冲期间，气相前驱体只能与沉积表面活化的键位发生原子成键位的沉积反应，基材表面的活化位置的数量直接决定ALD制备薄膜·的生长速率。当ALD生长的薄膜均匀连续的时候，可供每轮反应的表面活化位置是由前期已均匀覆盖的薄膜表面提供的。因此，对于每个循环而言，数量基本统一，可以获得恒定的沉积速率。然而，对于普通的光洁基材而言，在薄膜生长初期，光洁基材表面活化键位的分布并不均匀，初始的ALD生长只能发生在基材的活化位置上，同时这些初始生长的薄膜也可以提供后续生长的活化位置。ALD生长的初期的活化位置是同时由基材和薄膜提供的，反应过程中数量并不恒定，造成了初期生长速率不稳的情况。大多数光学宽带抗反射多层膜系的第一层的厚度往往落在ALD沉积的过渡范围内，此时，如果对膜系中相同的材料采用统一的速率来沉积，势必会造成制备误差。目前ALD制备的光学薄膜只在单点抗反射膜这类简单膜系上有较为合格的结果，而在应用更为广泛的较为复杂的宽带抗反射多层膜方面的表现差强人意。现有的抗反射多层膜包括高折射率层和低折射率层，并且高折射率层和低折射率层交替排列。Yaowei Wei等人在题为《Laser damage properties ofTi02/Al203 thin films grown by atomic layerdeposition》的文章中提出了利用ALD技术制备1064nm单点抗反膜,见Appl. Opt.的第50期第4720-4726页的记载。在1064nm单点实现了较好的抗反效果，但该膜系过于简单，对各种误差不敏感，沉积时间也较短，所以无法普适地用于复杂光学薄膜的制备中。AdrianaSzeghalmi 等人在题为《Atomic layer deposition of Al2O3 and Ti02multilayers forapplications as bandpass filters and antireflection coatings〉〉的文章中提出了利用ALD技术制备带通滤光片和抗反射膜，见Appl. Opt.的第48期第1727-1732页的记载。文中认为ALD生长的薄膜为简单的线性生长模型，对于相同的材料以统一的速率加以沉积，并未考虑光洁基板上薄膜生长初期生长速率不稳定的情况。制备的抗反射膜结果较差，在400nm-600nm带宽范围内，透过率无法满足要求。相对于传统成熟的光学薄膜沉积方法而言，制备误差比较大，不足以运用到实际的科研或生产中，无法满足实际的科研或生产的需要。
技术实现思路
本专利技术针对ALD生长的初期由于基材上羟基分布不均导致生长速率不稳定，难以准确制备复杂多层抗反射膜的技术问题，提供了在一种无监控条件下，利用ALD制备高精度光学宽带抗反射多层膜的方法，通过对基材上ALD过渡区范围的划定，提出了引入预沉积层的光学抗反射多层膜的制备方法，从而能够使得ALD制备的宽带抗反射多层膜的带宽(400nnT680nm)精度极高，反射率很低，抗反射性能优异。一种，包括以下步骤I)利用原子层沉积技术，在基材上沉积第一折射率层，所述的第一折射率层由不同循环次数下累积膜得到，测得不同循环次数下的第一折射率层的厚度，并计算相应的生长速率，以循环次数为横坐标、以生长速率为纵坐标绘制成速率曲线； 所述的生长速率(nm/cycle)=第一折射率层的厚度/该厚度下对应的循环次数；一次循环是指原子层沉积技术中两种气相反应前驱体分别通入反应腔，完成一次膜的生长的过程。循环次数为I是ALD反应中两种气相前驱体脉冲分别交替通入反应腔一次，完成一次反应生长膜，循环次数为2，重复上述过程一次，以此类推，第一折射率层的厚度下对应的循环次数，是指累积完成膜沉积的生长次数；2)通过速率曲线确定稳态速率，速率曲线上在达到稳态速率之前临近稳态速率且生长速率的波动小于等于稳态速率的10%的点作为过渡区的划分点，并得到该过渡区的划分点所对应的循环次数和生长速率，该循环次数和该生长速率的乘积即为预沉积层厚度基准，即原子层沉积在基材上过渡区的厚度；3)在宽带抗反射多层膜初始膜系和基材之间引入一层预沉积层，所述的宽带抗反射多层膜初始膜系由第二折射率层和第一折射率层交替排列组成，然后对宽带抗反射多层膜初始膜系和预沉积层进行优化，优化过程中约束预沉积层厚度大于预沉积层厚度基准，得到预沉积层、第二折射率层和第一折射率层的厚度优化值；4)利用原子层沉积技术，在新的基材上按所述厚度优化值先沉积预沉积层，再交替沉积第二折射率层和第一折射率层，制备得到高精度光学宽带抗反射多层膜。所述的宽带抗反射多层膜初始膜系由第二折射率层和第一折射率层交替组成，第二折射率层是指高折射率层，第一折射率层是指低折射率层。所述的高精度是指设计带宽(400nnT680nm)内，实际平均反射率和设计平均反射率差别小于等于O. 2%。本专利技术采用引入预沉积层的方法，通过单层膜实验确定光洁基材上ALD过渡区的范围，在膜系和基材之间引入一层预沉积层，在重新优化的过程中控制其厚度大于基材上过渡区的厚度，优化后利用原子层沉积技术制备得到高精度光学宽带抗反射多层膜。得到的高精度光学宽带抗反射多层膜可以统一用稳定的速率控制，不需要考虑过渡区速率不稳的影响。基材可选用透明材料，作为优选，所述的基材，包括步骤I)和步骤3)的基材以及步骤4)中新的基材，均为各类光学玻璃或者光学塑料，具有较好的透明性，可以保证光的透过率。作为优选，所述的第一折射率层作为低折射率层，为Si02、Al2O3或者MgF2。作为优选,所述的预沉积层也为低折射率层，为Si02、Al2O3或者MgF2。作为优选，所述的第二折射率层作为高折射率层，为Ti02、HfO2或者LaF3，上述材料为高折射率材料，为通常宽带抗反射多层膜初始膜系中的第一层的材料。步骤2)中，所述的过渡区是ALD制备薄膜初期，薄膜不稳定生长的一段区域。基材上过渡区的厚度是指过渡区中所生长的薄膜的厚度。所述的过渡区的划分点为速率曲线上在达到稳态速率之前临近稳态速率且生长速率的波动小于等于稳态速率的10%的点，即该点位置，表明过渡区结束。作为优选，所述的稳态速率指生长速率处于稳定状态时的起始生长速率，所述的稳定状态指速率曲线上的连续的多个点的切线斜率的绝对值均小于等于O. I的点的集合。所述的连续的多个点一般是指连续10个以上的循环次数下对应的点。作为优选，所述的过渡区的划分点为速率曲线上在达到稳态速率之前临近稳态速率且达到稳态速率O. 9(Γ0. 93倍或者I. 07 I. 10倍的点，从而能够准确划分过渡区，得到准本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种利用原子层沉积制备高精度光学宽带抗反射多层膜的方法，包括以下步骤 . 1)利用原子层沉积技术，在基材上沉积第一折射率层，所述的第一折射率层由不同循环次数下累积膜得到，测得不同循环次数下的第一折射率层的厚度，并计算相应的生长速率，以循环次数为横坐标、以生长速率为纵坐标绘制成速率曲线； . 2)通过速率曲线确定稳态速率，速率曲线上在达到稳态速率之前临近稳态速率且生长速率的波动小于等于稳态速率的10%的点作为过渡区的划分点，并得到该过渡区的划分点所对应的循环次数和生长速率，该循环次数和该生长速率的乘积即为预沉积层厚度基准； .3)在宽带抗反射多层膜初始膜系和基材之间引入一层预沉积层，所述的宽带抗反射多层膜初始膜系由第二折射率层和第一折射率层交替排列组成，然后对宽带抗反射多层膜初始膜系和预沉积层进行优化，优化过程中约束预沉积层厚度大于预沉积层厚度基准，得到预沉积层、第二折射率层和第一折射率层的厚度优化值； . 4)利用原子层沉积技术，在新的基材上按所述厚度优化值先沉积预沉积层，再交替沉积第二折射率层和第一折射率层，制备得到高精度光学宽带抗反射多层膜。2.根据权利要求I所述的利用原子层沉积制备高精度光学宽带抗反射多层膜的方法，其特征在于，所述的基材为光学玻璃或者光学塑料。...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈伟东，李旸晖，章岳光，刘旭，郝翔，范欢欢，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：
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