一种用于制造太阳能级硅的生产工艺制造技术

本发明专利技术公开一种用于制造太阳能级硅的生产工艺，步骤如下：选择纯度在98～99.5％以上的冶金级金属硅，硼元素含量＜50ppm，磷元素含量＜100ppm；高温液态萃取硅液中的硼、磷；硅液凝固；破碎研磨；表面浸蚀；水洗干燥；高温等离子除硼；高温真空精炼去磷、铝和钙；单向凝固；后处理。本发明专利技术获得的多晶硅锭，硼＜0.06ppm，磷＜0.01ppm，总金属含量＜0.01ppm，电阻率＞1.0Ω·cm，直接切片用于制造太阳能电池片，可以获得15％以上的光电转换效率；直拉单晶后切片用于制造太阳能电池片，可以获得16％以上的光电转换效率；经过区域熔融法拉单晶后切片用于制造太阳能电池片，可以获得17％以上的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘荣隆，郑敏，
申请(专利权)人：矽明科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：