一种真空吸附陶瓷移动盘抛光机制造技术

本实用新型专利技术涉及晶片抛光技术领域，公开了一种真空吸附陶瓷移动盘抛光机，其包括：抛光机机身(1)、位于其下端可旋转的抛光机上盘(2)；与所述抛光机上盘(2)底面连接的陶瓷移动盘(3)；所述陶瓷移动盘(3)与抛光机上盘(2)之间通过真空吸附连接。由于陶瓷材料抗腐蚀，受热胀冷缩的影响小，受力时不易变形等优点，本实用新型专利技术采用将原铝合金移动盘(3′)替换为陶瓷移动盘(3)，相对于使用铝合金移动盘(3′)时的抛光晶片平整度7-9μm，使用陶瓷移动盘(3)可以使抛光晶片平整度提高到4-5μm。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶片抛光
，特别是涉及ー种真空吸附陶瓷移动盘抛光机。
技术介绍
集成电路遵循摩尔定律发展的趋势，电子产品形成了移动化的潮流。从而促使电子产品向轻、薄、微、小发展。由于整体产品的这些特征要求，构成产品的部件精度要求也在不断的提闻。晶片是集成电路的衬底材料，提闻晶片的精度是提闻集成电路精度的基础，晶片表面的平整度是精度的主要指标。晶片的平整度是靠抛光机抛光保证的，单面抛光是将待抛光的晶片放入粘结在移动盘的衬底上，固定后将移动盘装卡到抛光机的上盘上。利用上 盘的传动扭矩进行抛光，移动抛光盘的平整度直接影响着晶片的平整度。以往移动盘是用铝合金制造的，铝合金移动盘与上盘的连接关系是结合图I及图2所示，抛光机上盘2圆周镶嵌着12块磁铁9，铝合金移动盘3'在相应的位置安装着12块铁8，进行抛光时安放好晶片将铝合金移动盘3'上的铁8对正抛光机上盘2的磁铁9，使铝合金移动盘3'与抛光机上盘2吸合，启动电机通过三角带轮7、传动轴6将扭矩经抛光机上盘2传递给铝合金移动盘3'，进行抛光。由于铝合金移动盘3'受热胀冷缩的影响，使盘面的平整度受到破坏，直接影响到晶片的平整度，故需经常对铝合金盘面进行修磨。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题本技术要解决的技术问题是提供ー种新型抛光机，该抛光机移动盘的盘面不易受热胀冷缩的影响，从而可以进ー步提高晶片的抛光质量。( ニ )技术方案为了解决上述技术问题，本技术提供了ー种真空吸附陶瓷移动盘抛光机，其包括抛光机机身、位于其下端可旋转的抛光机上盘；与所述抛光机上盘底面连接的陶瓷移动盘；所述陶瓷移动盘与抛光机上盘之间通过真空吸附连接。其中，所述陶瓷移动盘与所述抛光机上盘接触的表面设置有真空气室。其中，所述真空气室为均匀分布，并连通到位于所述陶瓷移动盘中心的真空源接ロ，所述真空气室的面积为陶瓷移动盘面积的40% -50%。其中，所述真空气室为环形。其中，所述真空气室的深度为0.5-lmm。其中，抛光机上盘通过传动轴连接到带轮，所述带轮由动カ装置驱动转动；所述传动轴的轴心打通孔，引入真空源，在所述传动轴的真空引入端用旋转接头连接到真空管道，用于传动轴旋转时真空管道保持不转。其中，与所述陶瓷移动盘接触的抛光机上盘的贴合面形位公差平面度2级精度以上。(三)有益效果上述技术方案所提供的真空吸附陶瓷移动盘抛光机中，其包括抛光机机身、位于其下端可旋转的抛光机上盘；与所述抛光机上盘底面连接的陶瓷移动盘；所述陶瓷移动盘与抛光机上盘之间通过真空吸附连接。由于陶瓷材料抗腐蚀，受热胀冷缩的影响小，受カ时不易变形等优点，本技术采用将原铝合金移动盘替换为陶瓷移动盘，相对于使用铝合金移动盘时的抛光晶片平整度7-9 μ m，使用陶瓷移动盘可以使抛光晶片平整度提高到4-5 μ m0附图说明图I是现有技术中铝合金移动盘真空吸附陶瓷移动盘抛光机的结构示意图；图2是图I中铝合金移动盘的仰视图；图3是本技术实施例的真空吸附陶瓷移动盘抛光机的结构示意图；图4是图3中的陶瓷移动盘的仰视图；其中，I :抛光机机身；2 :抛光机上盘；3 :陶瓷移动盘；3':铝合金移动盘；4 :真空气室；5 :真空源接ロ ；6 :传动轴；7 :带轮；8 :铁；9 :磁铁；10 :通孔。具体实施方式以下结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进ー步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。结合图3及图4所示，本实施例的提供了ー种真空吸附陶瓷移动盘抛光机，其包括抛光机机身I、位于其下端可旋转的抛光机上盘2 ;与抛光机上盘2底面连接的陶瓷移动盘3 ;由于陶瓷材料抗腐蚀，受热胀冷缩的影响小，受カ时不易变形等优点，我们将铝合金移动盘3'改成了陶瓷移动盘3。用铝合金移动盘3'抛光晶片平整度可控制在7-9 μ m，而用陶瓷移动盘3可提高到4-5 μ m。由于陶瓷移动盘不能进行机械加工或安装连接部件，采用了真空吸附的方法解决了陶瓷移动盘3与抛光机上盘2连接问题，使抛光机上盘2的传动扭矩传递给陶瓷移动盘3，解决了在抛光机使用陶瓷移动盘3问题。结合如图4中所示，陶瓷移动盘3与抛光机上盘2接触的表面设置有真空气室4。真空气室4为均匀分布，并连通到位于陶瓷移动盘3中心的真空源接ロ 5，真空气室4的面积为陶瓷移动盘3面积的40% -50%。优选的如图4中的真空气室4为环形，也可以将其设计为辐射状等形状，一切均匀分布并可与中心的真空源接ロ 5连通的真空气室4方式均可适用于本技术。。本实施例的具体原理为在抛光机上盘2与陶瓷移动盘3连接面上加设有环形真空气室，气室深度O. 5-lmm。抛光机上盘2与陶瓷移动盘3的贴合面要加工到GBl 184-80形位公差平面度2级精度以上，以保证陶瓷移动盘3吸合后平面度不受抛光机上盘2的影响。抛光机上盘2通过传动轴6连接到带轮7，带轮7由动カ装置驱动转动。传动轴6的轴心打通孔10，引入真空源，在传动轴6的真空引入端用旋转接头连接到真空管道，用于传动轴6旋转时真空管道保持不转。具体的工作步骤为工作时将放置好晶片的陶瓷移动盘3与抛光机上盘2贴合，脚踏真空开关，引入真空使陶瓷移动盘与抛光机上盘吸合，就可以进行抛光了。此时电机的扭矩通过带轮7、具有中心通孔10的传动轴6、通过抛光机上盘2传递给了加工有真空气室4的陶瓷移动盘3。工作完毕时，操作者双手托住陶瓷移动盘3，脚踏真空开关切断真空，使陶瓷移动盘3脱离抛光机上盘2后并取下陶瓷移动盘3，即完成抛光。由以上实施例可以看出，本技术实施例提供了一种移动盘真空吸附陶瓷移动盘抛光机，其包括抛光机机身I、位于其下端可旋转的抛光机上盘2 ;与抛光机上盘2底面连接的陶瓷移动盘3 ;陶瓷移动盘3与抛光机上盘2之间通过真空吸附连接。由于陶瓷材料抗腐蚀，受热胀冷缩的影响小，受力时不易变形等优点，本技术采用将原铝合金移动盘3'替换为陶瓷移动盘3，相对于使用铝合金移动盘3'时的抛光晶片平整度7-9 μ m，使用陶瓷移动盘3可以使抛光晶片平整度提高到4-5 μ m。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技 术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空吸附陶瓷移动盘抛光机，其特征在于，其包括抛光机机身(I)、位于其下端可旋转的抛光机上盘(2);与所述抛光机上盘(2)底面连接的陶瓷移动盘(3);所述陶瓷移动盘(3)与抛光机上盘(2)之间通过真空吸附连接。2.如权利要求I所述的真空吸附陶瓷移动盘抛光机，其特征在于，所述陶瓷移动盘(3)与所述抛光机上盘(2)接触的表面设置有真空气室(4)。3.如权利要求2所述的真空吸附陶瓷移动盘抛光机，其特征在于，所述真空气室(4)为均匀分布，并连通到位于所述陶瓷移动盘(3)中心的真空源接口(5)，所述真空气室(4)的面积为陶瓷移动盘(3)面积的40% -50%。4.如权利要求2所述的真空吸...

【专利技术属性】
技术研发人员：张孝忠，刘文森，
申请(专利权)人：北京通美晶体技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：