一种LED驱动电路及灯具制造技术

本发明专利技术适用于灯具领域，提供了一种LED驱动电路。LED驱动电路包括升压单元、放大单元以及单片机。在本发明专利技术中，LED驱动电路分别与电池BTl和LED灯连接，LED驱动电路包括由电感和N型MOS管构成的升压单元、由NPN型三极管和PNP型三极管构成的放大单元以及单片机，该LED驱动电路可由电池供电，具有电路结构简单的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于灯具领域，尤其涉及一种LED驱动电路及灯具。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，新产品新技术不断革新，LED作为新型光源，它有着节能、环保、高效的特点，技术已经成熟并应用于各个领域，LED作为照明光源被广泛使用，随之也出现了各种各样的LED驱动电路。随着微电子技术的发展，目前也出现了利用电池供电的LED灯具，但是，该灯具的LED驱动电路存在电路结构复杂的问题
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种LED驱动电路，旨在解决现有的利用电池供电的LED灯具的LED驱动电路存在电路结构复杂的问题。本专利技术是这样实现的，一种LED驱动电路，分别与电池BTl和LED灯连接，所述LED驱动电路包括由电感LI和N型MOS管Q4构成的升压单元、由NPN型三极管Ql和PNP型三极管Q2构成的放大单元以及单片机Ul ；所述电感LI的第一端接所述电池BTl的正极，所述电感LI的第二端同时接所述N型MOS管Q4的漏极和LED灯的正极，所述N型MOS管Q4的源极接地，所述N型MOS管Q4的栅极同时接NPN型三极管Ql的发射极和PNP型三极管Q2的发射极，所述NPN型三极管Ql的集电极接所述电感LI的第一端，所述PNP型三极管Q2的集电极接地，所述NPN型三极管Ql和PNP型三极管Q2的基极同时接所述单片机Ul的第一输出端。本专利技术的另一目的在于提供一种包括上述LED驱动电路的灯具。在本专利技术中，LED驱动电路分别与电池BTI和LED灯连接，LED驱动电路包括由电感和N型MOS管构成的升压单元、由NPN型三极管和PNP型三极管构成的放大单元以及单片机，该LED驱动电路可由电池供电，具有电路结构简单的优点。附图说明图I是本专利技术实施例中的LED驱动电路的电路结构图。具体实施例方式为了使本专利技术的目的、原理及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图I示出了本专利技术实施例提供的LED驱动电路的示意结构，为了便于说明，仅示出了与本专利技术实施例相关的部分，详述如下。LED驱动电路，分别与电池BTI和LED灯连接，LED驱动电路包括由电感LI和N型MOS管Q4构成的升压单元100、由NPN型三极管Ql和PNP型三极管Q2构成的放大单元200以及单片机Ul ；电感LI的第一端接电池BTl的正极，电感LI的第二端同时接N型MOS管Q4的漏极和LED灯的正极，N型MOS管Q4的源极接地，N型MOS管Q4的栅极同时接NPN型三极管Ql的发射极和PNP型三极管Q2的发射极，NPN型三极管Ql的集电极接电感LI的第一端，PNP型三极管Q2的集电极接地，NPN型三极管Ql和PNP型三极管Q2的基极同时接单片机Ul的第一输出端OUTl。作为本专利技术一实施例，LED驱动电路还包括由N型MOS管Q5和驱动信号放大模块构成的开关控制单元300 ； 驱动信号放大模块的输入端接单片机Ul的第二输出端0UT2，驱动信号放大模块的输出端接N型MOS管Q5的栅极，N型MOS管Q5的漏极接电池BTl的正极，N型MOS管Q5的源极同时接电感LI的第一端和NPN型三极管Ql的集电极。作为本专利技术一实施例，LED驱动电路还包括过压保护单元400，过压保护单元400包括击穿二极管D2、分压电阻R5、分压电阻R7和NPN型三极管Q3，击穿二极管D2的负极接LED灯的正极，击穿二极管D2的正极接分压电阻R5的第一端，分压电阻R5的第二端接NPN型三极管Q3的基极，NPN型三极管Q3的发射极接地，NPN型三极管Q3的集电极同时接NPN型三极管Ql和PNP型三极管Q2的基极，分压电阻R7连接在所述NPN型三极管Q3的基极与发射极之间。作为本专利技术一实施例，LED驱动电路还包括二极管Dl，二极管Dl连接在电源和N型MOS管Q5的漏极之间，用于防止电源反接。作为本专利技术一实施例，LED驱动电路还包括二极管D4和电阻R6，二极管D4连接在电感LI的第二端与LED灯的正极之间，电阻R6连接在单片机Ul的第一输出端OUTl、NPN型三极管Ql和PNP型三极管Q2的基极之间。作为本专利技术一实施例，单片机Ul型号为HT66R)3C。LED驱动电路的工作原理为N型MOS管Q5的漏极接电池BTl的正极，N型MOS管Q5的栅极通过驱动信号放大模块接单片机Ul的第二输出端0UT2，N型MOS管Q5在单片机Ul的控制下导通和断开，控制LED灯供电回路的通断，由电感LI和N型MOS管Q4构成的升压单元100通过放大单元200接单片机Ul的第一输出端0UT1，升压单元100在单片机Ul输出的PWM脉冲信号的控制下，将N型MOS管Q5的源极输出的电压升高到设定值；当LED灯正极的电压过高时，击穿二极管D2被击穿，NPN型三极管Q3基极电压为高电平，NPN型三极管Q3导通，NPN型三极管Ql和PNP型三极管Q2的基极接地，放大单元200不再放大单片机Ul输出的PWM脉冲信号，升压单元100停止工作，从而保护LED灯。本专利技术实施例还提供一种包括上述LED驱动电路的灯具。在本专利技术实施例中，LED驱动电路分别与电池BTI和LED灯连接，LED驱动电路包括由电感和N型MOS管构成的升压单元、由NPN型三极管和PNP型三极管构成的放大单元以及单片机，该LED驱动电路可由电池供电，具有电路结构简单的优点。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保 护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种LED驱动电路，分别与电池BTl和LED灯连接，其特征在于，所述LED驱动电路包括 由电感LI和N型MOS管Q4构成的升压单元、由NPN型三极管Ql和PNP型三极管Q2构成的放大单元以及单片机Ul ； 所述电感LI的第一端接所述电池BTl的正极，所述电感LI的第二端同时接所述N型MOS管Q4的漏极和LED灯的正极，所述N型MOS管Q4的源极接地，所述N型MOS管Q4的栅极同时接NPN型三极管Ql的发射极和PNP型三极管Q2的发射极，所述NPN型三极管Ql的集电极接所述电感LI的第一端，所述PNP型三极管Q2的集电极接地，所述NPN型三极管Ql和PNP型三极管Q2的基极同时接所述单片机Ul的第一输出端。2.如权利要求I所述的LED驱动电路，其特征在于，所述LED驱动电路还包括 由N型MOS管Q5和驱动信号放大模块构成的开关控制単元； 所述驱动信号放大模块的输入端接所述单片机Ul的第二输出端，所述驱动信号放大模块的输出端接所述N型MOS管Q5的栅极，所述N型MOS管Q5的漏极接所述电池BTl的正极，所述N型MOS管Q5的源极同时接所述电感LI的第一端和NPN型三极管Ql的集电极。3.如权利要求I所述的LED驱动电路，其特征在于，所述LED驱动电路还包括过压保护单元，所述过压保护单元包括击穿ニ极管D2、分压电阻R5、分压电阻R7和NPN型三极管Q3，所述击穿ニ极管D2的负极接LED灯的正极，所述击穿ニ极管D2的正极接所述分压电阻R5的第一端，所述分压电阻R5的第二端接所述NPN型三极管Q3的基极，所述NPN型三极管Q3的发射极接地，所述NPN型三极管Q3的集电极同时接所述NPN型三极管Ql和PNP型三极管Q2的基极，所述分压电阻R7连接在所述NPN型三极管Q3的基极与发射极之间。4.如权利要求2所述的LED驱动电路，其特征在于，所述LED驱动电路还包括ニ极管Dl，所述ニ极管Dl连接在电源和N型MOS管Q5的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，陈显云，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：