【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氧化铝陶瓷衰减片，特别涉及ー种高精度氧化铝陶瓷基板I瓦2dB的衰减片。
技术介绍
目前集成了三个膜状电阻设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率同时还能抽取需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。由于国外对同类产品的研发与制造比国内起步早，无论在产品系列还是产品特性 上都处于优势地位。同时国内市场上现有的衰减片衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是ー个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术要解决的技术问题是提供ー种阻抗满足50± I. 5 Ω，在3G频段以内衰减精度为2±O. 5dB,驻波要求输入、输出端在I. 2以内，能够满足目前3G网络的应用要求的功率氧化铝陶瓷基板I瓦2dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案ー种高精度氧化铝陶瓷基板I瓦2dB衰减片，包括ー长3. 5mm、宽2mm、厚度O.635mm的高导热氧化铝陶瓷基板，所述氧化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线，所述银浆导线通过高温烧结膜状电阻连通，所述氧化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层，所述正导和背导通过低温银浆导通。优选的，所述高温烧结膜状电阻上印刷有玻璃保护膜。优选的，所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有ー...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高精度氧化铝陶瓷基板I瓦2dB衰减片，其特征在于包括一长3. 5_、宽2_、厚度0. 635mm的高导热氧化铝陶瓷基板，所述氧化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线，所述银浆导线通过高温烧结膜状电阻连通，所述氧化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建良，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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