本发明专利技术提供一种LTPS?TFT阵列基板及其制作方法，该LTPS?TFT阵列基板包括：基板；栅电极，形成于基板上方；栅绝缘层，覆盖于基板和栅电极上方；有源层，形成于栅绝缘层对应栅电极的上方；源漏电极，形成于有源层上方；像素电极，形成于源漏电极和栅绝缘层上方。本发明专利技术的LTPS?TFT阵列基板采用底栅型TFT设计，将有源层和源漏电极通过一个掩模板经同一次光刻工艺得到，简化了制作流程，缩短了生产时间，降低了产品成本，提高了产品质量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜晶体管(TFT)的制作技术，具体涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)阵列基板及其制作方法。
技术介绍
由于非晶硅本身自有的缺陷问题，如缺陷态多导致的开态电流低、迁移率低、稳定性差等，使其在很多领域的应用受到限制。为了弥补非晶硅本身的缺陷，扩大相应产品在相关领域的应用，低温多晶娃(LTPS, Low Temperature PloySilicon)技术就应运而生。如图I所示，传统的LTPS TFT阵列基板从下到上依次包括基板10、缓冲(Buffer)层11、有源(A-Si)层12、绝缘层13、栅电极14、栅绝缘层15、源漏电极16、钝化层17、像素电极(ITO) 18及保护(Resin)层19。为了实现该LTPS TFT阵列基板需要进行 7次曝光，主要的制作步骤如下步骤I :在基板上沉积缓冲层及有源层，采用有源层掩模板(A-Si Mask)形成有源层图形，然后在有源层上沉积绝缘层；步骤2 :在完成步骤I处理后的基板上沉积栅电极金属层(Gate Metal)，采用栅电极掩模板(Gate Mask)形成包括栅电极、栅线(图中未示出)及公共电极线(图中未示出)的金属层图形；步骤3 :在完成步骤2处理后的基板上沉积栅绝缘层，采用接触孔掩模板(ContactHole Mask)形成位于有源层上方的接触孔，以用于源漏电极与有源层的连接；步骤4 :在完成步骤3处理后的基板上沉积数据线金属层(Date Metal)，采用源漏电极掩模板(S/D Mask)形成包括源漏电极及数据线(图中未示出)的金属层图形；步骤5 :在完成步骤4处理后的基板上沉积钝化层，采用过孔掩模板(VIAHoleMask)在钝化层上形成过孔，以将像素电极与源漏电极桥接；步骤6 :在完成步骤5处理后的基板上沉积像素电极层，采用像素电极掩模板(ΙΤ0Mask)形成包括像素电极的像素电极层图形；步骤7 :在完成步骤6处理后的基板上沉积保护层，采用保护层掩模板(ResinMask)形成平坦化层。上述LTPS TFT阵列基板的制作工艺比较复杂，制作流程繁多，生产时间较长，造成其制作成本增加，难与非晶硅TFT产品进行竞争，且采用的掩模板(Mask)数量较多，生产中容易出现对合精度差的问题，不利于提高产品质量。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种LTPS TFT阵列基板及其制作方法，减少制作工艺中使用的掩模板数量，简化制作流程，缩短生产时间，降低成本，提高产品质量。为了达到上述目的，本专利技术提供一种低温多晶硅薄膜晶体管LTPS TFT阵列基板，所述LTPS TFT阵列基板包括基板、栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极及像素电极；其中，栅电极，形成于基板上方；栅绝缘层，覆盖于基板和栅电极上方；有源层，形成于栅绝缘层对应栅电极的上方；源漏电极，形成于有源层上方；像素电极，形成于源漏电极和栅绝缘层上方。进一步地，所述LTPS TFT阵列基板还包括保护层，所述保护层形成于源漏电极、有源层、像素电极和栅绝缘层上方，并形成有位于像素电极上方的过孔。进一步地，所述有源层和源漏电极通过一个掩模板经同一次光刻工艺得到。·进一步地，所述LTPS TFT阵列基板还包括栅电极金属层测试线和数据线金属层测试线，所述栅绝缘层上形成有接触孔，所述接触孔内填充有源层，将栅电极金属层测试线与数据线金属层测试线桥接。进一步地，所述LTPS TFT阵列基板还包括栅电极金属层测试线和数据线金属层测试线，所述栅绝缘层上形成有接触孔，所述接触孔内填充像素电极材料，将栅电极金属层测试线与数据线金属层测试线桥接。进一步地，所述LTPS TFT阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层位于基板上方，栅电极以及栅绝缘层的下方。为了达到上述目的，本专利技术还提供一种LTPS TFT阵列基板的制作方法，所述方法包括步骤I、在基板上沉积栅电极金属层，采用第一块掩模板形成包含栅电极的金属层图形；步骤2、在完成步骤I处理后的基板上沉积栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖于基板及栅电极上方；步骤3、在完成步骤2处理后的基板上依次形成多晶硅层和数据线金属层，采用第三块掩模板形成包括有源层及源漏电极的金属层图形，所述有源层位于栅绝缘层对应栅电极的上方，所述源漏电极位于有源层上方；步骤4 :在完成步骤3处理后的基板上沉积像素电极层，采用第四块掩模板形成包括像素电极的像素电极层图形，所述像素电极位于源漏电极和栅绝缘层上方。进一步地,所述方法还包括步骤5 :在完成步骤4处理后的基板上沉积保护层，采用第五块掩模板在保护层上形成过孔，所述过孔位于像素电极上方。进一步地，所述步骤I还包括采用第一块掩模板形成栅电极金属层测试线；所述步骤2还包括采用第二块掩模板在栅绝缘层上形成接触孔；所述步骤3还包括采用第三块掩模板形成数据线金属层测试线，且步骤3中形成的有源层填充在接触孔内，将栅电极金属层测试线与数据线金属层测试线桥接。进一步地，所述步骤I中还包括采用第一块掩模板形成栅电极金属层测试线；所述步骤2还包括采用第二块掩模板在栅绝缘层上形成接触孔；所述步骤3还包括采用第三块掩模板形成数据线金属层测试线，且步骤4中形成的像素电极材料填充在接触孔内，将栅电极金属层测试线与数据线金属层测试线桥接。进一步地，所述第三块掩模板为半色调掩模板或灰色调掩模板。进一步地，在所述步骤I之前，所述方法还包括在基板上沉积缓冲层。进一步地，所述步骤3中形成多晶硅层具体为在完成步骤2处理后的基板上沉积非晶硅层，再利用结晶化方法使非晶硅结晶形成多晶硅。与传统的LTPS TFT阵列基板及其制作方法相比，本专利技术的LTPS TFT阵列基板及其制作方法主要有以下优点一、本专利技术的LTPS TFT阵列基板采用底栅型TFT设计，将有源层和源漏电极通过一个掩模板经同一次光刻工艺得到，减少了 LTPS TFT阵列基板制作工艺中使用的掩模板数量，减少了曝光次数，简化了制作流程，缩短了生产时间，降低了产品成本；二、由于通过一个掩模板直接制作出了有源层和源漏电极，因此提高了源漏电极与有源层的对合度，从而提高了 TFT特性以及产品质量。附图说明 图I为传统的LTPS TFT阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术一个实施例的LTPS TFT阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术的LTPS TFT阵列基板中栅电极金属层测试线与数据线金属层测试线桥接的示意图一；图4为本专利技术的LTPS TFT阵列基板中栅电极金属层测试线与数据线金属层测试线桥接的示意图二；图5为本专利技术另一个实施例的LTPS TFT阵列基板的结构示意图；图6为本专利技术实施例采用第一块掩模板形成栅电极及栅电极金属层测试线的示意图；图7为本专利技术实施例采用第二块掩模板形成栅绝缘层接触孔的示意图；图8为本专利技术实施例采用第三块掩模板形成有源层、源漏电极及数据线金属层测试线的示意图；图9为本专利技术实施例采用第四块掩模板形成像素电极的示意图。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术的LTPS TFT阵列基板作进一步详细说明。 本专利技术的LTPS TFT阵列基板采用底栅型TFT结构设计，如图2所示，本专利技术的LTPSTFT阵列基板包括基板20 ;缓冲层21，形成于基板20上方；栅电极22a，形成于缓冲层21上方；栅绝缘层23，覆盖于栅电极22a和缓冲层21本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管LTPS TFT阵列基板，其特征在于，所述LTPSTFT阵列基板包括基板、栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极及像素电极；其中， 栅电极，形成于基板上方； 栅绝缘层，覆盖于基板和栅电极上方； 有源层，形成于栅绝缘层对应栅电极的上方； 源漏电极，形成于有源层上方； 像素电极，形成于源漏电极和栅绝缘层上方。2.如权利要求I所述的LTPSTFT阵列基板，其特征在于，所述LTPS TFT阵列基板还包括保护层，所述保护层形成于源漏电极、有源层、像素电极和栅绝缘层上方，并形成有位于像素电极上方的过孔。3.如权利要求I所述的LTPSTFT阵列基板，其特征在于，所述有源层和源漏电极通过一个掩模板经同一次光刻工艺得到。4.如权利要求I所述的LTPSTFT阵列基板，其特征在于，所述LTPS TFT阵列基板还包括栅电极金属层测试线和数据线金属层测试线，所述栅绝缘层上形成有接触孔，所述接触孔内填充有源层，将栅电极金属层测试线与数据线金属层测试线桥接。5.如权利要求I所述的LTPSTFT阵列基板，其特征在于，所述LTPS TFT阵列基板还包括栅电极金属层测试线和数据线金属层测试线，所述栅绝缘层上形成有接触孔，所述接触孔内填充像素电极材料，将栅电极金属层测试线与数据线金属层测试线桥接。6.如权利要求I所述的LTPSTFT阵列基板，其特征在于，所述LTPS TFT阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层位于基板上方，栅电极以及栅绝缘层的下方。7.—种LTPS TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括 步骤I、在基板上沉积栅电极金属层，采用第一块掩模板形成包含栅电极的金属层图形； 步骤2、在完成步骤I处理后的基板上沉积栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖于基板及...
【专利技术属性】
技术研发人员：马占洁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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