本发明专利技术提供了一种AMOLED像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置，所述AMOLED像素单元驱动电路包括开关单元，第一输入端与提供充电电流的电流源连接，第二输入端与OLED连接；存储电容，第一端与所述开关单元的输出端连接，第二端连接到低电平；驱动薄膜晶体管，栅极与所述存储电容的第一端连接，源极连接到低电平；以及分流单元，一端接低电平；本发明专利技术通过分流方式，使得充电电流Idata和流过OLED的电路Ioled之间具有较大的缩放比例，保证Ioled在OLED工作电流范围内，而Idata可以为较大电流，从而加快了对存储电容Cst的充电速度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示驱动技术，尤其涉及ー种AMOLED像素单元驱动电路和方法、像素単元以及显示装置。
技术介绍
AMOLED能够发光是由于驱动TFT在饱和状态时产生的电流所驱动，即电流驱动发光。图I为已有基本电流型AMOLED(有源矩阵有机发光二极管面板)像素结构原理图。如图I所示，已有基本电流型AMOLED像素结构包括0LED、Tl、T2、T3、T4和存储电容Cst，其中Tl为驱动薄膜晶体管，T2、T3、T4为控制薄膜晶体管，T2的栅极和T3的栅极与输出控制信号CNl的控制线连接，T4的栅极与输出控制信号CN2的控制线连接。该已有电流型AMOLED像素结构直接由外部加入驱动电流Idata，以决定存储电容Cst上的电压，从而产生 驱动OLED(有机发光二极管)发光的驱动电流Ioled。在基本电流型AMOLED像素结构中，Ioled等于Idata，而由于Ioled必须在OLED的工作电流范围内，为较小电流，因此Idata也较小，存储电容Cst为大电容，充电速度较慢，特别在低灰阶下，充电时间很长，不适用于高分辨率、高刷新频率的AMOLED显示。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供ー种AMOLED像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置，可以使得充电电流Idata和流过OLED的电路Ioled之间具有较大的缩放比例，保证Ioled在OLED工作电流范围内，而Idata可以为较大电流，从而加快了对存储电容Cst的充电速度。为了达到上述目的，本专利技术提供了ー种AMOLED像素単元驱动电路，用于驱动OLED,所述AMOLED像素单元驱动电路包括开关单元，第一输入端与提供充电电流的电流源连接，第二输入端与OLED连接；存储电容，第一端与所述开关単元的输出端连接，第二端连接到低电平；驱动薄膜晶体管，栅极与所述存储电容的第一端连接，源极连接到低电平；以及分流単元，第一端接低电平；所述开关単元，用于在第一时间段导通第一输入端到驱动薄膜晶体管的漏极和分流単元的第二端的通路，以利用所述电流源对所述存储电容充电，断开第二输入端到驱动薄膜晶体管的漏极和所述分流単元的第二端的通路；所述开关単元，还用于在第二时间段导通第二输入端到驱动薄膜晶体管的漏极的通路，断开第二输入端到所述分流単元的第二端的通路，以及断开第一输入端到驱动薄膜晶体管的漏极和所述分流単元的第二端的通路。实施时，所述分流单元为分流薄膜晶体管；所述分流薄膜晶体管的一端为其漏极，所述分流薄膜晶体管的另一端为其源扱，所述分流薄膜晶体管的栅极与所述存储电容的第一端连接。实施时，所述驱动薄膜晶体管的阈值电压和所述分流薄膜晶体管的阈值电压相坐寸O实施时，所述开关単元包括第三开关元件、第四开关元件、第五开关元件和第六开关元件，其中，所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述分流薄膜晶体管的栅极通过所述第三开关元件与所述电流源连接；所述驱动薄膜晶体管的漏极通过所述第四开关元件与所述电流源连接；所述驱动薄膜晶体管的漏极通过所述第五开关元件与OLED连接；·所述分流薄膜晶体管的漏极通过所述第六开关元件与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接；所述第三开关元件，用于在第一时间段导通所述驱动薄膜晶体管的栅极、所述分流薄膜晶体管的栅极与所述电流源的连接，并在第二时间段断开所述驱动薄膜晶体管的栅极、所述分流薄膜晶体管的栅极与所述电流源的连接；所述第四开关元件，用于在第一时间段导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述电流源的连接，并在第二时间段断开所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述电流源的连接；所述第五开关元件，用于在第二时间段导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述OLED的连接；所述第六开关元件，用于在第一时间段导通所述分流薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接，并在第二时间段断开所述分流薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极的连接。实施时，所述驱动薄膜晶体管、所述分流薄膜晶体管、所述第三开关元件、所述第四开关元件、所述第五开关元件和所述第六开关元件为n型TFT。本专利技术还提供了ー种AMOLED像素単元驱动方法，其基于上述的AMOLED像素単元驱动电路，所述AMOLED像素単元驱动方法包括以下步骤像素充电步骤导通提供充电电流的电流源到驱动薄膜晶体管的漏极和分流単元的第二端的通路，控制所述电流源对所述存储电容充电，并使得所述电流源提供的充电电流分为两路分别流过驱动薄膜晶体管和分流単元；驱动OLED发光显示步骤通过该驱动薄膜晶体管驱动所述OLED发光显示。本专利技术还提供了ー种AMOLED像素単元，包括OLED和上述的AMOLED像素単元驱动电路，所述AMOLED像素单元驱动电路与所述OLED的阴极连接，所述OLED的阳极与输出电压为VDD的电源线连接。本专利技术还提供了一种显示装置，包括多个上述的AMOLED像素単元。与现有技术相比，本专利技术所述的AMOLED像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置，通过分流方式，使得充电电流Idata和流过OLED的电路Ioled之间具有较大的缩放比例，保证Ioled在OLED工作电流范围内，而Idata可以为较大电流，从而加快了对存储电容Cst的充电速度。附图说明图I是已有基本电流型AMOLED像素结构原理图2是本专利技术所述的AMOLED像素单元的一具体实施例的电路图；图3是本专利技术所述的AMOLED像素单元的另一具体实施例的电路图；图4是图3中控制信号CNl、控制信号CN2和充电电流Idata的时序图；图5是本专利技术所述的AMOLED像素单元的该具体实施例在第一时间段的等效电路图； 图6是本专利技术本专利技术所述的AMOLED像素单元的该具体实施例在第二时间段的等效电路图。具体实施例方式本专利技术提供了 ー种AMOLED像素単元驱动电路，用于驱动0LED，所述AMOLED像素单元驱动电路包括开关单元，第一输入端与提供充电电流的电流源连接，第二输入端与OLED连接；存储电容，第一端与所述开关単元的输出端连接，第二端连接到低电平；驱动薄膜晶体管，栅极与所述存储电容的第一端连接，源极连接到低电平；以及分流単元，一端接低电平；所述开关単元，用于在第一时间段导通第一输入端到驱动薄膜晶体管的漏极和分流単元的第二端的通路，以利用所述电流源对所述存储电容充电，断开第二输入端到驱动薄膜晶体管的漏极和所述分流単元的第二端的通路；所述开关単元，还用于在第二时间段导通第二输入端到驱动薄膜晶体管的漏极的通路，断开第二输入端到所述分流単元的第二端的通路，以及断开第一输入端到驱动薄膜晶体管的漏极和所述分流単元的第二端的通路。实施时，所述分流单元为分流薄膜晶体管；所述分流薄膜晶体管的一端为其漏极，所述分流薄膜晶体管的另一端为其源扱，所述分流薄膜晶体管的栅极与所述存储电容的第一端连接。如图2所示，根据ー种具体实施方式，本专利技术提供了ー种AMOLED像素単元驱动电路，用于驱动OLED，所述AMOLED像素単元驱动电路包括开关单元21，第一输入端与提供充电电流Idata的电流源连接，第二输入端与OLED连接；存储电容Cst，第一端与所述开关単元21的输出端连接，第二端连接到低电平VSS ；以及驱动薄膜晶体管Tl和分流薄膜晶体管T2，栅极均与所述存储电容Cst的第一端连接，源极均连接到低电平VSS ；所述开关単元21，用于在第一时间段本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素单元驱动电路，用于驱动0LED，其特征在于，所述AMOLED像素单元驱动电路包括 开关单元，第一输入端与提供充电电流的电流源连接，第二输入端与OLED连接； 存储电容，第一端与所述开关单元的输出端连接，第二端连接到低电平； 驱动薄膜晶体管，栅极与所述存储电容的第一端连接，源极连接到低电平； 以及分流单元，第一端接低电平； 所述开关单元，用于在第一时间段导通第一输入端到驱动薄膜晶体管的漏极和分流单元的第二端的通路，以利用所述电流源对所述存储电容充电，断开第二输入端到驱动薄膜晶体管的漏极和所述分流单元的第二端的通路； 所述开关单元，还用于在第二时间段导通第二输入端到驱动薄膜晶体管的漏极的通路，断开第二输入端到所述分流单元的第二端的通路，以及断开第一输入端到驱动薄膜晶体管的漏极和所述分流单元的第二端的通路。2.如权利要求I所述的AMOLED像素单元驱动电路，其特征在于，所述分流单元为分流薄膜晶体管； 所述分流薄膜晶体管的一端为其漏极，所述分流薄膜晶体管的另一端为其源极，所述分流薄膜晶体管的栅极与所述存储电容的第一端连接。3.如权利要求2所述的AMOLED像素单元驱动电路，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管的阈值电压和所述分流薄膜晶体管的阈值电压相等。4.如权利要求2或3所述的AMOLED像素单元驱动电路，其特征在于，所述开关单元包括第三开关元件、第四开关元件、第五开关元件和第六开关元件，其中， 所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述分流薄膜晶体管的栅极通过所述第三开关元件与所述电流源连接； 所述驱动薄膜晶体管的漏极通过所述第四开关元件与所述电流源连接； 所述驱动薄膜晶体管的漏极通过所述第五开关元件与OLED连接； 所述分流薄膜晶体管的漏极通过所述第六开关元件与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接; 所述第三开...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭文，祁小敬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。