电路模块制造技术

本发明专利技术在安装有多个不具有磁轭的磁芯隔离器的电路模块中，能抑制磁芯隔离器彼此产生磁耦合。基板主体(14)具有主面(S1、S2)。磁芯隔离器(30a、30b)具有：铁氧体；将直流磁场(B1、B2)施加于该铁氧体的永磁体；设于铁氧体、一端与输入端口相连接、另一端与输出端口相连接的第一中心电极；以及与该第一中心电极以绝缘状态交叉地设于铁氧体、一端与输出端口相连接、另一端与接地端口相连接的第二中心电极，并且，磁芯隔离器(30a、30b)不具有用于防止该直流磁场朝外部泄漏的磁轭。磁芯隔离器(30a、30b)分别安装在主面(S1、S2)上，并使直流磁场(B1、B2)的方向与主面(S1)平行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电路模块，尤其涉及设有多个磁芯隔离器的电路模块。
技术介绍
作为以往的隔离器，例如，已知有专利文献I记载的非可逆电路元件。该非可逆电路元件包括具有一对相对的主面的铁氧体；多个中心电极；具有与铁氧体的主面相对的主面的永磁体；以及电路基板。多个中心电极在永磁体的主面上由导体膜以彼此绝缘、交叉的状态形成，且经由形成于与铁氧体的主面正交的端面的中继用电极进行电连接。而且，在电路基板上，将铁氧体及永磁体各自的主面都配置在与电路基板的表面正交的方向上。上述的非可逆电路元件例如在通信装置等中进行使用。然而，近年来，随着减小通信装置外形的要求，迫切需要减小非可逆电路元件的外形。因此，在专利文献I记载的非可逆电路元件中，提出了除去用于抑制磁通朝外部泄漏的磁轭的方案。然而，在从非可逆电路元件除去磁轭的情况下，磁通会泄漏到非可逆电路元件的周围。由于在通信装置中装载有多个非可逆电路元件，因此，若发生磁通泄漏，则非可逆电路元件彼此会产生磁耦合。其结果是，非可逆电路元件的特性发生变动。专利文献I :日本专利特开2006 - 311455号公报
技术实现思路
为此，本专利技术的目的在于，在安装有多个不具有磁轭的隔离器(磁芯隔离器COrei so I at or)的电路模块中，抑制磁芯隔离器彼此产生磁耦合。本专利技术的一个实施方式所涉及的电路模块的特征在于，包括层叠体，该层叠体通过将多个绝缘体层进行层叠而成；以及第一磁芯隔离器及第二磁芯隔离器，该第一磁芯隔离器及第二磁芯隔离器具有铁氧体；将直流磁场施加于该铁氧体的永磁体；设于该铁氧体、一端与输入端口相连接、另一端与输出端口相连接的第一中心电极；以及与该第一中心电极以绝缘状态交叉地设于该铁氧体、一端与输出端口相连接、另一端与接地端口相连接的第二中心电极，并且，该第一磁芯隔离器及第二磁芯隔离器不具有用于防止该直流磁场朝外部泄漏的磁轭，将所述第一磁芯隔离器及所述第二磁芯隔离器分别安装在不同的所述绝缘体层上，并使所述直流磁场的方向与所述绝缘体层的主面平行。根据本专利技术，在安装有多个不具有磁轭的磁芯隔离器的电路模块中，能抑制磁芯隔离器彼此产生磁耦合。附图说明图I是本专利技术的一个实施方式所涉及的电路模块的分解立体图。图2是图I的电路模块的框图。图3是图I的电路模块的A-A的剖视结构图。图4是隔离器的外观立体图。图5是设有中心电极的铁氧体的外观立体图。图6是铁氧体的外观立体图。图7是磁芯隔离器的分解立体图。图8是隔离器的等效电路图。图9是变形例I所涉及的电路模块的剖视结构图。图10是变形例2所涉及的电路模块的剖视结构图。 图11是变形例3所涉及的电路模块的剖视结构图。具体实施例方式以下，参照附图对本专利技术的一个实施方式所涉及的电路模块进行说明。(电路模块的结构)首先，参照附图对电路模块的结构进行说明。图I是本专利技术的一个实施方式所涉及的电路模块I的分解立体图。图1(a)是从上侧观察电路模块I的分解立体图，图1(b)是将电路模块I以轴Ax为中心旋转180度后的分解立体图。图2是图I的电路模块I的框图。图3是图I的电路模块I的A-A的剖视结构图。另外，在图I中，仅表示了主要的电子元器件，省略了芯片电容器和芯片电感器等细小的电子元器件。电路模块I构成移动电话等无线通信机的发送电路的一部分，以放大输出多种高频信号。如图I及图2所示，电路模块I包括电路基板2、发送路径Rl、R2(图I中未图示)、及金属壳体50。如图I及图3所不，电路基板2是在表面和内部形成有电路的板状的印刷多层基板。如图I及图3所示，电路基板2具有基板主体14、外部电极15、及接地导体层16。基板主体14具有主面S1、S2。如图1(b)所示，在主面S2的中央部分设有凹部G。如图I所示，以沿着基板主体14的主面S2的各边排列的方式设有外部电极15，以将电路基板2内部的电路与电路基板2之外的电路相连接。如图3所示，接地导体层16是设置在基板主体14内的导体层，经由未图示的通孔导体与外部电极15进行电连接，从而施加有接地电位。如图2所示，发送路径Rl将输入信号RFin — BCO (800MHz频带)、RFin —BC3 (900MHz频带)进行放大，然后作为输出信号RFout — BCO (800MHz频带)、RFout —BC3(900MHz频带)进行输出。如图2所示，发送路径Rl由SAW滤波器(表面波滤波器)3a、3b、开关4、功率放大器(放大器)6a、耦合器7、隔离器8a、及开关9所构成。如图I所示，SAff滤波器3a、3b、开关4、功率放大器6a、稱合器7、隔离器8a、及开关9是安装在基板主体14的主面SI上的电子元器件。如图I所示，SAW滤波器3a、3b由一个电子元器件所构成，是仅使规定频率的信号通过的带通滤波器。如图2所示，SAff滤波器3a、3b经由开关4与功率放大器6a的输入端子(未图示)进行电连接。如图2所示，将输入信号RFin —BC3输入SAW滤波器3a。另夕卜，如图2所示，将输入信号RFin —BCO输入SAW滤波器3b。如图2所示，开关4与SAW滤波器3a、3b及功率放大器6a相连接，将从SAW滤波器3a输出而来的输入信号RFin _ BC3、及从SAW滤波器3b输出而来的输入信号RFin _BCO中的任一个输入信号输出到功率放大器6a。功率放大器6a将从开关4输出而来的输入信号RFin _ BCO, RFin _ BC3进行放大。如图2所示，功率放大器6a与后级的耦合器7的输入端子(未图示)相连接。如图2所示，耦合器7与隔离器8a的输入端子(未图示)相连接。然后，耦合器7将经功率放大器6a放大后的输入信号RFin —BCO、RFin —BC3的一部分进行分离而作为输出信号Couplerout向电路模块I之外进行输出，且将输入信号RFin —BCO、RFin _BC3输出到后级的隔18a。如图2所示，隔离器8a是将输入信号RFin —BC0、RFin —BC3输出到后级的开关9、而不将从开关9 一侧反射而来的信号输出到耦合器7 —侧的非可逆电路元件。另外，在后面对隔离器8a的详细情况进行叙述。如图2所示，开关9将从隔离器8a输出而来的输入信号RFin — BCO及RFin — BC3中的任一个输入信号作为输出信号RFout — BCO,RFout—BC3输出到电路模块I之外。 如图2所示，发送路径R2将输入信号RFin —BC6 (1900MHz频带)进行放大，然后作为输出信号RFout _ BC6 (1900MHz频带)进行输出。如图2所示，发送路径R2由SAW滤波器3c、功率放大器6b、及隔离器8b所构成。如图I所不,SAW滤波器3c、功率放大器6b、及隔离器8b是安装在电路基板2上的电子元器件。此外，如图2所不,在将输出信号Coupler out进行输出的布线与发送路径R2之间设有电容器Ce。更详细而言，电容器Ce的一端连接在隔离器Sb与功率放大器6b之间，电容器Ce的另一端与将输出信号Coupler out进行输出的布线相连接。而且，电容器Ce将经功率放大器6b放大后的输入信号RFin —BC6的一部分作为输出信号Coupler out输出到电路模块I之外。SAW滤波器3c是仅使规定频率的信号通过的带通滤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.01.21 JP 2010-0106141.一种电路模块，其特征在于，包括 层叠体，该层叠体通过将多个绝缘体层进行层叠而成；以及 第一磁芯隔离器及第二磁芯隔离器，该第一磁芯隔离器及第二磁芯隔离器具有铁氧体；将直流磁场施加于该铁氧体的永磁体；设于该铁氧体、一端与输入端口相连接、另一端与输出端口相连接的第一中心电极；以及与该第一中心电极以绝缘状态交叉地设于该铁氧体、一端与输出端口相连接、另一端与接地端口相连接的第二中心电极，并且，该第一磁芯隔离器及第二磁芯隔离器不具有用于防止该直流磁场朝外部泄漏的磁轭， 将所述第一磁芯隔离器及所述第二磁芯隔离器分别安装在不同的所述绝缘体层上，并使所述直流磁场的方向与所述绝缘体层的主面平行。2.如权利要求I所述的电路模块，其特征在于， 所述层叠体包含具有第一主面和第二主面的电路基板， 将所述第一磁芯隔离器及所述第二磁芯隔离器分别安装在所述第一主面上及所述第二主面上。3.如权利要求2所述的电路模块，其特征在于， 施加于所述第一磁芯隔离器的所述铁氧体的所述直流磁场的方向与施加于所述第二磁芯隔离器的所述铁氧体的直流磁场的方向不同。4.如权利要求3所述的电路模...

【专利技术属性】
技术研发人员：降谷孝治，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：