一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法。本发明专利技术提出一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，通过在多晶硅栅极和有源区上设置等距等孔径的接触孔，并通过电子显微镜进行检测，得到有量化数值的在平面内工艺对准度的分布图，从而更好的控制工艺的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸按比例缩小，一些新材料和新工艺都会被引入到集成电路的工艺中，以满足整体功能的要求，这样不同结构之间连接的精准度就显的很重要。进入到65纳米及其以下工艺时，当接触孔和多晶硅栅极的对准度有稍微的偏差就会造成器件整体性能的失效；目前，主要是通过光学的方法来检测两个结构(接触孔和多 晶硅栅极)对准的偏差值，但由于光学本身会受到分辨率大小的限制，当器件尺寸不断缩小时，这种方法就不能满足工艺精确控制的要求。图I是本专利技术
技术介绍
中前段器件结构形成后有缺陷的电子显微镜下的结构示意图；如图I所示，在区域14中，因为接触孔11和多晶硅栅极12的存在一定的对准度偏差，使得制备的结构中接触孔11同时连接到栅极12和有源区13上，造成整个器件结构I的性能失效，进而降低了产品的良率。
技术实现思路
本专利技术公开了，其中，包括以下步骤 步骤SI :在一半导体结构的有源区上设置多晶硅栅极； 步骤S2 :在所述多晶硅及剩余有源区上等距设置多个相同的接触孔； 步骤S3 :采用光学方法检测并计算出对准工艺的偏差值；其中，所述多晶硅栅极的长度根据接触孔的孔径、孔间距和栅极多晶硅的宽度决定。上述的平板检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，其中，多晶硅栅极俯视图形状为长方形。上述的平板检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，其中，所述步骤S3中采用电子显微镜对所述接触孔进行检测。上述的平板检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，其中，所述多晶硅栅极的长度至少为L/Z*M，L为多晶硅栅极的宽度，Z为沿多晶硅栅极宽度方向上相邻接触孔之间的间距，M为接触孔的孔径。上述的平板检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，其中，所述多个接触孔的孔心位于同一直线上。上述的平板检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，其中，所述多个接触孔一端部的接触孔位于所述多晶硅栅极上。上述的平板检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，其中，所述偏差值为L/2-T*Z，L为多晶硅栅极的宽度，Z为沿多晶硅栅极宽度方向上相邻接触孔之间的间距，T为采用光学方法检测到的从多晶硅栅极开始图像有变化的接触孔的数值。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术提出，通过在多晶硅栅极和有源区上设置等距等孔径的接触孔，并通过电子显微镜进行检测，得到有量化数值的在平面内工艺对准度的分布图，从而更好的控制工艺的质量，进而提闻广品的良率。附图说明图I是本专利技术
技术介绍
中前段器件结构形成后有缺陷的电子显微镜下的结构示意 图2是本专利技术检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法中水平方向接触孔与多晶硅栅 极相对位置的俯视 图3是本专利技术检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法中图3中部分接触孔区域放大的示意 图4是本专利技术检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法中前段器件结构形成后的结构示意 图5是本专利技术检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法中垂直方向接触孔与多晶硅栅极相对位置的俯视图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步的说明 图2是本专利技术检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法中水平方向接触孔与多晶硅栅极相对位置的俯视图；图3是本专利技术检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法中图3中部分接触孔区域放大的示意图；图4是本专利技术检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法中前段器件结构形成后的结构示意图。如图2-3所示，本专利技术检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，包括以下步骤 首先，设定坐标轴后，在半导体结构3的有源区上沿X轴方向(水平方向)上设置长方形的多晶硅栅极32。然后，沿X轴方向(即多晶硅栅极32的长度方向)设置多个接触孔33和接触孔34上，接触孔33位于多晶硅栅极32上(包括部分位于多晶硅栅极上的接触孔)，接触孔34为完全位于剩余有源区31上的接触孔，而接触孔33和接触孔34的孔心均位于同一直线上，且该直线非平行于X轴，相邻的接触孔之间等距且形状相同。其中，多晶硅栅极32的长度至少为L/Z*M，L为多晶硅栅极的宽度，Z为沿多晶硅栅极宽度方向上相邻接触孔之间的间距，M为接触孔的孔径。最后，采用电子显微镜观察接触孔，由于如图3所示，在前段器件结构工艺形成的半导体结构2上，位于多晶硅栅极21上的接触孔22相对于位于有源区23上的接触孔24在电子显微镜下其亮度暗程度是不同的，接触孔22相对于接触孔24会较暗；因此，在电子显微镜下，位于多晶硅栅极32上的接触孔33亮度为暗于接触孔34的亮度，这样就能观察到接触孔的变化；即在电子显微镜下连接多晶硅栅极32的接触孔33和剩余有源区31的接触孔34的亮暗强度是不一样的，通过在多晶硅栅极32上找到第T个接触孔开始有亮暗变化，根据公式L/2-T*Z，L为多晶硅栅极的宽度，Z为沿多晶硅栅极宽度方向上相邻接触孔之间的间距，T为采用光学方法检测到的从多晶硅栅极开始图像有变化的接触孔的数值，计算出Y轴方向(垂直方向)上的偏差值。如多晶硅栅极的宽度L为28纳米，接触孔的直径M为10纳米，的间距Z为0. 5纳米，且从第15个接触孔开始发生亮暗的变化，即T为15，则在Y方向上的偏差值为L/2-T*Z=28/2-15*0. 5=6. 5纳米。图5是本专利技术检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法中垂直方向接触孔与多晶硅栅极相对位置的俯视图；如图5所示，在垂直方向(Y轴方向)上设置多晶硅栅极42，同理得出在X轴方向的偏差值为L/2-T*Z，L为多晶硅栅极的宽度，Z为沿多晶硅栅极宽度方向上相邻接触孔之间的间距，T为采用光学方法检测到的从多晶硅栅极开始图像有变化的接触孔的数值。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术实施例提出，通过电子显微镜观察水平和垂直两种多晶硅栅极上的接触孔的亮暗 变化，并通过计算就可以得到其在水平和垂直方向上的偏差值，并通过整个晶圆上不同位置的观察得到有量化数值的在平面内工艺对准度的分布图，从而更好的控制该工艺的质量。通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本专利技术精神，还可作其他的转换。尽管上述专利技术提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本专利技术的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本专利技术的意图和范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤SI :在一半导体结构的有源区上设置多晶硅栅极； 步骤S2 :在所述多晶硅及剩余有源区上等距设置多个相同的接触孔； 步骤S3 :采用光学方法检测并计算出对准工艺的偏差值； 其中，所述多晶硅栅极的长度根据接触孔的孔径、孔间距和栅极多晶硅的宽度决定。2.根据权利要求I所述的平板检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，其特征在于，多晶硅栅极俯视图形状为长方形。3.根据权利要求I所述的平板检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法，其特征在于，所述步骤S3中采用电子显微镜对所述接触孔进行检测。4.根据权利要求3所述的平板检测接触孔和多晶硅栅极对准度的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪棋梁，陈宏璘，王洲男，龙吟，郭明升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：