【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路领域,特别是涉及一种多功能内存接口电路。
技术介绍
随着半导体制造工艺的不断提升,芯片设计能力的不断提高,各类处理器的功能也在急剧提升,对内存的容量、速度都提出了更高的要求。内存技术也在不断发展,从SDRSDARM, MOBILE SDRAM,发展到 DDR, DDR2, Mobile DDR,到现在正在批量推出的 DDR3SDRAM,其容量和速度都在呈线性增长,对于MOBILE SDRAM的应用,除了性能以外,功耗的控制,也至关重要。对于多数SoC来说,其性能也在不但提升,对内存容量和速度的需求也在不断提升,从早期的对SDR SDRAM的需求到现在的对DDR2,DDR3的需求。但是作为电子设备的一个非常基木的要求就是向前的兼容性,这样能保持以前开发的固件,软件,辅助器件等仍能与新的产品配合,在产品不断升级的过程中,不失去市场和应用。内存就是一个非常典型的例子。为了保持兼容性,许多SoC芯片都要求其内存接口 IP能够支持多种接口标准,如SDR SDRAM, DDRl, DDR2,有些甚至要求能够支持mobile SDRAM, mobileDDR等,这样能使一个芯片用于多个平台。要支持多个接口标准,最简单的做法是将几个不同的接口拼在一起,但是这样做,不仅面积剧增,而且会因为输入输出的负载变大而增大功耗、降低性能。面积的增加,会导致一连串的问题,包括成本增加、良率下降、芯片的集成变得更复杂甚至不可能。不仅如此,因为不同的内存接口标准还采用不同的1/0电压,所以需采用不同的供电网络,这样一来会增加芯片成本,还会导致潜在的芯片失败,所以多模 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多功能内存接口电路,其特征在于,包括信号输入端、信号接收电路、检测电路、控制电路、偏置发生电路和信号输出端,所述信号输入端、信号接收端、控制电路依次电性连接,所述检测电路并联在信号接收电路上,所述控制电路与偏置发生电路控制连接,所述偏置发生电路与信号输出端电性连接。2.根据权利要求I所述的多功能内存接口电路,其特征在于,所述偏置发生电路与信号输出端...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈峰,
申请(专利权)人:常州芯奇微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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