适用于清洗硅晶片的洗剂及用于清洗一硅晶片的方法技术

本发明专利技术是有关于一种适用于清洗硅晶片的洗剂及用于清洗一硅晶片的方法。其中该适用于清洗硅晶片的洗剂包含碱金属氢氧化物、磷酸三钠、阴离子型界面活性剂及水。该用于清洗一硅晶片的方法是使该硅晶片与上述的适用于清洗硅晶片的洗剂进行接触而完成。本发明专利技术的洗剂不但可修补切割后的晶片表面的损伤，使用时可维持稳定的pH值范围，且能在长时间使用下维持高度清洗能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种洗剂，特别是涉及一种适用于清洗硅晶片的洗剂及用于清洗ー硅晶片的方法。
技术介绍
太阳能硅晶片线锯切割技术是目前用于将太阳能单晶硅或多晶硅切割为硅晶片的方法。线锯切割技术主要可分为游离磨粒方式及固定磨粒方式，其中，固定磨粒方式的切割工具是将金刚石或钻石磨粒固定于钢丝上所制成，而游离磨粒方式的切割工具为线锯及含有碳化硅等磨粒的切削液。太阳能硅晶棒在通过上述线锯切割技术进行切割加工后，特别是通过游离磨粒方式进行切割后，所获得的硅晶片的表面会残留大量的微粒、金属离子、 有机物及其他不純物等污染物，使得切割后的硅晶片表面必须经过较精细的清洗エ艺，以避免影响后续太阳能电池的转换效率、使用期限与可靠度等。切割后的硅晶片表面的脏污大致可分为三类(I)有机杂质、(2)微粒及(3)金属离子。此外，切割后的硅晶片表面除了表面脏污之外，也可能存有表面线痕与损伤痕。因此，除了清洗表面脏污之外，如何消除表面线痕与损伤痕，也是清洗エ艺中需解决的问题。然而在整个清洗エ艺中，又以清洗剂的选用为首要课题。中国台湾专利TW408178掲示了一种具备有机污物去除力的碱性清洁剂组合物。该碱性清洁剂组合物包含ー碱金属碳酸盐、一表面活性剂及ー多价螯合剤。该多价螯合剂包含有机膦酸酯(phosphonate)及无机缩合磷酸盐[如三聚磷酸钠(pentasodiumtriphosphate, Na5P3O10)、焦磷酸盐(pyrophosphate salt,M4P2O7,M 为金属离子)、六偏磷酸盐[hexametaphosphate salt, (MPO3)6, M为金属离子]。该碱性清洁剂组合物是通过多价螯合剂与ニ价或三价金属离子进行螯合作用，除了能避免该些金属离子与有机污物进行结合而形成难以去除的污物，还可进一歩通过碱性金属碳酸盐而能有效地将有机污物移除，达到去污的功效。然而，该碱性清洁剂组合物主要在去除有机污物，虽具有去污功效，但在长时间使用下，并无法持续维持去污能力。且该碱性清洁剂组合物无法有效地消除经切割后的娃晶片表面线痕与损伤痕。由上述可知，目前仍需要发展ー种适用于清洗切割后的硅晶片表面、具备有高度清洗能力、长效清洗能力且能消除经切割后的硅晶片表面线痕与损伤痕的清洗剂，以符合业界的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的用于清洗硅晶片的洗剂存在的缺陷，而提供ー种新型的适用于清洗硅晶片的洗剂，所要解决的技术问题是使其适用于清洗硅晶片且具有消除经切割后的硅晶片表面线痕与损伤痕、高度清洗能力及长效清洗能力，非常适于实用。本专利技术的另一目的在于，提供ー种新型的用于清洗一硅晶片的方法，所要解决的技术问题是使其通过上述适用于清洗硅晶片的洗剂来清洗硅晶片，从而消除经切割后的硅晶片表面线痕与损伤痕、并具有高度清洗能力及长效清洗能力，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种适用于清洗娃晶片的洗剂，包含碱金属氢氧化物、磷酸三钠(trisodium phosphate,Na3PO4 · 12H20)、阴离子型界面活性剤及水。本专利技术的目的及解 决其技术问题还可采用以下技术措施进ー步实现。较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其中以该磷酸三钠的总量为100重量份计，该碱金属氢氧化物的含量范围为100重量份 1000重量份及该阴离子型界面活性剤的含量范围为10重量份 1000重量份。较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其中该洗剂的pH值范围为8 14。较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其中以该磷酸三钠的总量为100重量份计，该水的含量范围为2900重量份 19700重量份。较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其中该碱金属氢氧化物是选自于氢氧化钠、氢氧化钾或它们的ー组合。较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，包含碱金属碳酸盐和/或碱金属碳酸氢盐。较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其中该碱金属碳酸盐和/或碱金属碳酸氢盐是选自于碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠，或它们的ー组合。较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其中以该磷酸三钠的总量为100重量份计，该碱金属碳酸盐和/或碱金属碳酸氢盐的含量范围为50重量份 1000重量份。较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其中该阴离子型界面活性剂是磷酸酯盐。较佳地，前述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其中该磷酸酯盐是由一磷酸酯与胺化合物反应所制得或由ー磷酸酯与碱金属反应所制得。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种用于清洗一硅晶片的方法，是使该硅晶片与一如上所述的适用于清洗硅晶片的洗剂进行接触而完成。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进ー步实现。较佳地，前述的用于清洗一硅晶片的方法，其中该硅晶片是由单晶硅或多晶硅所构成。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本专利技术至少具有下列优点及有益效果该洗剂适用于清洗经由不同切割方式所获得的硅晶片，且该洗剂中的组份会与该硅晶片表面上的各种污染物进行物理反应(如剥离)或化学反应(如螯合或皂化等)，使该硅晶片表面的各种污染物得以去除，还能消除该硅晶片在切割或加工过程中所造成的表面线痕与损伤痕。该洗剂中的磷酸三钠还可做为PH缓冲剂，使该洗剂的pH值能维持稳定，并可在长时间使用下維持高度清洗能力。除了上述优点外，本专利技术的洗剂更具备高渗透性、淡气味、不易燃、使用安全、水溶性佳等优点；且经本专利技术洗剂清洗后的硅晶片的表面色泽一致、干净、无花斑且在清洗过程中不会使硅晶片进行氧化反应而导致硅晶片发生变蓝或变白等现象。综上所述，本专利技术是有关于ー种。其中该适用于清洗硅晶片的洗剂包含碱金属氢氧化物、磷酸三钠、阴离子型界面活性剂及水。该用于清洗一硅晶片的方法是使该硅晶片与上述的适用于清洗硅晶片的洗剂进行接触而完成。本专利技术的洗剂不但可修补切割后的晶片表面的损伤，使用时可维持稳定的PH值范围，且能在长时间使用下維持高度清洗能力。本专利技术在技术上有显著的进步，并具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明无 具体实施例方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。本专利技术的洗剂可用于清洗经切割加工エ艺所获得的硅晶片，并可将残留于硅晶片表面上的微粒、金属离子、有机物及其他不纯物的污染物等进行去除。本专利技术适用于清洗硅晶片的洗剂包含碱金属氢氧化物、磷酸三钠、阴离子型界面活性剂及水。该碱金属氢氧化物提供碱基(0H_)的来源，且具有剥离该硅晶片表面上的污染物的功效。通过该碱金属氢氧化物的使用，可活化该硅晶片与该污染物的表面，使该硅晶片与该污染物相互排斥，而破坏该污染物吸附在该硅晶片的附着力，促使该污染物从该硅晶片表面分离，达到洗浄的功效。该碱金属氢氧化物还具有蚀刻的功用，能消除经切割后的硅晶片表面线痕与损伤痕。较佳地，该碱金属氢氧化物是选自于氢氧化钠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.16 TW 1001089231.一种适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于包含 碱金属氢氧化物； 磷酸三钠； 阴离子型界面活性剤；以及 水。2.如权利要求I所述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在干以该磷酸三钠的总量为100重量份计，该碱金属氢氧化物的含量范围为100重量份 1000重量份及该阴离子型界面活性剤的含量范围为10重量份 1000重量份。3.如权利要求I所述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于该洗剂的PH值范围为8 14。4.如权利要求I所述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于以该磷酸三钠的总量为100重量份计,该水的含量范围为2900重量份 19700重量份。5.如权利要求I所述的适用于清洗硅晶片的洗剂，其特征在于该碱金属氢氧化物是选自于氢氧化钠、氢氧化钾或它们的ー组合。6.如权利要求I所述的适用于清洗硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：佘怡璇，徐志贤，卢厚德，王兴嘉，
申请(专利权)人：达兴材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：