一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装结构，包括引线框架，引线框架上设置有第一岛、第二岛和第三岛，第一岛设置在引线框架的一侧，第二岛和第三岛上下排列设置在引线框架的另一侧，第一岛上设置有第一固晶区和第二固晶区，第二岛上设置有第三固晶区，第三岛上设置有第四固晶区，第一固晶区上设置有高压驱动芯片，第二固晶区上设置有低压控制芯片，第三固晶区和第四固晶区上各设置有一个功率MOS管，高压驱动芯片、低压控制芯片和两个功率MOS管相互连接，高压驱动芯片、低压控制芯片和两个功率MOS管分别与引线框架连接；优点是实现了高压驱动电路和低压逻辑控制电路的分置，可以减少高压工艺的使用，降低制造成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种半桥驱动集成电路的封装结构，尤其是涉及一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装结构。
技术介绍
在灯具照明制造行业中，经常会采用ー些应用集成电路エ艺制造的带有内置功率MOS管的专用半桥驱动集成电路，该半桥驱动集成电路构成灯具的主体电路。紧凑型荧光灯(CFL)作为ー种新型的节能灯具，在日常生活中得到了越来越多的应用。目前常用的紧凑型 荧光灯专用半桥驱动集成电路一般包括高压驱动电路、低压逻辑控制电路以及两个半桥功率MOS管。低压控制电路是负责整个集成电路的逻辑控制、并输出对两个半桥功率MOS管的控制信号的低压控制芯片，高压驱动电路是负责对低压控制芯片的输出信号进行高压隔离驱动以实现对半桥震荡电路高压侧的功率MOS管实施栅极控制的高压驱动芯片。两个半桥功率MOS管分别为半桥震荡电路高压侧的第一功率MOS管和半桥震荡电路低压侧的第ニ功率MOS管。目前，紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路常用的封装类型为DIP8型，在其封装结构中，高压驱动电路和低压逻辑控制电路混合设置，在高压驱动电路和低压逻辑控制电路中均需要大量采用高压エ艺，増加了其制造成本増加，从而限制了其市场竞争力。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供ー种成本较低的紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装结构。本技术解决上述技术问题所采用的技术方案为ー种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装结构，包括引线框架，所述的引线框架上设置有第一岛、第二岛和第三岛，所述的第一岛设置在所述的引线框架的ー侧，所述的第二岛和所述的第三岛上下排列设置在所述的引线框架的另ー侧，所述的第一岛上设置有第一固晶区和第二固晶区，所述的第二岛上设置有第三固晶区，所述的第三岛上设置有第四固晶区，所述的第一固晶区上设置有高压驱动芯片，所述的第二固晶区上设置有低压控制芯片，所述的第三固晶区上设置有第一功率MOS管，所述的第四固晶区上设置有第二功率MOS管，所述的高压驱动芯片、所述的低压控制芯片、所述的第一功率MOS管和所述的第二功率MOS管相互连接，所述的高压驱动芯片、所述的低压控制芯片、所述的第一功率MOS管和所述的第二功率MOS管分别与引线框架连接。所述的高压驱动芯片、所述的低压控制芯片、所述的第一功率MOS管和所述的第ニ功率MOS管通过金线互连，所述的高压驱动芯片、所述的低压控制芯片、所述的第一功率MOS管和所述的第二功率MOS管分别通过铜线与所述的引线框架连接。所述的引线框架上设置有第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚，所述的第一功率MOS管与所述的第一功率MOS管引出脚之间设置有第一引脚固定加强孔，所述的第二功率MOS管和所述的第二功率MOS管引出脚之间设置有第二引脚固定加强孔，所述的第一引脚固定加强孔和所述的第二引脚固定加强孔均为两个独立的圆孔。与现有技术相比，本技术的优点在于通过在引线框架上设置第一岛、第二岛和第三岛，在第一岛上设置第一固晶区和第二固晶区，在第二岛上设置第三固晶区，在第三岛上设置第四固晶区，将高压驱动芯片贴装在第一固晶区，将低压控制芯片贴装在第二固晶区，将两个功率MOS管分别贴装在第三固晶区和第四固晶区，实现了集成电路中高压驱动电路和低压逻辑控制电路的分置，可以在低压逻辑控制电路中采用低压エ艺，減少集成电路中高压エ艺的使用，降低制造成本；当高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管通过金线互连，高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别通过铜线与引线框架连接时，減少了集成电路中金线的使用量，降低了材料成本；当在引线框架上分别设置有第一引脚固定加强孔和第二引脚固定加强孔，第一引脚固定加强孔和第二引脚固定加强孔均为两个独立的圆孔时，可以有效増加第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚的导热输出截面，使得第一功率MOS管和第二功率MOS管产生的热量可以更快地通过引出脚散出封装体之外，另外，在第一功率MOS管引出脚和第二功率MOS管引出脚的导热输出截面増大的同时，増加了第二岛和第三岛的面积，第二岛和第三岛进ー步分摊第一功率MOS管和第二功率MOS管产生的热量并最终通过封装壳体散出去，提高了内置的第一功率MOS管和第二功率MOS管的承载能力及集成电路整体的热导出能力。附图说明图I为本技术的一种结构示意图；图2为本技术的另ー种结构示意图；图3为本技术的引线框架与岛的结构示意图；图4为本技术的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管互连的线路示意图；图5为本技术的高压驱动芯片、低压控制芯片、第一功率MOS管和第二功率MOS管分别与引线框架连接的线路示意图。具体实施方式以下结合附图实施例对本技术作进ー步详细描述。实施例一如图I所示，一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装结构，包括引线框架1，引线框架I上设置有第一岛11、第二岛12和第三岛13，第一岛11设置在引线框架I的ー侧，第二岛12和第三岛13上下排列设置在引线框架I的另ー侧，第一岛11上设置有第一固晶区111和第二固晶区112，第二岛12上设置有第三固晶区121，第三岛13上设置有第四固晶区131，第一固晶区111上设置有高压驱动芯片2，第二固晶区112上设置有低压控制芯片3，第三固晶区121上设置有第一功率MOS管4，第四固晶区131上设置有第二功率MOS管5，高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5互相连接，高压驱动芯片2、低压芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5分别与引线框架I连接。本实施例中，高压驱动芯片2负责对低压控制芯片3的输出信号进行高压隔离驱动以实现对半桥震荡电路高压侧的第一功率MOS管4实施栅极控制，低压控制芯片3负责整个集成电路的逻辑控制，并输出对第一功率MOS管4和第二功率MOS管5的控制信号，第一功率MOS管4为半桥震荡电路的高压侧MOS管，第二功率MOS管5为半桥震荡电路的低压侧MOS管。高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5可以通过金线互连，其中高压驱动芯片2通过ー根金线与第一功率MOS管4连接，低压控制芯片3通过ー根金线与第二功率MOS管5连接，高压驱动芯片2和低压控制芯片3通过两根金线连接；高压驱动芯片2、低压控制芯片3、第一功率MOS管4和第二功率MOS管5可以分别通过铜线与引线框架I连接，高压驱动芯片2通过三根铜线与引线框架I的导电区连接，低压控制芯片3通过五根铜线与引线框架I的导电区连接，第一功率MOS管4和第二功率MOS管5各通过ー根铜线与引线框架I的导电区连接。本实施例中，引线框架I上设置有第一功率MOS管引出脚(图中未显示)和第二功率MOS管引出脚(图中未显不)，第一功率MOS管4与第一功率MOS管引出脚之间设置有第一引脚固定加强孔14，第二功率MOS管5和第二功率MOS管引出脚之间设置有第二引脚固定加强孔15，第一引脚固定加强孔14和第二引脚固定加强孔15均为ー个长圆孔，第一引脚 固定加强孔14正对放置在第一功率MOS管4与第一功率MOS管引出脚的中间，第二引脚固定加强孔15正对放置在第二功率MOS管5与第二功率MOS管引出脚的中间。实施例ニ 如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紧凑型荧光灯专用半桥驱动集成电路的封装结构，包括引线框架，其特征在于所述的引线框架上设置有第一岛、第二岛和第三岛，所述的第一岛设置在所述的引线框架的ー侧，所述的第二岛和所述的第三岛上下排列设置在所述的引线框架的另ー侧，所述的第一岛上设置有第一固晶区和第二固晶区，所述的第二岛上设置有第三固晶区，所述的第三岛上设置有第四固晶区，所述的第一固晶区上设置有高压驱动芯片，所述的第二固晶区上设置有低压控制芯片，所述的第三固晶区上设置有第一功率MOS管，所述的第四固晶区上设置有第二功率MOS管，所述的高压驱动芯片、所述的低压控制芯片、所述的第一功率MOS管和所述的第二功率MOS管相互连接，所述的高压驱动芯片、所述的低压控制芯片、所述的第一功率MOS管和所述的第二功率MOS管分别与引线框架连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：李阳，钱建平，
申请(专利权)人：浙江阳光照明电器集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：