像素单元驱动电路、像素单元以及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种像素单元驱动电路、像素单元以及显示装置。所述像素单元驱动电路包括驱动薄膜晶体管、存储电容、驱动控制单元和充电控制单元；所述驱动薄膜晶体管的栅极，通过所述驱动控制单元与所述存储电容的第一端连接，还通过所述充电控制单元与数据线连接；所述驱动薄膜晶体管的源极，与所述存储电容的第二端连接，并通过所述驱动控制单元与驱动电源的低电平输出端连接；所述驱动薄膜晶体管的漏极，通过所述充电控制单元与驱动电源的高电平输出端连接；所述存储电容的第一端还通过所述充电控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接。本实用新型专利技术可以补偿OLED驱动管的临界电压，改善OLED面板亮度不均匀性的问题。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及有机发光显示领域，尤其涉及一种像素单元驱动电路、像素单元以及显示装置。
技术介绍
AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极体)能够发光是由驱动TFT在饱和状态时产生的电流所驱动，因为输入相同的灰阶电压时，不同的临界电压会产生不同的驱动电流，造成电流的不一致性。LTPS(低温多晶硅)制程上Vth (晶体管阈值电压)的均匀性非常差，同时Vth也有漂移，如此传统的2T1C电路亮度均勻性一直很差。传统的采用2T1C电路的像素驱动电路如图I所示，电路只含有两个TFT，Tl用作开关，DTFT用于像素驱动。传统的2T1C电路操作也比较简单，对该采用2T1C电路的像素驱动电路的控制时序图如图2所示，当扫描电平为低时，TI打开，data线上的灰阶电压对电容C充电，当扫描电平为高时，Tl关闭，电容C用来保存灰阶电压。由于VDD (电源电压)电压较高，因此DTFT 处于饱和状态，OLED 的驱动电流 I = K (Vsg-1 Vth |)2 = K (VDD-Vdata-1 Vth |)2，Vdata为数据信号，K是一个与晶体管尺寸和载流子迁移率有关的常数，一旦TFT尺寸和工艺确定，K确定。该2T1C电路的驱动电流公式中包含了 Vth，如前所述，由于LTPS工艺的不成熟，即便是同样的工艺参数，制作出来的面板不同位置的TFT的Vth也有较大差异，导致了同一灰阶电压下OLED的驱动电流不一样，因此该驱动方案下的面板不同位置亮度会有差异，亮度均一性差。同时随着OLED面板使用的延长，OLED材料逐渐老化，导致OLED发光的临界电压上升，同样的电流下，OLED材料发光效率下降，面板亮度降低。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种像素单元驱动电路、像素单元以及显示装置，以提高OLED面板亮度均匀度。为了达到上述目的，本技术提供了一种像素单元驱动电路，用于驱动0LED，所述像素单元驱动电路包括驱动薄膜晶体管、存储电容、驱动控制单元和充电控制单元，其中，所述驱动薄膜晶体管的栅极，通过所述驱动控制单元与所述存储电容的第一端连接，还通过所述充电控制单元与数据线连接；所述驱动薄膜晶体管的源极，与所述存储电容的第二端连接，并通过所述驱动控制单元与驱动电源的低电平输出端连接；所述驱动薄膜晶体管的漏极，通过所述充电控制单元与驱动电源的高电平输出端连接；所述存储电容的第一端还通过所述充电控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接。实施时，所述驱动薄膜晶体管的源极，与所述存储电容的第二端连接，还通过所述驱动控制单元与驱动电源的低电平输出端连接；所述驱动薄膜晶体管的漏极，与所述OLED的阴极连接，还通过所述充电控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接；所述存储电容的第一端还通过所述充电控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接；所述OLED的阳极与所述驱动电源的高电平输出端连接。实施时，所述驱动控制单元包括第一开关和第二开关，所述充电控制单元包括第三开关、第四开关和第五开关；所述驱动薄膜晶体管的源极通过所述第一开关与所述驱动电源的低电平输出端连接； 所述驱动薄膜晶体管的栅极通过所述第二开关与所述存储电容的第一端连接；所述驱动薄膜晶体管的栅极还通过所述第三开关与所述数据线连接；所述驱动薄膜晶体管的漏极通过所述第四开关与所述驱动电源的高电平输出端连接；所述存储电容的第一端通过所述第五开关与所述驱动电源的高电平输出端连接。实施时，所述第一开关是第一开关元件，所述第二开关是第二开关元件，所述第三开关是第三开关元件，所述第四开关是第四开关元件，所述第五开关的第五开关元件；所述驱动薄膜晶体管、所述第一开关元件、第二开关元件、所述第三开关元件、所述第四开关元件和所述第五开关元件都是n型TFT ;所述第一开关元件，栅极与第一控制线连接，源极与所述驱动电源的低电平输出端连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接；所述第二开关元件，栅极与所述第一控制线连接，源极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接，漏极与所述存储电容的第一端连接；所述第三开关元件，栅极与第二控制线连接，源极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接，漏极与所述数据线连接；所述第四开关元件，栅极与所述第二控制线连接，源极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接，漏极与所述驱动电源的高电平输出端连接；所述第五开关元件，栅极与所述第二控制线连接，源极与所述存储电容的第一端连接，漏极与所述驱动电源的高电平输出端连接。实施时，所述驱动控制单元包括第一开关和第二开关，所述充电控制单元包括第三开关和第四开关；所述驱动薄膜晶体管的源极通过所述第一开关与所述OLED的阳极连接；所述驱动薄膜晶体管的栅极通过所述第二开关与所述存储电容的第一端连接；所述驱动薄膜晶体管的栅极还通过所述第三开关与所述数据线连接；所述存储电容的第一端通过所述第四开关与所述驱动电源的高电平输出端连接。实施时，所述第一开关是第一开关元件，所述第二开关是第二开关元件，所述第三开关是第三开关元件，所述第四开关是第四开关元件；所述驱动薄膜晶体管、所述第一开关元件、所述第二开关元件、所述第三开关元件和所述第四开关元件都是n型TFT ;所述第一开关元件，栅极与第一控制线连接，源极与所述OLED的阳极连接，漏极与所述驱动晶体管的源极连接；所述第二开关元件，栅极与所述第一控制线连接，源极与所述存储电容的第一端连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接；所述第三开关元件，栅极与第二控制线连接，源极与所述数据线连接，漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接；所述第四开关元件，栅极与所述第二控制线连接，源极与所述存储电容的第一端连接，漏极与所述驱动电源的高电平输出端连接。本技术还提供了一种像素单元，包括OLED和上述的像素单元驱动电路。本技术还提供了一种显示装置，包括多个上述的像素单元。与现有技术相比，本技术所述的像素单元驱动电路、像素单元以及显示装置，直接从DTFT栅极输入数据信号，利用TFT自放电对源极充电，形成Vth(阈值电压)，补偿OLED驱动管的临界电压，改善了 OLED面板亮度不均匀性的问题。附图说明图I是传统的采用2T1C电路的像素驱动电路的电路图；图2是对该采用2T1C电路的像素驱动电路的控制时序图；图3是本技术第一实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；图4是本技术第二实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；图5是本技术第三实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；图6是本技术第四实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；图6A是本技术第四实施例所述的像素单元驱动电路的控制时序图；图6B是本技术第四实施例所述的像素单元驱动电路在第一时间段的等效电路图；图6C是本技术第四实施例所述的像素单元驱动电路在第二时间段的等效电路图；图6D是本技术第四实施例所述的像素单元驱动电路在第三时间段的等效电路图；图7是本技术第五实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；图8是本技术第六实施例所述的像素单元驱动电路的电路图；图9是本技术第七实施例所述的像素单元驱动电路的电路图。具体实施方式如图3所示，本技术第一实施例所述的像素单元驱动电路，用于驱动0LE本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素单元驱动电路，用于驱动OLED，其特征在于，所述像素单元驱动电路包括驱动薄膜晶体管、存储电容、驱动控制单元和充电控制单元，其中， 所述驱动薄膜晶体管的栅极，通过所述驱动控制单元与所述存储电容的第一端连接，还通过所述充电控制单元与数据线连接； 所述驱动薄膜晶体管的源极，与所述存储电容的第二端连接，并通过所述驱动控制单元与驱动电源的低电平输出端连接； 所述驱动薄膜晶体管的漏极，通过所述充电控制单元与驱动电源的高电平输出端连接; 所述存储电容的第一端还通过所述充电控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接。2.如权利要求I所述的像素单元驱动电路，其特征在于， 所述驱动薄膜晶体管的源极，与所述存储电容的第二端连接，还通过所述驱动控制单元与驱动电源的低电平输出端连接； 所述驱动薄膜晶体管的漏极，与所述OLED的阴极连接，还通过所述充电控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接； 所述存储电容的第一端还通过所述充电控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接； 所述OLED的阳极与所述驱动电源的高电平输出端连接。3.如权利要求2所述的像素单元驱动电路，其特征在于， 所述驱动控制单元包括第一开关和第二开关，所述充电控制单元包括第三开关、第四开关和第五开关； 所述驱动薄膜晶体管的源极通过所述第一开关与所述驱动电源的低电平输出端连接; 所述驱动薄膜晶体管的栅极通过所述第二开关与所述存储电容的第一端连接； 所述驱动薄膜晶体管的栅极还通过所述第三开关与所述数据线连接； 所述驱动薄膜晶体管的漏极通过所述第四开关与所述驱动电源的高电平输出端连接; 所述存储电容的第一端通过所述第五开关与所述驱动电源的高电平输出端连接。4.如权利要求3所述的像素单元驱动电路，其特征在于， 所述第一开关是第一开关元件，所述第二开关是第二开关元件，所述第三开关是第三开关元件，所述第四开关是第四开关元件，所述第五开关的第五开关元件； 所述驱动薄膜晶体管、所述第一开关元件、第二开关元件、所述第三开关元件、所述第四开关元件和所述第五开关元件都是n型TFT ; 所述第一开关元件，栅极与第一控制线连接，源极与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：青海刚，祁小敬，高永益，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：