图像传感器制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种图像传感器。本发明专利技术中，感光区域表面上方的介质层周围，采用包括第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层作为侧墙反射层，构建光通路，将光限制在相应的像素感光区域，避免其入射到相邻的像素感光区域，可以减少串扰，提高感光区域的有效感光效率。一方面首先利用第一介质层与层间介质层之间的折射率差对入射光起到限制作用，第二介质层即金属层仅对透过第一介质层的光进行反射，一定程度上降低了金属对光的吸收作用；另一方面，叠层的结构保障了后续化学机械抛光过程中的抛光效果，防止金属的脱落和剥离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种带有光通路的图像传感器。
技术介绍
众所周知，图像传感器是一种能将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器大体上可以分为电荷稱合元件(Charge-Coupled Device,简称“CO)”)和互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,简称 “CMOS”)图像传感器。根据其读出方式，现有的CMOS图像传感器大致可以分为无源式像素传感器 (Passive Pixel Sensor,简称 “PPS”)、有源式像素传感器(Active Pixel Sensor,简称“APS”)和数字像素传感器(Digital Pixel Sensor，简称“DPS”)三种类型。图I和图2分别为理想状况下和实际情况中图像传感器结构中的感光情况。如图I所示，图像传感器，特别是在CMOS图像传感器中，由于将CMOS像素读出电路与感光器件集成在同一半导体衬底上，鉴于电路的金属互联需求，感光区域表面通常覆盖有一定厚度的介质层，并在介质层表面制备滤色器和微透镜，分别实现滤光和聚光，以使得特定范围内的光较为集中地入射到相应像素的感光区域。其中附图标记11、12和13表示的是半导体器件的金属互连层，金属互连层之间是层间介质层。然而，在实际工作中，由于相对于需探测的外界环境而言，像素单元尺寸极小，微透镜的聚光作用有限，大量光线进入层间介质层后，不仅会入射到对应像素的感光区域，还会进入相邻像素，从而引起串扰，并降低感光区域的有效感光效率。在现有技术中，有人曾提出，在感光区域上方的介质层周围，刻蚀形成空气孔，从而在感光区域上方形成类波导的光通路，将大部分入射光限制在该通路中传输，但该方法对光的限制有限，尤其是感光区域上方的介质层通常为低介电常数材料，折射率通常较低(一般为1.5左右)；此外，也有人曾提出，在感光区域上方的介质层周围，采用连续的金属层作为反射层，以防止入射光对相邻像素的影响，但金属对电磁波有一定的吸收作用，随着CMOS图像传感器尺寸的进一步缩小，对于某些极限波长的光，可以近似的视作电磁波，而对于金属的吸收作用则不可忽视。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种图像传感器，可以减少串扰，提高感光区域的有效感光效率。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式公开了一种图像传感器，包括多个像素区域，像素区域包括感光器件，感光器件表面覆盖有层间介质层，感光器件表面上方的周围包围有侧墙反射层，构成用于将入射光导入该感光器件的通孔结构，该侧墙反射层包括第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层结构，其中第一介质层与第二介质层的介电常数不同，第三介质层与第二介质层的介电常数不同。本专利技术实施方式与现有技术相比，主要区别及其效果在于感光区域表面的介质层周围，采用具有不同介电常数的第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层作为侧墙反射层，构建光通路，将光限制在相应的像素感光区域，避免其入射到相邻的像素感光区域，可以减少串扰，提闻感光区域的有效感光效率。进一步地，利用第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层作为侧墙反射层，一方面首先利用第一介质层与层间介质层之间的折射率差对入射光起到限制作用，第二介质层即金属层仅对透过第一介质层的光进行反射，一定程度上降低了金属对光的吸收作用；另一方面，第一介质层和第三介质层作为硬掩膜环绕第二介质层即金属层的叠层结构保障了后续化学机械抛 光过程中的抛光效果，防止抛光过程中金属的脱落和剥离。进一步地，层间介质层的存在，可以使得特定范围内的光较为集中地入射到相应像素的感光区域。进一步地，层间介质层自上而下介电常数递增，即折射率递增，根据光在不同介质间的传输原理可知，该结构可以更好地起到聚光作用，降低入射光在光通路传输过程中到达侧墙反射层发生反射/透射的概率，进一步提高了入射光的吸收效率。附图说明图I是理想状况下图像传感器结构中的感光情况示意图；图2是实际情况中图像传感器结构中的感光情况示意图；图3是本专利技术第一实施方式中一种图像传感器的结构示意图；图4是一种3T型结构的CMOS图像传感器的像素读出电路的结构示意图；图5是一种4T型结构的CMOS图像传感器的像素读出电路的结构示意图。具体实施例方式在以下的叙述中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，本领域的普通技术人员可以理解，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的实施方式作进一步地详细描述。本专利技术第一实施方式涉及一种图像传感器。图3是该图像传感器的结构示意图。具体地说，如图3所示，该图像传感器包括多个像素区域，每个像素区域均包括感光器件，每个感光器件表面覆盖有层间介质层，感光器件表面上方的周围包围有侧墙反射层，构成用于将入射光导入该感光器件的通孔结构，该侧墙反射层包括第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层结构，其中第一介质层与第二介质层的介电常数不同，第三介质层与第二介质层的介电常数不同。在这里，表面上方指光入射的方向，周围指感光器件感光区域的四周。通孔结构为光通路。该图像传感器包括制备在半导体衬底上的感光器件和像素读出电路，半导体衬底为硅衬底、锗衬底、SOI衬底、GOI衬底、SGOI衬底或SSOI衬底等。感光器件及像素读出电路表面具有金属互连及层间介质层，层间介质层为一层或多层。该图像传感器中，第一介质层和第三介质层均为具有高介电常数的介质材料层，二者可以相同，也可以不同，第一介质层和第三介质层为A1203、ZrO2> La203、LaAIO3> LaErO3和HfO2中任意一种或任意几种的叠层结构。在本实施方式中，优选地,第一介质层和第三介质层的介质材料相同，均为Al2O3O第二介质材料为金属材料，优选为Cu、Al或W等。此外，可以理解，在本专利技术的其它某些实施方式中，第一介质层、第二介质层和第三介质层的介质材料也可以是其它的介质材料。利用第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层作为侧墙反射层，一方面首先利用第一介质层与层间介质层之间的折射率差对入射光起到限制作用，第二介质层即金属层仅对透过第一介质层的光进行反射，一定程度上降低了金属对光的吸收作用。另一方面，第一介质层和第三介质层作为硬掩膜环绕第二介质层即金属层的叠层结构保障了后续化学机械抛光过程中的抛光效果，防止抛光过程中金属的脱落和剥离。在本实施方式中，感光器件为光电二极管，例如可以是PN结感光二极管、PIN本征 半导体二极管或金属-半导体接触光电二极管等。在本专利技术的其它某些实施方式中，感光器件也可以为光电门。光电门，又称光门(photogate)。每个感光器件的表面上方覆盖有层间介质层，层间介质层为介电常数小于硅的介电常数的介质材料层。本实施方式中，感光器件表面上方的层间介质层与半导体器件金属互连的层间介质结构同步制备，或侧墙反射层制备完成后单独制备。层间介质层的存在，可以使得特定范围内的光较为集中地入射到相应像素的感光区域，直至到达感光器件表面。该图像传感器中，层间介质层可以为一层或者多层。层间介质层为多层时，各层间介质层的介质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括多个像素区域，所述像素区域包括感光器件，所述感光器件表面覆盖有层间介质层，所述感光器件表面上方的周围包围有侧墙反射层，构成用于将入射光导入该感光器件的通孔结构，该侧墙反射层包括第一介质层、第二介质层和第三介质层形成的叠层结构，其中第一介质层与第二介质层的介电常数不同，第三介质层与第二介质层的介电常数不同。2.根据权利要求I所述的图像传感器，其特征在于，所述第一介质层的介电常数大于层间介质层的介电常数，所述第二介质层的介电常数大于层间介质层的介电常数。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层为A1203、ZrO2> La203、LaAIO3> LaErO3和HfO2中任意一种或任意几种的叠层结构。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：方娜，田犁，陈杰，汪辉，苗田乐，
申请(专利权)人：上海中科高等研究院，
类型：发明
国别省市：