一种峰值检测集成电路制造技术

一种峰值检测集成电路，包括一个电压-电流转换器，产生一个电流信号，包括一个直流电流和一个交流电流信号，它直接随交流电压信号的变化而不同。电流源吸收电流信号到一个可控的最大电流水平。当电流信号超过最大电流水平时会产生一个充电电流，并传递给一个电容。反馈电路的电流源最大电流水平直接随电容式电压的变化而不同。因此，电容式电压反映交流电压的峰值。一个放电电流作用到电容器使电容式电压可以降低来响应交流电压信号的峰值的降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种峰值检测集成电路，一种用于測量交流电压信号峰值幅度的芯片。
技术介绍
測量峰值信号水平的芯片通常被用作助听器的放大器，在这些放大器中需要一定程度的自动增益控制(AGC)。在这些应用中，放大声音信号的量值不断被检测，且放大器增益保持不同信号水平在放大器的工作范围内。本专利技术装置，特别开发用于助听器功率放大器；然而，该芯片可以被使用在许多实际应用里，要求产生ー个反映ー个交流电压信号峰值大小的信号。在如下更完整地描述的优选检测器中，提供一个检测器峰值大小的一般设计对象可以被制作为ー个集成电路助听器放大器的一部分(除了部件，如电容器)，而且可以、从ー个提供的按照ー伏次序的电压投入运行。过去，这样的助听器放大器使用峰值水平检测器(或半波整流器执行类似功能)只响应在放大信号中的ー个特定极性的偏振。如下描述的特别的探測器同时响应一个放大信号的正极和负极偏振，因此少受制于半周期操作的瞬变和畸变特点。此外，这是ー个提供这个具有一个定义明确的检测阈值的优选检测器的对象，这将消除在规定范围内下降的低电平信号的检测。
技术实现思路
本专利技术提供ー种峰值检测集成电路，ー种产生ー个反映交流电压信号峰值的信号的芯片。第一方面，该芯片包括产生电流信号为了产生ー个具有与第一极交流电压信号每个峰值相对应的峰值的电流信号。每个电流信号的峰值直接随与之相对应的交流电压信号峰值的变化而不同。电流源用来降低电流信号至一个可控制的最大电流水平。充电电流产生用来当电流信号超过最大电流水平时产生ー个充电电流，且将这个充电电流传递给ー个电容。反馈方式电流源的最大电流水平直接随结电容式电压信号值的变化而不同。放电电流产生为了用来被作用到电容中以便于电容电压可以降低来响应交流电压信号峰值的降低。在第二方面，本专利技术提供一个产生反映交流电压信号峰值的信号的芯片，该芯片同时响应交流电压信号的正极和负极偏振。该芯片包括电流信号产生是为了产生第一和第二单极电流信号。第一电流信号有ー个与交流电压信号的ー个第一极的每个峰值相对应的峰值，而第二电流有ー个与交流电压信号的ー个第二季的每个峰值相对应的峰值。第一和第二电流信号的峰值每个都直接随与之相对应的交流电压信号的变化而不同。电流源被应用来降低第一电流信号至ー个第一可控制的最大电流水平。充电电流产生是为了当第一电流信号超过第一最大电流水平或者第二电流信号超过第二最大电流信号水平时，产生ー个充电电流，且该充电电流被传递到一个电容中。电流源的第一和第二最大电流水平每个的反馈方式都直接随结电容式电压的变化而不同，借以电容电压来反映交流电压信号的峰值。放电电流产生来将ー个放电电流作用到电容上以便于电容电压可以升高来响应交流电压信号峰值的降低。在这份公开说明书和权利要求中所使用的术语“电流源”或“电流源装置“应该被理解为ー个能够吸收其它电路产生电流的电路单元或向其他电路传递电流的电路单元。无论怎样，电流源或电流源装置的工作将被描述为对于ー个电流的“收集”。附图说明图I是ー个方框图表示一个体现本专利技术的半波整流器；图2是ー个方框图表示一个体现本专利技术的全波整流器；图3是ー个电路图说明了一个根据本专利技术构造的全波整流器的首选体现。本专利技术的具体实施例方式參考图I这是ー个方框图表示体现本专利技术的电平检测器8的峰值。电平检测器8包括一个电流输入端12接收到的交流电压信号的电流源10，一个电流源14，ー个充电电流发生器16，和一个接收充电电流的电容18，一个放电电流发生器20，和ー个反馈电路22。电流源10产生ー个单极电流信号II,即ー个电流信号有一个单极性。电流信号Il最好包括一个预定幅度的直流电流，和ー个直接随输入信号的变化而不同的电流信号分量，借以电流信号I I有一个与输入信号的ー个第一单极的每个峰值相对应的峰值。输入信号ー个相反极性的峰值将会产生电流信号Il的最小值。信号分量最好是线性相关的输入信号但是这样的要求不是完全必要的。所需要的是峰值和电流信号Ii直接随与之相对应的输入信号的变化而不同以便于电流峰值将事实上反映输入信号的峰值。术语“直接在大小上不同”结果肯定会理解为这意味着ー个独特的之间相关程度的一对ー关系，即相关大小一起增大和减小。在通常的应用中，电流源10可能是ー个普通的电压电流转换器。电流源14控制吸收电流信号Il至一个可控制的最大电流水平。该吸收电流在图I中表示为12。被表示为13的多余电流由充电电流发生器16检测，通过传递ー个充电电流的到电容18来响应。该充电电流最适宜由放大的多余电流产生以至于充电电流值随电流源10和电流源之间的差异而不同。然而，因为反馈的參与，这样的多余电流和充电电流之间的关系对于本专利技术的目的并不是绝对必要的。反馈电路22检测电容式电压，且升高或降低电流源14最大电流降直接取决于电容电压。当电容18继续充电时，反馈电路22继续升高电流源14的最大电流水平直到电流I I完全被吸收。如果多余电流13被放大来产生充电电流，而在稳态中不是所有的电流Il都会被电池吸收而成为充电电流的必须产生来平衡作用到电容18中的放电电流。 在稳态中，电流源14有效控制降低电流源10产生的电流信号的峰值。当输入信号有ー个第一极性时这个峰值出现，相反极性的峰值不被检测出。因为这个反馈的參与，电容电压表明输入信号的峰值(并将表明正弦输入信号的均方根值)。电容电压可从输出端24得到。我们可以从操作的描述中领会到电流信号Il的确切形式不是关键的，唯一需要的是与以上描述的电流Ii和那些输入信号之间峰值相对应的峰值。检测器8的峰值电平不能立即回应输入信号电平的降低。放电装置20必须首先降低电容电压至ー个电平，该电平下的电流源14可以控制吸收电流源10为了响应新的输入信号而产生的峰值电流。显然放电电流作用到电容18将会影响检测器8响应ー个降低的输入信号的方式。ー个具有预定值的恒定电流是比较好的，电流值被恰当的选择使为了特定的应用，但是可能要提供一个更为复杂的机制。图2是ー个表示体现本专利技术的一个峰值水平检测器25的框图。全波整流器包括一个电流源26, —对电流输入端28,30, —个充电电流发生器32, —个电容34,放电电流产生装置36和ー个反馈电路38.检测器25的运作与检测器8相似除了检测器25同时响应交流电压信号的正极和负极偏振。电流源26产生两个单极电流信号II, 12。电流Il包括ー个信号成分,它随一个输入端40吸收的输入信号值的变化而不同，当输入信号有ー个第一极性时，输入端的信号成分升高电流信号Il的值至ー个最大电平。电流信号12包括ー个相似的信号成分，但当输入信号有ー个相反极性时，它升高电流12的值至ー个最大电平。电流输入端28，30分别吸收电流II，12的部分至第一和第二最大电平，这些吸收的电流被指定为13和14，留下多余的电流为15和16。当电流15或16被检测到时，充电电流发生器32传递ー个充电电流到电容34。反馈网络38升高电流输入端28，30的第一和第二最大电流水平直到多余的电流降低至零。在这点上电容电压将反映ー个交流输入信号的峰值。放电电流发生器36用一种可控的方式降低电容式电压来确保峰值水平检测器25可以跟随幅度降低的输入信号。图3所示的一个根据本专利技术构造的峰值水平检测器42的实际体现。该特定的检本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种峰值检测集成电路，其特征是ー个用来产生信号反映ー个交流电压信号的峰值的设备，包括电流信号产生来响应交变电压信号产生ー个单极电流信号，它有ー个峰值对应于第一极性交流电压信号的每个峰值，每个电流信号的峰值直接随与之相对应的交流电压信号峰值大小的变化而不同；晶体管电流源与一系列电流信号连接，来使所述单极电流信号下降至一个可控的最大电流水平；当单极电流超过最大电流水平吋，充电电流会产生ー个充电电流；一个电容与充电电流连接来接收那个充电电流；反馈用来响应电容上的电压降是因为电流源的最大电流水平直接随电容上的电压降大小变化而不同，借以电容上的电压降来反映交流电压信号的峰值；还有，放电电流产生是为了将ー个实质的持续放电电流作用在电容上，以便于电容上的电压降可以下降，来响应交流电压信号的峰值的下降。2.根据权利要求I所述的ー种峰值检测集成电路，其特征是充电单极电流产生来接收单极电流信号超过最大电流的部分和放大那个超过最大电流的电流部分来产生充电电流。3.根据权利要求I所述的ー种峰值检测集成电路，其特征是当交流电压信号峰值低于ー个预定阈值时，反馈为电流源的可控最大电流水平设定的一个预定最小水平，借以电容上的电压降不会下降。4.根据权利要求I所述的ー种峰值检测集成电路,其特征是电流信号组成产生的大体上给定常数级的ー个直流电流和交流电流信号，实质上它们直接随交流电压信号值的变化而不同，所述直流电流和所述交流信号相结合组成所述单极电流信号。5.根据权利要求I所述的ー种峰值检测集成电路，其特征是ー个用来产生信号来反映ー个交流电压信号峰值的设备，包括电流信号产生为了响应交流电压信号，来产生ー个第一单极电流信号，它有ー个峰值与交流电压信号ー个第一极性的每个峰值相对应，ー个第二单极电流信号，它有ー个峰值与交流电压信号ー个第二极性的每个峰值相对应，第一和第二电流信号的每个峰值直接随相应的交流电压信号峰值的变化而不同；第一晶体管电流源用来吸收第一单极电流信号至ー个第一可控最大电流水平，而第二晶体管电流源用来吸收第二单极电流信号至ー个第二可控最大电流水平；充电电流产生用来，当第一单极电流超过第一最大电流水平，或者当第二单极电流超过第二最大电流水平时，产生一个充电电流；一个电容与为了接收充...

【专利技术属性】
技术研发人员：包兴坤，
申请(专利权)人：苏州硅智源微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：