【技术实现步骤摘要】
本实施例涉及检测器电路。
技术介绍
检测器电路是检测高频信号(RF信号)或者其他交流(AC)信号的电カ的电路,并且例如用作检测便携式通信終端等中设有的功率放大器的输出电力的电路。电カ检测器电路例如利用ニ极管执行对高频信号的包络检測。这样的电路将高频信号施加于ニ极管,对超过ニ极管阈值电压的电压进行整流并将此转换成电流,并且利用电阻器和电容器将整流后的AC电流信号转换成直流(DC)电压信号。然而,通常ニ极管的阈值电压由于温度的影响而变动,使得为电カ检测单独使用 简单ニ极管将引起电カ检测器电路的输出电平的波动。日本专利申请公开公报第2005-142955号讨论了消除ニ极管阈值电压波动影响的电カ检测器。在该电カ检测器中,输入高频信号被分配到两个ニ极管的正极,来自偏置电路的偏置电流被提供给各个ニ极管,DC电压被在与ニ极管并行设置的负载电阻器两端生成,并且根据施加到ニ极管的高频信号而改变的电压被经由电感器输入到差分放大器中。差分放大器输出根据施加到各个ニ极管的高频信号而改变的两个电压的差值电压。日本专利申请公开公报第2005-142955号中讨论的检测器电路计算根据预先确定的电力分配比对高频信号的分配而产生的两个电压的差值电压,因此差分放大器的输出电压被检测为高频信号的电カ电平,并且即使ニ极管的阈值电压由于温度变化而变动,ニ极管的阈值电压的变动也被该差值消除,使得阈值电压的变动的影响得以补偿。然而,上述电カ检测器使用差分放大器。差分放大器由于制造变动(manufacturing variation)而具有电压偏移,因此差值电压的检测精度存在限制。此外,作为差分放大器 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.18 JP 2011-0603341.一种检测器电路,包括 第一ニ极管,交流信号被输入到该第一ニ极管的正极并且恒定电压被提供到该第一ニ极管; 第二ニ极管,所述恒定电压被提供到该第二ニ极管;以及 差值电流生成电路,该差值电流生成电路生成在所述第一二极管中流动的第一电流与在所述第ニニ极管中流动的第二电流之间的差值电流。2.根据权利要求I所述的检测器电路,其中 所述差值电流生成电路包括 第一电流镜电路,该第一电流镜电路设在所述第一二极管的负极侧并且生成第三电流,该第三电流的电流值是所述第一电流与第一电流镜像比的乘积; 第二电流镜电路,该第二电流镜电路设在所述第ニニ极管的负极侧并且生成第四电流,该第四电流的电流值是所述第二电流与第二电流镜像比的乘积; 第二电流镜电路,该第二电流镜电路生成电流值是所述第二电流与第二电流镜像比的乘积的第五电流,或者电流值是所述第四电流与所述第三电流镜像比的乘积的第六电流;以及 耦合有所述第五电流的路径和所述第四电流的路径的耦合节点,或者耦合有所述第六电流的路径和所述第三电流的路径的耦合节点,其中 所述差值电流是在耦合节点处生成的。3.根据权利要求2所述的检测器电路,还包括校准电路,在所述交流信号的输入停止的状态下,所述校准电路可变地设定所述第一、第二和第三电流镜像比中的至少ー者以使得所述差值电流被减小。4.根据权利要求I所述的检测器电路,其中 所述恒定电压经由第一电阻器施加到所述第一ニ极管的正极并且经由第二电阻器施加到所述第二ニ极管的正扱, 所述检测器电路还包括校准电路,该校准电路在高频信号的输入停止的状态下可变地设定所述第二电阻器的电阻值以使得所述差值电流被减小。5.根据权利要求3所述的检测器电路,其中,所述校准电路包括检测所述差值电流的符号的比较器,以及根据所述比较器的比较结果来执行可变设定的校准控制电路。6.根据权利要求4所述的检测器电路,其中,所述校准电路包括检测所述差值电流的符号的比较器,以及根据所述比较器的比较结果来执行可变设定的校准控制电路。7.根据权利要求5所述的检测器电路,其中,所述校准电路包括校准电流经由第一开关提供到的校准电容、设在所述耦合节点与所述校准电容之间的第二开关、向所述耦合节点输入电压的反相器以及所述校准控制电路,所述校准控制电路在所述第一开关被导通并且所述校准电容被充电到所述反相器的阈值电压时根据所述反相器的输出执行可变设定,此后所述第一开关被关断并且所述第二开关被导通,并且所述差值电流被提供到所述校准电容。8.根据权利要求3所述的检测器电路,其中,所述第一电流镜电路、第二电流镜电路和第三电流镜电路各自具有栅极共同耦合的一对晶体管,并且所述第一、第二和第三电流镜像比的可变设定通过对这些对晶体管的沟道宽度比的可变设定来执行。9.根据权利要求2所述的检测器电路,包括 第一平滑电路,该第一平滑电路设在所述第一二极管的负极与所述第一电流镜电路之间;以及 第二平滑电路,该第二平滑电路设在所述第ニニ极管的负极与所述第二电流镜电路之间。10.根据权利要求9所述的检测器电路,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:中本裕之,
申请(专利权)人:富士通半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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