本发明专利技术提供一种具有a-SiC上部电荷注入阻止层和a-SiC表面层的电子照相感光构件，其粘附性优异、抑制表面劣化，感光度特性和带电特性优异，并可长期保持足够的图像形成能力。相对于上部电荷注入阻止层中的硅原子，上部电荷注入阻止层包含10原子ppm以上至30,000原子ppm以下的周期表第13族原子或第15族原子，和上部电荷注入阻止层中的碳原子数(C)与上部电荷注入阻止层中的硅原子数和碳原子数之和的比(C/(Si+C))为0.10以上至0.60以下；和表面层中硅原子的原子密度与碳原子的原子密度之和为6.60×1022原子/cm3以上，和表面层中的碳原子数(C)相对于硅原子数(Si)和碳原子数(C)之和的比(C/(Si+C))为0.61以上至0.75以下。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有由氢化非晶碳化硅(在下文中，也称作“a-SiC”)形成的表面层的电子照相感光构件，和具有该电子照相感光构件的电子照相设备。在下文中，由“a-SiC”形成的表面层也称作“a-SiC表面层”。
技术介绍
具有在基体上由非晶硅(以下也称作“a-Si”)形成的光导电层(感光层)的电子照相感光构件是公知的。下文中，由a-Si形成的光导电层也称作“a-Si光导电层”。特别地，具有采用成膜技术如CVD和PVD在导电性基体如金属上形成的a-Si光导电层的a_Si电子照相感光构件(以下也称作“a-Si感光构件”)已经实现商业化。·专利文献I公开了一种a-Si感光构件,其具有在光导电层与表面层之间设置的上·部电荷注入阻止层，所述上部电荷注入阻止层由包含碳原子和周期表第13族元素同时采用硅原子作为基质的非单晶硅膜构成。通过具有这种层结构，电子照相感光构件提高了其从表面抑制电荷注入的能力，并可获得足够的带电特性。特别地在要带负电的电子照相感光构件中，可明显地观察到这种带电特性的增强。另外，由于具有出色的耐磨性，a-SiC表面层主要用作具有较快处理速度的电子照相设备中的a-Si感光构件的表面层。然而，常规a-SiC表面层在重复进行电子照相处理时，有时会引起表面氧化和劣化。这种劣化现象由于在常规运转环境和常规使用条件下，在清洁步骤中通过磨损作用除去了劣化层而得到抑制，从而变得不明显。然而，由于在电子照相设备中各机构的值偏离最优设定值或周围环境突变，导致施加至电子照相感光构件的电流和电压或带电生成物有时会发生较大变化，或者导致清洁条件可能剧烈变化。当发生这类变化时，存在劣化层因所述变化而残留在电子照相感光构件表面上的情况。如上所述，当劣化层残留时，所述劣化层很少能够均匀地残留在电子照相感光构件的表面上，在多数情况下，劣化层不均匀地残留。这类劣化层由氧化硅作为主要组分形成，因此，折射率为介于空气折射率与a-SiC表面层折射率之间的中间值。结果，劣化层起到抗反射涂层的作用。因此，在劣化层残留的部分，照射电子照相感光构件表面的图像曝光光的反射率下降。因此，即使将预定光量的图像曝光光均匀地照射电子照相感光构件，在劣化层残留部分与不存在劣化层部分之间，入射至电子照相感光构件上的曝光光的光量也存在差异。因此，存在发生感光度不均匀性和损害图像均匀性的情况。作为抑制表面层劣化的技术，专利文献2公开了具有由非单晶氢化碳形成的表面层的光接受构件。其设想由作为带电生成物的臭氧对表面层表面的氧化，可采用不含趋于容易与氧原子耦合(换言之，易于被氧化)的硅原子的非单晶氢化碳膜作为表面层来降低。引用文献列表专利文献PTL I :日本专利 No. 3902975PTL 2 :日本专利申请特开 No. 2001-33097
技术实现思路
表面层表面劣化通过采用由非单晶氢化碳形成的表面层改善，但当在由a-SiC形成的上部电荷注入阻止层上形成由非单晶氢化碳构成的表面层时，存在粘附性不足的情况。这被认为是由于a-SiC与非单晶氢化碳间结构差异，使得层间边界处粘附 性削弱，从而边界受到机械应力而发生的。由a-SiC形成的上部电荷注入阻止层在下文中也称作“a-SiC上部电荷注入阻止层”。通常，在具有a-SiC上部电荷注入阻止层与a-SiC表面层的电子照相感光构件中，难以同时抑制长期表面劣化和提供足够的层间粘附性。本专利技术的目的在于提供一种具有a-SiC上部电荷注入阻止层和a-SiC表面层的电子照相感光构件，其层间粘附性出色，具有劣化受到抑制的表面，感光特性和带电特性优异，并能长期保持充分的图像形成能力；和提供一种具有该电子照相感光构件的电子照相设备。本专利技术提供一种电子照相感光构件，其具有导电性基体、在导电性基体上由非晶硅形成的下部电荷注入阻止层、在下部电荷注入阻止层上由非晶硅形成的光导电层、在光导电层上由氢化非晶碳化硅形成的上部电荷注入阻止层和在上部电荷注入阻止层上由氢化非晶碳化硅形成的表面层，其特征在于上部电荷注入阻止层包含相对于上部电荷注入阻止层中的娃原子为10原子ppm以上至30，000原子ppm以下的周期表中第13族原子或第15族原子，和上部电荷注入阻止层中碳原子数(C)相对于上部电荷注入阻止层中硅原子数(Si)与碳原子数(C)之和的比(C/(Si+C))为O. 10以上至O. 60以下；和表面层中硅原子的原子密度与碳原子的原子密度之和为6. 60 X IO22原子/cm3以上，并且表面层中碳原子数(C)相对于表面层中硅原子数(Si)与碳原子数(C)之和的比(C/(Si+C))为O. 61以上至O. 75以下。本专利技术还提供一种电子照相设备，其具有所述电子照相感光构件和充电单元、图像曝光单元、显影单元和转印单元。本专利技术可提供一种具有a-SiC上部电荷注入阻止层和a-SiC表面层的电子照相感光构件，其层间粘附性出色，具有劣化受到抑制的表面，感光特性和带电特性优异，并可长期保持充分的图像形成能力；和提供一种具有该电子照相感光构件的电子照相设备。本专利技术的进一步特征通过以下参考附图的示例性实施方案描述将变得显而易见。附图说明图I是示出根据本专利技术电子照相感光构件层结构的一个例子的图。图2是示出可用于本专利技术的电子照相感光构件生产的采用具有RF带的高频电力的等离子体CVD沉积设备结构的一个例子的图。图3是示出根据本专利技术电子照相设备结构的一个例子的图。具体实施例方式本专利技术人首先对a-SiC表面层(由氢化非晶碳化硅形成的表面层)进行了研究，旨在获得能够抑制表面劣化，同时顾及a-SiC表面层与a-SiC上部电荷注入阻止层(由氢化非晶碳化硅形成的上部电荷注入阻止层)粘附性的a-SiC表面层。结果，本专利技术人发现，可通过首先将a-SiC表面层中碳原子数(C)相对于硅原子数(Si)与碳原子数(C)之和的比(C/(Si+C))控制为O. 61以上至O. 75以下，和另外将a-SiC表面层中硅原子的原子密度与碳原子的原子密度之和控制为6. 60 X IO22原子/cm3以上来抑制表面劣化。下文中，硅原子的原子密度也称作“Si原子密度”，碳原子的原子密度也称作“C原子密度”，和Si原子密度与C原子密度之和也称作“Si+C原子密度”。接着，本专利技术人研究了 a-SiC上部电荷注入阻止层与上述a-SiC表面层间的粘附性，结果，证实获得了足够的粘附性，并完成了本专利技术。<本专利技术的电子照相感光构件>本专利技术的电子照相感光构件是具有导电性基体、在导电性基体上形成的下部电荷注入阻止层、在下部电荷注入阻止层上形成的光导电层、在光导电层上形成的上部电荷注入阻止层和在上部电荷注入阻止层上形成的表面层的电子照相感光构件。图I是示出本专利技术电子照相感光构件层结构的一个例子的视图。在图I中，显示了导电性基体101、下部电荷注入阻止层102、光导电层103、上部电荷注入阻止层104和表面层105。图I中的各层可采用真空沉积成膜法，更具体地，采用高频CVD法等，通过适宜地设定成膜参数的数值条件以获得期望的特性来形成。(导电性基体)用于导电性基体的材料可包括例如铜、铝、镍、钴、铁、铬、钥、钛和这些元素的合 金。其中，基于加工性和生产成本考虑，可使用铝。在铝中，可使用铝-镁系合金或铝-锰系合金。下文中，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.28 JP 2009-298072;2010.12.14 JP 2010-277781.一种电子照相感光构件，其包含导电性基体、在所述导电性基体上的由非晶硅形成的下部电荷注入阻止层、在所述下部电荷注入阻止层上的由非晶硅形成的光导电层、在所述光导电层上的由氢化非晶碳化硅形成的上部电荷注入阻止层和在所述上部电荷注入阻止层上的由氢化非晶碳化硅形成的表面层，其中相对于所述上部电荷注入阻止层中的硅原子，所述上部电荷注入阻止层包含10原子ppm以上至30，000原子ppm以下的周期表第13族原子或第15族原子，和 所述上部电荷注入阻止层中的碳原子数(C)与所述上部电荷注入阻止层中的硅原子数(Si)和碳原子数(C)之和的比(C/(Si+C))为O. 10以上至O. 60以下；和 所述表面层中硅原子的原子密度与碳原子的原子密度之和为6. 60X IO22原子/cm3以上,和 所述表面层中的碳原子数(...
【专利技术属性】
技术研发人员：植田重教，古岛聪，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：
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