本发明专利技术适用于集成电路领域，提供了一种电压切换电路和智能存储模块，电压切换电路包括：第一晶体管、第二晶体管、上拉电阻、下拉电阻、限流电阻和单向导通元件；第一晶体管的第一端连接至电压输出端，第二端连接第二电压输入端，第三端连接至第二控制端；第二晶体管的第一端连接第一电压输入端，第二晶体管的第二端连接至单向导通元件的一端，第二晶体管的第三端通过上拉电阻连接至第一电压输入端；第二晶体管的第三端还连接至第一控制端。本发明专利技术提供的电压切换电路通过第一晶体管、第二晶体管、上拉电阻、下拉电阻和限流电阻可以实现将外界输入不同工作电压切换为适应不同的操作所需的工作电压；成本低、稳定性高。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路领域，尤其涉及一种电压切换电路及智能存储装置。
技术介绍
随着集成电路功能的増加，为适应各种操作，集成电路中不同模块或同一模块在处理不同任务时往往会需要不同的工作电压。因此，集成电路中需要有能把外界输入不同工作电压切换为适应不同的操作所需工作电压的电压切換电路。解决上述问题一般有以下两种办法，其ー是定制专门芯片，即根据需要将电压切换电路集成在芯片内，其ニ是使用普通芯片，但在普通芯片组成的电路上接入电压切換电路。前者的优点是电路集成度高，电路工作稳定，但定制芯片费用较高，然后者成本较低，但电路工作稳定性稍差。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供ー种电压切换电路，旨在解决现有的定制芯片费用较高，非定制芯片中电压切换电路的稳定性差的问题。本专利技术实施例是这样实现的，一种电压切换电路，包括第一晶体管、第二晶体管、上拉电阻、下拉电阻、限流电阻和单向导通元件；所述限流电阻和所述下拉电阻依次串联连接在第一电压输入端与地之间；所述限流电阻和所述下拉电阻的串联连接端连接至第二控制端；所述第一晶体管的第一端连接至电压输出端，第二端连接第二电压输入端，第三端连接至所述第二控制端，所述第一晶体管的第三端控制其第一端与第二端之间的导通；所述第二晶体管的第一端连接第一电压输入端，所述第二晶体管的第二端连接至所述单向导通元件的一端，所述第二晶体管的第三端通过所述上拉电阻连接至所述第一电压输入端；所述第二晶体管的第三端还连接至所述第一控制端；所述第二晶体管的第三端控制其第一端与第二端之间的导通；所述单向导通元件的另一端连接至电压输出端。更进一歩地，所述单向导通元件为ニ极管，所述ニ极管的阳极与所述第二晶体管连接，所述ニ极管的阴极连接至所述电压输出端。更进一歩地，所述第一晶体管为场效应管、MOS管或可控硅。更进一歩地，所述第二晶体管为场效应管、MOS管或可控硅。更进ー步地，所述MOS管为PMOS管。本专利技术实施例的目的还在于提供ー种智能存储装置，包括主控模块以及分别与所述主控模块连接的智能1C、存储模块和电压切换电路，所述电压切換电路为上述的电压切换电路。更进一歩地，所述智能存储装置为智能SD卡。更进ー步地，所述智能存储装置与终端连接的接触式接ロ为IS07816接ロ。更进一歩地，所述智能存储装置与终端连接的无线射频接ロ为SWP接ロ。更进一歩地，所述终端包括依次连接的电源模块、控制器和NFC模块，所述NFC模块还分别与所述电压切换电路和所述智能IC连接，所述控制器还与所述主控模块连接。在本专利技术实施例中，电压切换电路通过第一晶体管、第二晶体管、上拉电阻、下拉电阻和限流电阻可以实现将外界输入不同工作电压切換为适应不同的操作所需的工作电压；成本低、可稳定输出多种不同的工作电压；另外，包括电压切换电路的智能存储装置接ロ可多样且电路稳定。附图说明图I是本专利技术实施例提供的电压切换电路的具体电路图；图2是本专利技术实施例提供的智能存储装置的模块结构原理示意图。 具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进ー步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图I示出了本专利技术实施例提供的电压切换电路的电路，为了便于说明，仅示出了与本专利技术实施例相关的部分，详述如下电压切换电路包括第一晶体管I、第二晶体管2、单向导通元件3、下拉电阻R2、限流电阻R3和上拉电阻Rl ;其中，限流电阻R3和下拉电阻R2依次串联连接在第一电压输入端Vl与地之间；限流电阻R3和下拉电阻R2的串联连接端连接至第二控制端P2 ;第一晶体管I的第一端连接电压输出端V2，第二端连接第二电压输入端V，第三端连接至P2，第一晶体管I的第三端控制其第一端与第二端之间的导通；第二晶体管2的第一端连接第一电压输入端VI，第二晶体管2的第二端连接至单向导通元件3的一端，第二晶体管2的第三端通过上拉电阻Rl连接至第一电压输入端Vl ;第二晶体管2的第三端还连接至第一控制端Pl第二晶体管2的第三端控制其第一端与第二端之间的导通；单向导通元件3的另一端连接至电压输出端V2。第二晶体管2和单向导通元件3构成防倒灌电路，可以防止电流从V端倒灌的电路，且保证Vl不会泄电到V2，使电源更稳定，保护电路。作为本专利技术的一个实施例，单向导通元件3可以为ニ极管D1，ニ极管Dl的阳极与第二晶体管2连接，ニ极管DI的阴极连接至电压输出端V2。在本专利技术实施例中，第一晶体管I和第二晶体管2可以为场效应管、MOS管或可控硅；当第一晶体管I和第二晶体管2均为MOS管时，第一晶体管I可以为PMOS管Q2，第ニ晶体管2可以为PMOS管Q1，PM0S管Q2的栅极连接在下拉电阻R2和限流电阻R3的串联连接端；PM0S管Q2的源极连接电压输出端V2，PMOS管Q2的漏极连接第二电压输入端V ；PMOS管Ql的栅极连接上拉电阻Rl，PMOS管Ql的源极连接第一电压输入端VI，PMOS管Ql的漏极连接至ニ极管Dl的阳极。为了更进ー步的说明本专利技术实施例提供的电压切换电路，第一晶体管I以PMOS管Q2、第二晶体管2以PMOS管Q1、单向导通元件3以ニ极管Dl为例，结合图2详述其工作原理如下在工作吋，整个电压切换电路是默认PMOS管Ql关闭，PMOS管Q2开启的，即常态下，第一控制端Pl处于高阻状态，第一控制端Pl为截止状态，PMOS管Ql关闭，此时第二控制端P2处于低阻状态，第二控制端P2为导通，PMOS管Q2开启，电压输出端V2输出的工作电压为第二电压输入端V的电压。另外ー种工作模式是第一控制端Pl处于低阻状态，此时第一控制端Pl为导通，PMOS管Ql开启，此时第二控制端P2处于高阻状态，第二控制端P2为截止，PMOS管Q2关闭，电压输出端V2输出的工作电压为第一电压输入端Vl的电压。在上述两种工作模式下，V2端输出工作电压为V或者VI，即电压切换单元根据需要将第二电压输入端V或第一电压输入端Vl之间选择其一,供V2端输出。其中，电阻Rl是PMOS管Ql的栅极G的上拉电阻，保证常态关闭；电阻R2是下拉电阻，保证第一电压输入端Vl没电时，PMOS管Q2自动导通；电阻R3是第二控制端P2上拉时的限流电阻，电阻R2和R3构成ー个分压电路，在电路启动阶段，第二控制端P2输出高阻态时，保证它的中间电压Vm > V-vgs (其中,V-vgs表示PMOS的导通电压參数),即保证PMOS管Q2在电路启动过程中关闭，不会出现误操作。电阻R3的存在也保证了第一电压输入端Vl不上电情况下，PMOS管Q2的自动导通，此时V2的栅极电压被R3下拉至0，而PMOS管Q2的源极因为体效应ニ极管的存在而存在一定电压，此电压开启了 PMOS管Q2，并导致栅极电 压更加稳定，这是ー个正反馈的开关；PM0S管Q2的体效应ニ极管方向也在Pl操作时，Vl过来的电压不会倒灌到V端，保证了电源的稳定。采用上述电压切换电路成本低、稳定性強。为了在智能存储装置200上融入移动支付功能(NFC)，需要在智能存储装置200上集成带NFC功能的模块，即智能存储装置200上需要配置接触式接ロ(如IS07816接触式接ロ)和配置无线射频接ロ(如SWP接ロ)，具有接触式接口和无线射频接ロ的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电压切换电路，其特征在于，包括 第一晶体管、第二晶体管、上拉电阻、下拉电阻、限流电阻和单向导通元件； 所述限流电阻和所述下拉电阻依次串联连接在第一电压输入端与地之间；所述限流电阻和所述下拉电阻的串联连接端连接至第二控制端； 所述第一晶体管的第一端连接至电压输出端，第二端连接第二电压输入端，第三端连接至所述第二控制端，所述第一晶体管的第三端控制其第一端与第二端之间的导通； 所述第二晶体管的第一端连接第一电压输入端，所述第二晶体管的第二端连接至所述单向导通元件的一端，所述第二晶体管的第三端通过所述上拉电阻连接至所述第一电压输入端；所述第二晶体管的第三端还连接至所述第一控制端；所述第二晶体管的第三端控制其第一端与第二端之间的导通； 所述单向导通元件的另一端连接至电压输出端。2.如权利要求I所述的电压切换电路，其特征在于，所述单向导通元件为二极管，所述二极管的阳极与所述第二晶体管连接，所述二极管的阴极连接至所述电压输出端。3.如权利要求I所述的电压切换电...
【专利技术属性】
技术研发人员：程振，钟衍徽，陈进光，
申请(专利权)人：深圳市江波龙电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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