发光二极管元件及发光二极管装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供发光二极管元件及发光二极管装置。该发光二极管元件包括：光半导体层；电极部，其与光半导体层相连接；密封树脂层，其密封光半导体层和电极部，含有光反射成分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管元件及发光二极管装置，详细地讲是涉及发光二极管元件及倒装片片安装有该发光二极管元件的发光二极管装置。
技术介绍
发光二极管装置包括具有端子的基底基板及安装在该基底基板上的发光二极管元件，该发光二极管元件包括电极部、连接于该电极部的光半导体层 及密封电极部和光半导体层的密封树脂层。以往，在发光二极管装置中，利用引线接合将发光二极管元件的电极部和基底基板的端子连接起来，但由于随着亮度升高而引起热量增大、由引线的阴影导致亮度降低等，因此，近年来，为了提高光的提取效率，对将发光二极管元件倒装片安装在基底基板上进行了各种研究。具体地讲，对于该倒装片安装，提出了将发光二极管元件的电极部直接与基底基板的端子电连接(例如参照日本特开2005-158932号公报)。在日本特开2005-158932号公报中，为了进一步提高光的提取效率，在光半导体层的表面设置由具有较高反射率的金属成膜的扩散膜。但是，在日本特开2005-158932号公报所述的发光二极管装置中，需要与光半导体层、密封树脂层分别独立地设置扩散膜，因此，装置构造相应地变复杂。另外，该发光二极管装置的制造成本增大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供以低成本制造、能够以简单的构造充分地提高光的提取效率的发光二极管元件以及倒装片安装有该发光二极管元件的发光二极管装置。本专利技术的发光二极管元件的特征在于，该发光二极管元件包括光半导体层；电极部，其与上述光半导体层相连接；密封树脂层，其密封上述光半导体层和上述电极部，含有光反射成分。另外，本专利技术的发光二极管装置的特征在于，该发光二极管装置包括基底基板；发光二极管元件，其倒装片安装在上述基底基板上；上述发光二极管元件包括光半导体层；电极部，其与上述光半导体层电连接；密封树脂层，其密封上述光半导体层和上述电极部，含有光反射成分。本专利技术的发光二极管元件的密封树脂层含有光反射成分，因此，能够自电极部接收电力供给而利用密封树脂层将从光半导体层发出的光反射。因此，不必设置日本特开2005-158932号公报所述的扩散膜等，能够利用简单的构造且以低成本制造发光二极管元件，并且能够提闻光的提取效率。结果，在倒装片安装有上述发光二极管元件的发光二极管装置中，能够提高光的提取效率。附图说明图I是本专利技术的发光二极管装置的一个实施方式的剖视图。图2是说明通过发光二极管元件的倒装片安装来制造图I的发光二极管装置的工序的剖视图。图3是说明制造图2所示的发光二极管 元件的方法的工序图，(a)是准备发光层叠板的工序，(b)是形成密封树脂层的工序，(C)是除去基底基板的工序，(d)是除去密封树脂层的上侧部分，之后对发光层叠板进行切断加工而得到发光二极管元件的工序。图4是本专利技术的发光二极管装置的另一实施方式(发光二极管元件的光半导体层的下表面和侧面被密封树脂层密封的形态)的剖视图。图5是说明制造图4所示的发光二极管装置的方法的工序图，(a)是准备多个发光层叠体和剥离板的工序，(b)是将多个发光层叠体层叠在剥离板上的工序，(c)是利用密封树脂层密封多个发光层叠体的上表面和侧面的工序。图6是接着图5说明制造图4所示的发光二极管装置的方法的工序图，(d)是除去密封树脂层的上侧部分，之后进行切割而切分成发光二极管元件的工序，(e)是将剥离板自发光二极管元件剥离的工序。图7是本专利技术的发光二极管装置的另一实施方式(发光二极管元件的光半导体层的下表面和侧面及支承基板的侧面被密封树脂层密封的形态)的剖视图。图8是说明制造图7所示的发光二极管装置的方法的工序图，(a)是准备多个发光层叠体和剥离板的工序，(b)是将多个发光层叠体层叠在剥离板上的工序，(C)是利用密封树脂层密封多个发光层叠体的上表面和侧面的工序。图9是接着图8说明制造图7所示的发光二极管装置的方法的工序图，(d)是除去密封树脂层的上侧部分，之后进行切割而切分成发光二极管元件的工序，(e)是将剥离板自发光二极管元件剥离的工序。图10是比较例I的发光二极管装置(包括扩散膜的形态)的剖视图。具体实施例方式图I是本专利技术的发光二极管装置的一个实施方式的剖视图，图2是说明通过发光二极管元件的倒装片安装来制造图I的发光二极管装置的工序的剖视图，图3是说明制造图2所示的发光二极管元件的方法的工序图。在图I中，该发光二极管装置21包括基底基板16和倒装片安装(参照图2)在该基底基板16上的发光二极管元件20。基底基板16形成大致平板状，具体地讲，该基底基板16由在绝缘基板上层叠作为电路图案的导体层而成的层叠板形成。绝缘基板例如由硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树脂基板等形成，优选由陶瓷基板形成。导体层例如由金、铜、银、镍等导体形成。另外，导体层包含端子15。端子15在绝缘基板的表面形成为在面方向(沿着基底基板16的方向，即与厚度方向正交的方向，面方向详细地讲是图I中的纸面左右方向和纸面深度方向)上隔开间隔地形成的规定图案(与后述的凸块13相对 应的图案)。另外，虽未图示，但端子15通过导体层与电力供给部电连接。端子15例如由金、铜、银、镍等导体形成。这些导体能够单独使用或者同时使用。 如图2所示，发光二极管元件20包括光半导体层3、电连接于光半导体层3的电极部4及密封光半导体层3和电极部4的密封树脂层14，在后述的图3的(d)的制造工序中制造之后，使发光二极管元件20上下翻转(翻过来)，安装在基底基板16上。光半导体层3包括缓冲层6、形成在缓冲层6之下的N形半导体层7、形成在N形半导体层7之下的发光层8及形成在发光层8之下的P形半导体层9。缓冲层6以与发光二极管元件20的外形形状相对应的方式形成，例如形成为大致矩形平板状。缓冲层6用于缓冲以下说明的N形半导体层7的晶格常数的不正常。作为形成缓冲层6的缓冲材料，例如能够列举出元素半导体(单元素半导体)、氧化物半导体、化合物半导体(除氧化物半导体之外)等半导体。作为元素半导体，例如能够列举出Si、Ge、Sn等4B元素(长周期型周期表中的4B元素，下同)。作为氧化物半导体，例如能够列举出A1203、ZnO、SnO2等典型元素氧化物，例如TiO2, V2O5, Cr203、MnO2, Fe203> NiO, Cu2O等过渡元素氧化物等。它们能够单独使用或者同时使用。化合物半导体是除0之外的多个元素结合的化合物，例如能够列举出AIN、A1P、AlAs, AlSb, GaN, GaP、GaAs, GaSb, InN, InP、InAs, InSb, AlGaN, InGaN, AlInN, AlGaInN 等3B元素和5B元素的化合物，例如ZnS、SnSe, ZnTe等2B元素和6B元素的化合物等。优选能够列举出3B元素和5B元素的化合物。上述半导体中优选能够列举出化合物半导体。缓冲层6的厚度例如为0. 5nm 200nm,优选为Inm lOOnm。N形半导体层7形成在缓冲层6的整个下表面。作为形成N形半导体层7的N形半导体并没有特别的限定，能够列举出公知的N形半导体，能够列举出在上述半导体中微量掺杂(添加)例如5B元素及4B元素等杂质的杂质半导体。发光层8在N形半导体层7的下面在面方向一侧(图2中的右侧)端部形成为规定图案。即，各发光层8在面方向另一侧端部(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.02.24 JP 2011-0387011.一种发光二极管元件，其特征在于，该发光二极管元件包括光半导体层；电极部，其与上述光半导体层相连接；密封树脂层，其密封上述光半导体层和上述电极部，含有...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤久贵，井上泰史，三隅贞仁，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：