【技术实现步骤摘要】
本文中所讨论的实施方式涉及抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案的形成方法、半导体装置的制造方法和半导体装置。
技术介绍
为了进一歩改善如大規模集成电路(LSI)等的半导体的集成度，需要在制造半导体时形成更为精细的图案，目如最小的图案尺寸为IOOnm以下。在半导体装置中形成如此精细的图案已通过缩短来自曝光装置的光源的光的波 长和改善抗蚀剂材料而得以实现。目前，已经通过液体浸没式光刻法来进行精细图案的形成，其中采用发射波长为193nm的氟化氩(ArF)准分子激光的光源透过水来进行曝光，作为用于光刻法的抗蚀剂材料，也已开发出使用丙烯酸类树脂作为基质的多种ArF抗蚀剂材料。此外，作为下一代的光刻技术，已经研究了使用波长为13. 5nm的软X射线作为光源的远紫外(EUV)光刻法，因而显而易见的是图案尺寸在今后将不断减小，例如30nm以下。伴随上述的图案尺寸减小，抗蚀剂图案侧壁的粗糙度(即线边缘粗糙度(LER))和抗蚀剂图案线宽的不均一性(即抗蚀剂图案的线宽粗糙度(LWR))变得更为显著，这会带来这些缺陷可能会对所得装置的性能造成有害影响的关注。虽然已经进行了多种研究来通过优化曝光装置、抗蚀剂材料和エ艺条件来抑制抗蚀剂图案的LER和LWR，但仍未获得足够的結果。注意到LWR和LER彼此相关。随着LWR得到改善，LER也会得到改善。作为解决前述问题的方法，例如，公开了ー种改善LWR和LER的方法，在该方法中，在显影过程后进行的漂洗过程中用含有离子型表面活性剂的水溶液处理抗蚀剂图案，从而在減少因显影过程造成的缺陷(例如，包括残渣以及图案变形等缺陷)的同时溶解抗蚀剂图案的凹凸(...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.11 JP 2011-0544101.一种抗蚀剂图案改善材料，所述抗蚀剂图案改善材料包含 水；和 由以下通式(I)表示的氯化苄烷铵2.如权利要求I所述的抗蚀剂图案改善材料,所述抗蚀剂图案改善材料还包含水溶性树脂。3.如权利要求2所述的抗蚀剂图案改善材料，其中，所述水溶性树脂是选自由聚こ烯醇、聚こ烯基吡咯烷酮、聚谷氨酸和至少在其一部分中含有任ー种前述树脂的树脂组成的组中的至少ー种。4.如权利要求2所述的抗蚀剂图案改善材料，其中，所述水溶性树脂相对于100质量份的水的含量为O. 001质量份 10质量份。5.如权利要求I所述的抗蚀剂图案改善材料,所述抗蚀剂图案改善材料还包含表面活性剂。6.如权利要求I所述的抗蚀剂图案改善材料，其中，所述抗蚀剂图案改善材料是水溶液的形式。7.一种抗蚀剂图案的形成方法，所述方法包括 施加抗蚀剂图案改善材料以覆盖抗蚀剂图案的表面； 加热施加的所述抗蚀剂图案改善材料和所述抗蚀剂图案；和 用含有水的漂洗液漂洗经加热的所述抗蚀剂图案改善材料和所述抗蚀剂图案， 其中,通过将抗蚀剂材料施加至加工表面、使施加的所述抗蚀剂材料曝光、并使经曝光的所述抗蚀剂材料显影以使所述抗蚀剂材料图案化，从而形成所述抗蚀剂图案，并且其中，所述抗蚀剂图案改善材料包含水和由以下通式(I)表示的氯化苄烷铵8.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括 施加抗蚀剂图案改善材料以覆...
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