一种高纯氧化铝颗粒的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高纯氧化铝颗粒的制备方法。将高纯氧化铝粉体投入气流磨粉碎，粉碎后的粉体放入转盘式成球机，通过成球盘的不断转动，使高纯氧化铝粉体粒子互相粘附长大，成长为高纯氧化铝颗粒坯体。最后，将高纯氧化铝颗粒坯体焙烧，得到高纯氧化铝颗粒。本发明专利技术使用的设备简单，易于操作，造价低廉。用此方法制备高纯氧化铝颗粒工艺简单实用，制备的高纯氧化铝颗粒纯度≥99.999％，外观光滑，球形度好，粒度均匀，机械强度高，其松装密度大于2.0g/cm3。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种高纯氧化铝颗粒的制备方法，特别是由高纯氧化铝粉体直接加工制得高纯氧化铝颗粒的成型方法。属于粉料制备领域。
技术介绍
高纯氧化铝是指纯度大于99. 999 %的氧化铝，高纯氧化铝及其制品广泛应用于蓝宝石单晶、透明多晶陶瓷、YAG、LED、蓄光材料、发光材料、耐火材料和研磨材料等领域。近年来，随着LED产业的飞速发展，市场上对LED用衬底材料蓝宝石单晶的需求量越来越大。为了能够生产出更多更好的蓝宝石单晶，国内外厂商对蓝宝石的原材料氧化铝块的品质要求也越来越高。不仅要求其纯度达到5N(99. 999% )标准，对单位体积的填充率也提出了更高的要求。高纯氧化铝颗粒在保证产品纯度要求的同时，可以轻松的进行规则堆积，提高物料的填充率，满足市场需求。目前，国内外制备的氧化铝颗粒纯度低、松装密度小，并且氧化铝颗粒成型过程操作复杂，在很大程度上增加了制备的费用和实现的难度。
技术实现思路
本专利技术的目的，在于克服目前制备方法的缺陷，提供ー种以高纯氧化铝粉体为原料加工制备高纯氧化铝颗粒的成型方法。本专利技术的目的通过下述技术方案予以实现将高纯氧化铝粉体投入气流磨中粉碎，可有效解决粉体的团聚现象，有利于成型エ艺。加工后的粉体粒度至2-3 μ m，放入转盘式成球机，通过成球盘的不断转动，使高纯氧化铝粉体粒子互相粘附长大，成长为高纯氧化铝颗粒坯体。当颗粒坯体的直径达到O. 5-3_，就可以从成球盘中取出。最后，将高纯氧化铝颗粒坯体在1400°C -1600°C下经4-5小时焙烧，得到高纯氧化铝颗粒。本专利技术使用的设备简单，易于操作，造价低廉。用此方法制备高纯氧化铝颗粒エ艺简单实用，烧结后的高纯氧化铝颗粒纯度≥99. 999%，外观光滑，球形度好，粒度均匀，机械強度高，其松装密度大于2. Og/cm3。具体实施例方式下面结合实施例对本专利技术作进ー步的描述实施例一用纯度为99. 999 %的高纯氧化铝粉体为原料，经气流磨粉碎后，粉体粒度至2-3 μ m。将此粉体放入转盘式成球机中，设定转盘倾斜角度为45°、转速为25r/min，滚动成型至高纯氧化铝颗粒坯体直径为O. 5-3mm，取出装入高纯氧化铝坩埚，送入窑炉进行焙烧。在1400°C的烧结温度下焙烧4-5小时，冷却后得到纯度不低于99. 999%、松装密度为 I.82g/cm3的高纯氧化招颗粒。实施例ニ用纯度为99. 999 %的高纯氧化铝粉体为原料，经气流磨粉碎后，粉体粒度至2-3 μ m。将此粉体放入转盘式成球机中，设定转盘倾斜角度为45°、转速为25r/min，滚动成型至高纯氧化铝颗粒坯体直径为O. 5-3mm，取出装入高纯氧化铝坩埚，送入窑炉进行焙烧。在1500°C的烧结温度下焙烧4-5小时，冷却后得到纯度不低于99. 999%、松装密度为2. 15g/cm3的高纯氧化铝颗粒。实施例三实施例三用纯度为99. 999%的高纯氧化铝粉体为原料，经气流磨粉碎后，粉体粒度至2-3 μ m。将此粉体放入转盘式成球机中，设定转盘倾斜角度为45°、转速为25r/min,滚动成型至高纯氧化铝颗粒坯体直径为O. 5-3mm，取出装入高纯氧化铝坩埚，送入窑炉进行焙烧。在1600°C的烧结温度下焙烧4-5小时，冷却后得到纯度不低于99. 999%、松装密度 为2. 30g/cm3的高纯氧化铝颗粒。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高纯氧化铝颗粒的制备方法，该方法是将高纯氧化铝粉体投入气流磨中粉碎，粉碎后放入转盘式成球机，通过成球盘的不断转动，使高纯氧化铝粉体粒子互相粘附长大，成长为高纯氧化铝颗粒坯体，然后从成球盘中取出，最后将高纯氧化铝颗粒坯体焙烧，得到高纯氧化铝颗粒。2.根据权利要求I所述的制备方法，其特征在于经气流磨粉碎的高纯氧化铝粉体粒度至2-3 μ m。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于高纯氧化铝粉体通过成球盘的不断转...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢胜波，关巍，
申请(专利权)人：大连海蓝光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：