三氯氢硅生产方法和系统技术方案

三氯氢硅生产方法和系统。该方法包括步骤：提供具有第一入口、第二入口、第三入口和出口的氢化反应器；将四氯化硅和氢气混合后加热到590-610℃；将混合加热后的四氯化硅和氢气引入氢化反应器的第一入口；将气态二氯二氢硅引入氢化反应器的第二入口；将硅粉引入氢化反应器的第三入口；从氢化反应器的出口导出包含氢气、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅的氢化反应产物；以及从氢化反应产物中提纯分离三氯氢硅。本发明专利技术增加了反应速率并因此提高了生产效率。另外，本发明专利技术还将二氯二氢硅从氢化反应产物中分离出来，气化后仍通回氢化反应器中，并在运行过程中使二氯二氢硅的含量达到动态平衡。这既提高了产量，又减少了原料的消耗，从而显著降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及三氯氢硅生产方法和系统。
技术介绍
目前国内外大多数多晶硅エ厂都采用热氢化工艺处理生产多晶硅时产生的副产物四氯化硅，只有少数エ厂采用冷氢化技木，而这些使用冷氢化技术的エ厂，均将冷氢化生产过程中产生的ニ氯ニ氢硅分离出来作为副产品単独处理(參见图1)，从而不但降低了生产效率,而且浪费了人力物力，大幅度增加了成本
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高效率、低成本的三氯氢硅生产方法和系统。根据本专利技术的三氯氢硅生产方法，包括步骤 提供具有第一入ロ、第二入口、第三入口和出口的氢化反应器； 将四氯化硅和氢气混合后加热到590-610°C ； 将混合加热后的四氯化娃和氢气引入氢化反应器的第一入ロ ； 将气态ニ氯ニ氢娃引入氢化反应器的第二入口； 将硅粉引入氢化反应器的第三入口； 从氢化反应器的出ロ导出包含氢气、ニ氯ニ氢娃、三氯氢娃和四氯化娃的氢化反应产物；以及 从氢化反应产物中提纯分离三氯氢硅。根据本专利技术，从氢化反应产物中提纯分离三氯氢硅的步骤可以包括通过冷凝从氢化反应产物中分离出氢气和含ニ氯ニ氢硅、三氯氢硅和四氯化硅的氯硅烷；以及通过精馏从氯硅烷中依次分离出ニ氯ニ氢硅、三氯氢硅和四氯化硅。在本专利技术的优选实施例中，分离出的氢气、ニ氯ニ氢硅和/或四氯化硅可以被循环使用来生产三氯氢硅。优选四氯化硅和氢气混合后加热到600°C左右。本专利技术的三氯氢硅生产方法还可以包括将催化剂和硅粉一起引入氢化反应器的第三入口。根据本专利技术的三氯氢硅生产系统，包括 具有第一入口、第二入口和出口的氢化反应器； 与氢化反应器的出ロ连通的冷凝器； 分别与冷凝器连通的氢气存储器和冷凝料存储器； 与冷凝料存储器连通的第一精馏塔； 与第一精馏塔连通的第二精馏塔； 与第二精馏塔连通的四氯化硅存储器； 与四氯化硅存储器连通的四氯化硅汽化器； 分别与氢气存储器和四氯化硅汽化器连通的混合器；与混合器连通的加热器，加热器还与氢化反应器的第一入ロ连通； 与第一精馏塔连通的ニ氯ニ氢硅存储器；以及 与ニ氯ニ氢硅存储器连通的ニ氯ニ氢硅汽化器，ニ氯ニ氢硅汽化器还与氢化反应器的第二入口连通。氢化反应器还可以具有用于接收硅粉和催化剂的第三入口。本专利技术的三氯氢硅生产エ艺将ニ氯ニ氢硅从氢化反应产物中分离出来，汽化后仍通回氢化反应器中，并在运行过程中使ニ氯ニ氢硅的含量达到动态平衡。这既提高了产量，又減少了原料的消耗，从而显著降低了成本。另外，在本专利技术的三氯氢硅生产エ艺中，由于ニ氯ニ氢硅中硅的自由基比较活泼，因此增加了反应速率并提高了生产效率。附图说明 图I是现有三氯氢硅生产系统的方框示意图。图2是根据本专利技术的三氯氢硅生产方法和系统的方框示意图。具体实施例方式參见图2，其示出了根据本专利技术的三氯氢硅(SiHCl3)生产系统。该系统包括具有第一入口、第二入口和出口的氢化反应器I ;与氢化反应器I的出口连通的冷凝器2;分别与冷凝器2连通的氢气存储器9和冷凝料存储器3 ;与冷凝料存储器3连通的第一精馏塔4 ;与第一精馏塔4连通的第二精馏塔5 ;与第二精馏塔5连通的四氯化硅(SiCl4)存储器6 ;与四氯化硅存储器6连通的四氯化硅汽化器7 ;分别与氢气存储器9和四氯化硅汽化器7连通的混合器8 ;与混合器8连通的加热器12 ;加热器12还与氢化反应器I的第一入ロ连通；与第一精馏塔4连通的ニ氯ニ氢硅(SiH2Cl2)存储器10 ;以及与ニ氯ニ氢硅存储器10连通的ニ氯ニ氢硅汽化器11，ニ氯ニ氢硅汽化器11还与氢化反应器I的第二入口连通。氢化反应器I通常还具有用于接收硅粉和催化剂的第三入口。以下描述本专利技术的三氯氢硅生产系统的操作过程。来自四氯化硅存储器6的四氯化硅在四氯化硅汽化器7中汽化以后和来自氢气存储器9的氢气在混合器8均匀混合后，通过加热器12加热到590-610°C，优选为600°C，然后被引入氢化反应器I的第一入口。来自ニ氯ニ氢硅存储器10的ニ氯ニ氢硅在ニ氯ニ氢硅汽化器11中汽化以后被引入氢化反应器I的第二入口。硅粉和常用的催化剂被引入氢化反应器I的第三入口。上述物质在氢化反应器I中发生氢化反应后，从氢化反应器I的出ロ将包含氢气、ニ氯ニ氢硅、三氯氢硅和四氯化硅的反应后气或氢化反应产物导向冷凝器2 ;从冷凝器2中分离出的氢气返回氢气存储器9，从冷凝器2中分离出的包含ニ氯ニ氢硅、三氯氢硅和四氯化硅的氯硅烷被导向第一精馏塔4 ;从第一精馏塔4分离出的液体ニ氯ニ氢硅返回ニ氯ニ氢硅存储器10。从第二精馏塔5分离出的液体四氯化硅返回四氯化硅存储器6。最后从第ニ精馏塔5中分离出产品三氯氢硅。氢化反应器I的第一入口和第二入口通常隔开一定距离，以使含有活泼硅自由基的ニ氯ニ氢硅不会遭受局部高温(600°C左右)影响而分解为Si和HC1，因为大量的Si的生成会堵塞相关的加热设备，导致生产系统无法连续进行作业。如上所述，在本专利技术中，分离出的氢气、ニ氯ニ氢硅和/或四氯化硅可以被循环使用来生产三氯氢硅，其中，分离出来的ニ氯ニ氢硅重新返回到氢化反应器1，从而在运行过程中保持氢化反应器I中的ニ氯ニ氢硅含量的动态平衡。 因此，本专利技术的三氯氢硅生产エ艺不但提高了反应速率并因此提高了生产效率，而且还能够提高产量、減少原料的消耗，从而显著降低生产成本。本领域技术人员应当理解，上述实施方式仅用于解释和说明本专利技术，并非用于对其进行任何限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三氯氢硅生产方法，包括步骤 提供具有第一入口、第二入口、第三入口和出口的氢化反应器； 将四氯化硅和氢气混合后加热到590-610°C ； 将混合加热后的四氯化娃和氢气引入氢化反应器的第一入口 ； 将气态二氯二氢娃引入氢化反应器的第二入口； 将硅粉引入氢化反应器的第三入口； 从氢化反应器的出口导出包含氢气、二氯二氢娃、三氯氢娃和四氯化娃的氢化反应产物；以及 从氢化反应产物中提纯分离三氯氢硅。2.权利要求I的三氯氢硅生产方法，其中从氢化反应产物中提纯分离三氯氢硅的步骤包括 通过冷凝从氢化反应产物中分离出氢气和含二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅的氯硅烷；以及 通过精馏从氯硅烷中依次分离出二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅。3.权利要求2的三氯氢娃生产方法,其中分离出的氢气、二氯二氢娃和/或四氯化娃被循环使用来生产三氯氢硅。4.权利要求I的三氯氢硅生产方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈琳，齐林喜，刘占卿，
申请(专利权)人：内蒙古盾安光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：