一种变频器输入电路及变频器制造技术

本实用新型专利技术适用于变频器技术领域，提供了一种变频器输入电路及变频器。在本实用新型专利技术中，变频器输入电路采用普通光电耦合器加开关电路，将小信号放大加强，做到普通光耦的快速导通关断，可达到150KHz等级脉冲输入输出的标准，通过变频器输入电路可以对普通输入信号和高速脉冲信号进行兼容隔离处理，节省电路资源，降低了成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于变频器
，尤其涉及一种变频器输入电路及变频器。
技术介绍
现在，为了精确会对输入变频器的信号进行隔离处理，采用普通光耦对普通输入信号进行隔离处理，采用高速光耦对高速脉冲信号进行隔离处理，否则波形易变形失真，这样就需要采用两套不同的电路对不同信号进行，核心处理器也需要有两个端口来分别处理，占用了双倍的电路和系统资源，造成成本高昂。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种变频器输入电路，旨在解决现有的变频器输入电路存在成本高昂的问题。本技术是这样实现的，一种变频器输入电路，连接在脉冲频率输入信号源与变频器本体之间，所述变频器输入电路包括分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、分压电阻R6、光电稱合器U1、反相器U2、反相器U3、第一开关管和第二开关管；所述分压电阻R2的第一端接所述脉冲频率输入信号源，所述分压电阻R2的第二端接所述第一开关管的控制端，所述第一开关管的高电位端通过所述分压电阻Rl接电源，所述第一开关管的低电位端接地，所述分压电阻R3连接在所述第一开关管的控制端与地之间，所述光电耦合器Ul的发光二极管的阳极和阴极分别接所述第一开关管的高电位端和低电位端，所述光电耦合器Ul的三极管的集电极通过所述分压电阻R4接电源，所述第二开关管的高电位端通过所述分压电阻R5接电源，所述第二开关管的控制端接所述光电耦合器Ul的三极管的发射极，所述第二开关管的低电位端接地，所述分压电阻R6连接在所述第二开关管的控制端与低电位端之间，所述第二开关管的高电位端接所述反相器U2的输入端，所述反相器U2的输出端接所述反相器U3的输入端，所述反相器U3的输出端接所述变频器本体的脉冲输入端。上述结构中，所述第一开关管采用NPN型三极管Q1，所述NPN型三极管Ql的基极为所述第一开关管的控制端，所述NPN型三极管Ql的集电极为所述第一开关管的高电位端，所述NPN型三极管Ql的发射极为所述第一开关管的低电位端。上述结构中，所述第二开关管采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的基极为所述第二开关管的控制端，所述NPN型三极管Q2的集电极为所述第二开关管的高电位端，所述NPN型三极管Q2的发射极为所述第二开关管的低电位端。本技术的另一目的在于提供一种变频器，包括变频器本体，所述变频器还包括连接在脉冲频率输入信号源与所述变频器本体之间的变频器输入电路，所述变频器输入电路包括分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、分压电阻R6、光电稱合器U1、反相器U2、反相器U3、第一开关管和第二开关管；所述分压电阻R2的第一端接所述脉冲频率输入信号源，所述分压电阻R2的第二端接所述第一开关管的控制端，所述第一开关管的高电位端通过所述分压电阻Rl接电源，所述第一开关管的低电位端接地，所述分压电阻R3连接在所述第一开关管的控制端与地之间，所述光电耦合器Ul的发光二极管的阳极和阴极分别接所述第一开关管的高电位端和低电位端，所述光电耦合器Ul的三极管的集电极通过所述分压电阻R4接电源，所述第二开关管的高电位端通过所述分压电阻R5接电源，所述第二开关管的控制端接所述光电耦合器Ul的三极管的发射极，所述第二开关管的低电位端接地，所述分压电阻R6连接在所述第二开关管的控制端与低电位端之间，所述第二开关管的高电位端接所述反相器U2的输入端，所述反相器U2的输出端接所述反相器U3的输入端，所述反相器U3的输出端接所述变频器本体的脉冲输入端。上述结构中，所述第一开关管采用NPN型三极管Q1，所述NPN型三极管Ql的基极 为所述第一开关管的控制端，所述NPN型三极管Ql的集电极为所述第一开关管的高电位端，所述NPN型三极管Ql的发射极为所述第一开关管的低电位端。上述结构中，所述第二开关管采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的基极为所述第二开关管的控制端，所述NPN型三极管Q2的集电极为所述第二开关管的高电位端，所述NPN型三极管Q2的发射极为所述第二开关管的低电位端。在本技术中，变频器输入电路采用普通光电耦合器加开关电路，将小信号放大加强，做到普通光耦的快速导通关断，可达到150KHZ等级脉冲输入输出的标准，通过变频器输入电路可以对普通输入信号和高速脉冲信号进行兼容隔离处理，节省电路资源，降低了成本。附图说明图I是本技术实施例提供的变频器输入电路的示例电路图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。图I示出了本技术实施例提供的变频器输入电路的示例电路结构。一种变频器输入电路200，连接在脉冲频率输入信号源100与变频器本体300之间，变频器输入电路200包括分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、分压电阻R6、光电稱合器U1、反相器U2、反相器U3、第一开关管201和第二开关管202 ；分压电阻R2的第一端接脉冲频率输入信号源100，所述分压电阻R2的第二端接所述第一开关管201的控制端，所述第一开关管201的高电位端通过所述分压电阻Rl接电源P0W，所述第一开关管201的低电位端接地，所述分压电阻R3连接在所述第一开关管201的控制端与地之间，所述光电耦合器Ul的发光二极管的阳极和阴极分别接所述第一开关管201的高电位端和低电位端，所述光电耦合器Ul的三极管的集电极通过所述分压电阻R4接电源VCC，所述第二开关管202的高电位端通过所述分压电阻R5接电源VCC，所述第二开关管202的控制端接所述光电耦合器Ul的三极管的发射极，所述第二开关管202的低电位端接地，所述分压电阻R6连接在所述第二开关管202的控制端与低电位端之间，所述第二开关管202的高电位端接所述反相器U2的输入端，所述反相器U2的输出端接所述反相器U3的输入端，所述反相器U3的输出端接所述变频器本体300的脉冲输入端。 作为本技术一实施例，所述第一开关管201采用NPN型三极管Ql，所述NPN型三极管Ql的基极为所述第一开关管201的控制端，所述NPN型三极管Ql的集电极为所述第一开关管201的高电位端，所述NPN型三极管Ql的发射极为所述第一开关管201的低电位端。作为本技术一实施例，所述第二开关管202采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的基极为所述第二开关管202的控制端，所述NPN型三极管Q2的集电 极为所述第二开关管202的高电位端，所述NPN型三极管Q2的发射极为所述第二开关管202的低电 位端。如图I所示，本技术实施例还一种变频器，包括变频器本体300，所述变频器还包括连接在脉冲频率输入信号源100与所述变频器本体300之间的变频器输入电路200，所述变频器输入电路200包括分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、分压电阻R6、光电稱合器U1、反相器U2、反相器U3、第一开关管201和第二开关管202 ；分压电阻R2的第一端接脉冲频率输入信号源100，所述分压电阻R2的第二端接所述第一开关管201的控制端，所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种变频器输入电路，连接在脉冲频率输入信号源与变频器本体之间，其特征在于，所述变频器输入电路包括 分压电阻R1、分压电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、分压电阻R5、分压电阻R6、光电耦合器U1、反相器U2、反相器U3、第一开关管和第二开关管； 所述分压电阻R2的第一端接所述脉冲频率输入信号源，所述分压电阻R2的第二端接所述第一开关管的控制端，所述第一开关管的高电位端通过所述分压电阻Rl接电源，所述第一开关管的低电位端接地，所述分压电阻R3连接在所述第一开关管的控制端与地之间，所述光电耦合器Ul的发光二极管的阳极和阴极分别接所述第一开关管的高电位端和低电位端，所述光电耦合器Ul的三极管的集电极通过所述分压电阻R4接电源，所述第二开关管的高电位端通过所述分压电阻R5接电源，所述第二开关管的控制端接所述光电耦合器Ul的三极管的发射极，所述第二开关管的低电位端接地，所述分压电阻R6连接在所述第二开关管的控制端与低电位端之间，所述第二开关管的高电位端接所述反相器U2的输入端，所述反相器U2的输出端接所述反相器U3的输入端，所述反相器U3的输出端接所述变频器本体的脉冲输入端。2.如权利要求I所述的变频器输入电路，其特征在于，所述第一开关管采用NPN型三极管Ql，所述NPN型三极管Ql的基极为所述第一开关管的控制端，所述NPN型三极管Ql的集电极为所述第一开关管的高电位端，所述NPN型三极管Ql的发射极为所述第一开关管的低电位端。3.如权利要求I所述的变频器输入电路，其特征在于，所述第二开关管采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的基极为所述第二开关管的控制端，所述NPN型三极管Q2的集电极为所述第二开关管的高电位端，所述NPN型三极管Q2的发射极为所述第二开关管的低电位端。4.一种变频器...

【专利技术属性】
技术研发人员：万同山，丘友维，路增亮，李友春，
申请(专利权)人：深圳市西林电气技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：