【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子元器件领域，尤其是指二极管。
技术介绍
快速恢复二极管是一种利用外延单晶硅片做外延材料的新一代半导体器件。具有高频高压等优点。可以作为输出整流、吸收、嵌位二极管等单独使用。也可以作为续流二极 管与晶体管结合使用。广泛应用于电机变频调速，各种开关电源、静电感应等工业领域。快速恢复二极管的工作周期具有正向恢复和反向恢复。所谓正向恢复是指在开通初期会会有一较高的瞬态压降，然后经历一定时间恢复到平稳状态，该时间反映了正向恢复特性；反向恢复特性指的是二极管在短时间内从正向导通状态转换为反向阻断状态所需的时间，该时间反映了反向恢复特性。一般二极管需要具有好的反向恢复特性。要求其具有较低的正向恢复的瞬态压降，同时要求反向恢复快，击穿电压高。
技术实现思路
本技术所要解决的专利技术目的是提供一种具有恢复快、击穿电压高的二极管。为实现上述专利技术目的，本技术提供的技术方案是一种二极管，其包括N+衬底层，形成于N+衬底层下侧的金属化层和形成于其上方的N_外延层，其特征在于在所述的N_外延层中间隔扩散形成有一 P+主扩散区和至少一 P+场限环，所述P+场限环位于所述P+主扩散区外周；在所述N_外延层、所述P+主扩散区和所述P+场限环的同一侧形成有保护钝化层，所述钝化层位于所述所述P+主扩散区和所述P+场限环上方分别开设有肖特基接触窗口，所述肖特基接触窗口处位于所述钝化层上方连接有场板；位于所述P+主扩散区处上方的场板向其两侧延伸；位于所述P+场限环上方的场板向背向所述P+主扩散区的方向延神。所述P+主扩散区和所述P+场限环的掺杂浓度和深度相同。本技术的二极管，其通过...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带有场板和场限环的二极管，其包括N+衬底层，形成于N+衬底层下侧的金属化层和形成于其上方的N_外延层，其特征在于在所述的N_外延层中间隔扩散形成有一 P+主扩散区和至少一 P+场限环，所述P+场限环位于所述P+主扩散区外周；在所述N_外延层、所述P+主扩散区和所述P+场限环的同一侧形成有保护钝化层，所述钝化层位于所述P...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈小建，
申请(专利权)人：苏州力瑞电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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