半导体背散射电子探测器制造技术

一种半导体背散射电子探测器，包括衬板、设置在所述衬板上的四个长方形硅片和电子束孔，四个长方形硅片内分别设置有导线并形成四个独立的单元，四个长方形硅片首尾相接围成一个正方形区域，所述电子束孔位于所述正方形区域内。所述的半导体背散射电子探测器结构简单，加工效率高，成本低廉，报废率低并且不影响成像。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种半导体背散射电子探測器，应用于扫描电子显微镜。
技术介绍
现有技术中，习惯将能量高于50电子伏的称为背散射的一次电子(即背散射电子)，而能量低于50电子伏的称为真正的二次电子(即二次电子)。能接收背散射一次电子的探測器有罗宾逊探測器和半导体探測器等。电子束轰击样品表面产生的背散射电子(一次电子)，由半导体探測器接收、传递。半导体探測器接收背散射电子从位置上讲，包容角大、距离近，这样接收能量信息最多。半导体探測器(半导体背散射电子探测器简称)是扫描电子显微镜中接受样品电子信息的第一単位器件，是第一个位于參加形貌成像关键元件。半导体探测器从形态分为二分割和四分割。现有的半导体背散射电子探測器，大多采用四分割环形结构，这种四象限环形结构都是由ー个完整的圆形硅片加工而成，将一整块圆形硅片分为四个単元，并在所述圆形硅片中间加工一个圆形的孔用于通过电子束。一方面，由于硅片十分脆弱，加工圆孔时特别容易破碎，导致上述加工过程十分困难，エ艺复杂，成品率低；另一方面，将整个圆形硅片分为四个单元，光刻分区也存在困难之处。故，需要一种新的半导体背散射电子探測器以解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术存在的不足，提供ー种结构简单，成本低廉，カロエ效率高，报废率低并且不影响成像的半导体背散射电子探測器。为实现上述专利技术目的，本技术半导体背散射电子探測器可采用如下技术方案—种半导体背散射电子探測器，包括衬板、设置在所述衬板上的四个长方形硅片和电子束孔，四个长方形硅片内分别设置有导线并形成四个独立的単元，四个长方形硅片首尾相接围成ー个正方形区域，所述电子束孔位于所述正方形区域内。与
技术介绍
相比，本技术半导体背散射电子探測器通过四个长方形硅片首尾相接形成一个电子探測区域，克服现有技术中将一整块圆形硅片分为四个单元以及在所述圆形硅片上打孔加工困难，エ艺复杂，成品率低的缺陷，本技术的半导体背散射电子探测器结构简单，加工效率高，成本低廉，报废率低并且不影响成像。本技术中，优选的，所述四个长方形硅片的大小形状相同，且所述四个长方形硅片的长边大于所述正方形区域的边长。此结构能够保证所述半导体背散射电子探測器的対称性，且相邻长方形硅片之间间隙尽可能小，能够有效利用衬板空间，降低成本。所述电子束孔的形状为正方形，所述电子束孔的四个边与所述正方形区域的四个边分别平行。此结构可以最大限度的利用所述长方形硅片围成的正方形区域，有利于电子穿过同时可以增大衬板利用率。本技术中，优选的，所述衬板的形状为正方形，同时所述所述电子束孔的形状为正方形，所述电子束孔的四个边与所述正方形区域的四个边分别平行，所述电子束孔的四个边与所述衬板的四个边分别平行。此结构可以最大限度的利用所述长方形硅片围成的正方形区域，有利于电子穿过同时可以增大衬板利用率。同时可以提高长方形硅片外部区域的衬板使用效率，降低成本。本技术中，优选的，所述电子束孔位于所述正方形区域中部。此结构有利于电子穿过同时可以保证 所述探测器的高对称。本技术中，优选的，所述导线位于所述长方形硅片的短边上。此结构可以有效降低导线所占衬板空间，降低成本。附图说明图I是本技术半导体背散射电子探測器示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例，进ー步阐明本技术，应理解这些实施例仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围，在阅读了本技术之后，本领域技术人员对本技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。请參阅图I所示，本技术半导体背散射电子探測器，该半导体背散射电子探测器ー种半导体背散射电子探測器，包括衬板I、设置在所述衬板I上的四个长方形硅片2，3，4，5和电子束孔6，四个长方形硅片2，3，4，5内分别设置有导线8，9，10，11并形成四个独立的単元，四个长方形硅片2，3，4，5首尾相接围成ー个正方形区域7，所述电子束孔6位于所述正方形区域7内。此结构简单，加工方便，成本低廉，可以有效減少报废率并且不影响成像效果。所述四个长方形硅片2，3，4，5的大小形状相同，且所述四个长方形硅片2，3，4，5的长边大于所述正方形区域7的边长。此结构能够保证所述半导体背散射电子探测器的対称性，且相邻长方形硅片之间间隙尽可能小，能够有效利用衬板空间，降低成本。所述电子束孔6的形状为正方形。所述电子束孔6的四个边与所述正方形区域7的四个边分别平行。所述衬板I的形状为正方形。所述电子束孔6的四个边与所述衬板I的四个边分别平行。所述电子束孔6位于所述正方形区域7中部。所述导线8，9，10，11分别位于所述长方形硅片2，3，4，5的短边上。上述改进能更有效的提高衬板利用率，降低成本，提高对称度。如上所述，本技术半导体背散射电子探测器采用一个衬板和设置在所述衬板上的四个长方形硅片，四个长方形硅片上分别设置有导线形成四个独立的単元，四个长方形硅片首尾相接围成ー个正方形区域。此结构简单，方便加工，降低探測器成本和报废率的同时不影响成像。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体背散射电子探測器，其特征在于包括衬板(I)、设置在所述衬板(I)上的四个长方形硅片(2，3，4，5)和电子束孔(6)，四个长方形硅片(2，3，4，5)内分别设置有导线(8，9，10,11)并形成四个独立的単元，四个长方形硅片(2，3，4，5)首尾相接围成ー个正方形区域(7)，所述电子束孔(6)位于所述正方形区域(7)内。2.如权利要求I所述的半导体背散射电子探測器，其特征在于，所述四个长方形硅片(2，3，4，5)的大小形状相同，且所述四个长方形硅片(2，3，4，5)的长边大于所述正方形区域(7)的边长。3.如权利要求2所述的半导体背散射电子探測器，其特征在于，所述电子束孔(6)的形状为正方形。4.如权利要求3所述的半导体背散射电子探測器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈芹纯，
申请(专利权)人：南京特能电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：