本发明专利技术的目的是提供在光刻中涂光刻胶时,提高图形精度的光刻胶的涂覆装置和涂覆方法。具有:光刻胶(12)的贮存容器(10);用于形成光刻胶(12)的膜的涂覆台(40);从贮存容器(10)向涂覆台(40)导入光刻胶(12)的管道(52、54、56);和在比涂覆台(40)还往上游处改善光刻胶(12)的质量的质量改善台(30)。(*该技术在2017年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻中的。以前,作为半导体器件的装配技术,TAB(Tape AutomatedBonding,载带自动键合)技术已经实用化。在该技术中具有可以把半导体器件装配在柔软电路基板上,适合于大量生产,可以小型化,可以形成精密的图形等许多特征。其中,柔软电路基板要经过许多工序进行制造。就是说,要经过在以树脂为主要材料的薄膜载带上形成铜等的金属导体层的工序、涂覆光刻胶的工序、使电路图形曝光的工序、对电路图形显影的工序、进行刻蚀使得电路图形留下来的工序、除去光刻胶的工序、以及电镀工序等来制造柔软基板。在这些工序之内,在涂覆光刻胶的工序中,使用了图2所示的装置。在该装置中,采用了滚涂方式。就是说,把光刻胶1通过泵3从容器2送往接受皿4。接受皿4的上边设有辊子5,使该辊子5转动,卷扬上已存放在接受皿4中的光刻胶1。此外,光刻胶1用滑动辊子6定量化并通过其上的复印辊子7涂到薄膜载带8的金属体层9的表面上。在该装置中,泵3进行压缩动作时卷进来的空气,在管道13中变成为气泡12,与光刻胶1一起被送往接受皿4。接着,已卷进了气泡的光刻胶1被辊子5卷扬起来,并通过滑动辊子6和复印辊子7,原样不变地涂到薄膜载带8的金属体层9上。这样一来,被涂覆的光刻胶1在卷进了气泡12的部位处常常会变薄,或者会形成针孔。在这里,如图3A所示,如果已经正确地涂上了光刻胶1,则用其后的工序,如图3B所示,未被刻蚀而留下来的金属导体层9应变成为电路图形。但是,如图4A所示,当光刻胶1中混进了气泡12时,金属导体层9的应不被刻蚀的区域也遭受刻蚀。结果是如图4B所示,将产生图形缺口16或者图形断线17。或者,如图4A所示,有时候容器2内的光刻胶1中混进了粉尘或树脂块等的异物15,即便是经过其后的工序,如图4B所示,异物15也将会保持附着于金属导体层9上的状态不变。本专利技术就是着眼于上述问题而专利技术的,其目的是在光刻中涂光刻胶时,提供可以提高图形精度的光刻胶涂覆装置和涂覆方法。(1)本专利技术的光刻胶的涂覆装置具有光刻胶的贮存容器;用于形成上述光刻胶膜的涂覆台;从上述贮存容器向上述涂覆台导入上述光刻胶的管道;比上述涂覆台还处于上游,改善上述光刻胶的质量的质量改善台。倘采用本专利技术,则即使在光刻胶中有气泡,或已混进了异物,在到达涂覆台之前,光刻胶的质量被改善。这样一来,由于将向涂覆台上供给其质量已被改善了的光刻胶,所以就可以进行良好的涂覆,会提高光刻中的图形精度。(2)上述质量改善台,具有留下一部分空间流入上述光刻胶的密闭槽和使该密闭槽内的上述空间减压的真空泵,上述光刻胶,也可以在借助于上述空间的减压抽出了气泡之后,送往上述涂覆台。倘采用本专利技术,采用抽出气泡的办法,可以改善光刻胶的质量。(3)本专利技术也可以在比上述密闭槽还往上游处,具有从上述贮存容器向上述密闭槽中送入上述光刻胶的泵。倘采用这种构成,则由于在用泵送入光刻胶的时候,易于在该光刻胶中产生气泡,故用上述的密闭槽和真空泵抽出气泡是有效的。(4)上述质量改善台,还可以含有过滤上述光刻胶的过滤器。这样的话,采用进行过滤的办法,就可以除去混入光刻胶中的异物,改善该光刻胶的质量。(5)上述涂覆台也可以具有滚涂机构。采用具有滚涂机构的办法,可以进行由滚涂法进行的膜的形成。(6)本专利技术的光刻胶的涂覆方法,是在从贮存容器到用于形成膜的涂覆台为止的位置之间,改善上述光刻胶的质量的方法。倘采用本专利技术,则即使或者光刻胶中有了气泡,或者是已混入了异物,在到达涂覆台之前,光刻胶的质量将得到改善。这样一来,由于把质量已改善的光刻胶供给涂覆台,故可以得到良好的涂覆,将会提高光刻中的图形精度。(7)在本专利技术中,还可以留下一部分空间把上述光刻胶供给到密闭槽中,并在上述密闭槽内对上述空间进行减压,抽出混入上述光刻胶中的气泡,改善上述光刻胶的质量。倘采用这种构成,则可以把无气泡的光刻胶供给涂覆台。(8)在本专利技术中,还可以在比上述密闭槽还往上游处,用泵从上述贮存容器向上述密闭槽内送入上述光刻胶。倘采用这种构成,则由于在用泵送入光刻胶时易于在光刻胶中产生气泡,故使上述密闭容器内的空间减压来除去气泡是有效的。(9)在本专利技术中,还可以采用对上述光刻胶进行过滤的办法,改善上述光刻胶的质量。倘采用这种构成,就可以把已除去了异物的光刻胶供给涂覆台。(10)在上述涂覆台中,还可以用滚涂方式形成光刻胶的膜。附图说明图1示出了本专利技术的实施例的涂覆装置,图2示出了现有的涂覆装置,图3A和图3B是用于说明正常的电路图形的形成过程的说明图,图4A和图4B是说明有缺陷的电路图形的形成过程的说明图。参照附图对本专利技术的实施例进行说明。图1的示意图示出了本专利技术的实施例的涂覆装置。该涂覆装置具有贮存容器10,泵20,质量改善台30和涂覆台40,这些部分用聚四氟乙烯树脂制的管道52、54、56和58进行连接。在贮存容器10中,存有液体的光刻胶12。此外,贮存容器10连有两个管道52和58并已密闭。一方的管道52顶端部分在贮存容器10的底部附近开有开口,变成为用泵20吸出已存于贮存容器10内的光刻胶12。泵20构成为压缩吸出光刻胶20。另一方的管道58顶端部分在贮存容器10内的上部附近开有开口,构成为返回在涂覆工序中剩下的光刻胶12。光刻胶12通过管道52用泵20从贮存容器10中吸出,再通过管道54送往质量改善台30。在这里,泵20压缩并送出光刻胶。在本实施例中,使在涂覆工序中剩下的光刻胶12返回贮存容器中去再次利用。因此,随着反复进行涂覆工序,异物24将混入光刻胶12中去。另外,在用泵20送出光刻胶12时,常常会因卷入空气而发生气泡22。这些异物24或气泡22会妨害正常的涂覆。于是,在质量改善台30中,要除去混入到光刻胶12中的异物24或气泡22。质量改善台30具有密闭槽32和通过管道34连接到该密闭槽32上的真空泵36。密闭槽32含有外侧槽32a和内侧槽32b。内侧槽32b临时存放由管道54导入的光刻胶12。此外,在内侧槽32b上已连接有过滤器39和管道56,以送出光刻胶12。外侧槽32a对内侧槽32b的外周进行密闭。内侧槽32b的上面形成有开口,并在与外侧槽32a之间形成空间38。向着该空间38管道34已形成了开口,真空泵36使该空间38减压。这样一来,光刻胶12临时地存放于内侧槽32b中,当空间38减压后,就可以除去已混入光刻胶12中的气泡22。空间38的减压理想的是使之变成为约数十Torr。如果是以ECA(ethyl-cellosolve-acetate,乙基乙酸溶纤剂)或者PGMEA(丙二醇一甲基醚乙酸酯)为溶剂的光刻胶,则即使进行上述减压,也可以把粘度的增加抑制为约10%。此外,理想的是减小从泵20送往内侧槽32b的光刻胶12的液压,缩小连接到内侧槽32b上的管道54、56的直径。质量改善台30为除去异物24具有过滤器39。过滤器39设在内侧槽32b与管道56之间,即设在光刻胶12的出口上。过滤器39的构成为可以经过过滤来除去大小大于50μm的异物24。另外还可以使大小大于50μm的气泡22也不能通过。光刻胶12经由过滤器39送往涂覆台40。涂覆台40具有含有接受皿41,辊子42,滑动辊子43,辊子44、45的滚涂机构。由于其构成与现有技术是本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光刻胶涂覆装置,具有:光刻胶的贮存容器;用于形成上述光刻胶的膜的涂覆台;从上述贮存容器向上述涂覆台导入上述光刻胶的管道;比上述涂覆台还处于上游,改善上述光刻胶的质量的质量改善台。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:泽本俊宏,
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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